CN206076050U - 一种高容量谐振电容 - Google Patents

一种高容量谐振电容 Download PDF

Info

Publication number
CN206076050U
CN206076050U CN201621119204.8U CN201621119204U CN206076050U CN 206076050 U CN206076050 U CN 206076050U CN 201621119204 U CN201621119204 U CN 201621119204U CN 206076050 U CN206076050 U CN 206076050U
Authority
CN
China
Prior art keywords
fuse
aluminium foil
monofilm
connecting plate
light film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201621119204.8U
Other languages
English (en)
Inventor
谢志懋
王�琦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Foshan Xinyuan Electronic Ltd By Share Ltd
Original Assignee
Foshan Xinyuan Electronic Ltd By Share Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foshan Xinyuan Electronic Ltd By Share Ltd filed Critical Foshan Xinyuan Electronic Ltd By Share Ltd
Priority to CN201621119204.8U priority Critical patent/CN206076050U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN206076050U publication Critical patent/CN206076050U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种高容量谐振电容,包括芯子、外壳、连接板、铝箔、光膜和单层膜,所述芯子安装在外壳内部并且芯子的上端和底端均设置有焊接部位,连接板焊接在芯子上端和底端的焊接部位,铝箔、光膜和单层膜均安装在芯子内部,铝箔的数量为两条并且铝箔位于芯子内部的最上端,单层膜设置在铝箔的下端并且光膜位于铝箔和单层膜之间。该产品设计合理,结构简单,体积小,重量轻,故障率低,使用安全性和运行稳定性好;该产品容量大,高频损耗小,抗机械强度高,性价比高,能够在高压、高频率、超高频感应加热电源、高频焊机、高频发射电源、通信电源、各种电磁设备等高频大电流的场合下应用,使用效果好。

Description

一种高容量谐振电容
技术领域
本实用新型涉及一种电容器,具体是一种高容量谐振电容。
背景技术
电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件,电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制等方面,随着电子信息技术的日新月异,数码电子产品的更新换代速度越来越快,以平板电视、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长,带动了电容器产业增长。电容器在电子元器件中有着不可取代的作用,目前市场上的电容器多为低容量电容器,不能满足电子元器件在高压、大电流和大功率下的使用需求,这就为人们的使用带来了不便。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种高容量谐振电容,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种高容量谐振电容,包括芯子、外壳、连接板、铝箔、光膜和单层膜,所述芯子安装在外壳内部并且芯子的上端和底端均设置有焊接部位,连接板焊接在芯子上端和底端的焊接部位,铝箔、光膜和单层膜均安装在芯子内部,铝箔的数量为两条并且铝箔位于芯子内部的最上端,单层膜设置在铝箔的下端并且光膜位于铝箔和单层膜之间。
作为本实用新型进一步的方案:连接板采用铜材质制作,单层膜采用金属聚丙烯材料制作。
作为本实用新型进一步的方案:光膜和单层膜的宽度均为38mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该产品设计合理,结构简单,体积小,重量轻,故障率低,使用安全性和运行稳定性好;该产品容量大,高频损耗小,抗机械强度高,性价比高,能够在高压、高频率、超高频感应加热电源、高频焊机、高频发射电源、通信电源、各种电磁设备等高频大电流的场合下应用,使用效果好。
附图说明
图1为高容量谐振电容的结构示意图。
图2为高容量谐振电容中芯子的内部结构示意图。
其中:1-芯子,2-焊接部位,3-连接板,4-外壳,5-铝箔,6-光膜,7-单层膜。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
请参阅图1-2,一种高容量谐振电容,包括芯子1、外壳4、连接板3、铝箔5、光膜6和单层膜7,所述芯子1安装在外壳4内部并且芯子1的上端和底端均设置有焊接部位2,连接板3焊接在芯子1上端和底端的焊接部位2,铝箔5、光膜6和单层膜7均安装在芯子1内部,铝箔5的数量为两条并且铝箔5位于芯子1内部的最上端,单层膜7设置在铝箔5的下端并且光膜6位于铝箔5和单层膜7之间。连接板3采用铜材质制作,单层膜7采用金属聚丙烯材料制作。光膜6和单层膜7的宽度均为38mm。
本实用新型的工作原理是:真空浸渍高压绝缘油技术包含合适的真空度值、区间内的真空浸渍时间、高压绝缘油的种类以及粘度都是提高耐压和改善边缘场强的决定因素,浸渍绝缘油口在焊接部位2和连接板3正对面积处;连接板3和喷金层的焊接方式,避免因为焊接升温导致卷绕材料两端面的畸变,避免薄膜的过高温而发生收缩现象,这就需要在焊接的同时有一套氮气冷却系统负责在焊接完毕的一瞬间对连接板3进行冷却。焊接方式还是选择锡连接二者,在连接板3内侧铣出一个略大于芯子1直径的圆槽,使熔化的锡注入圆槽合适体积,然后进行焊接冷却,焊接分两步进行,第二部需要进行轴心校对,方可焊接。该装置中采用了19mm宽的两条铝箔5在最上方,中间以38mm宽的光膜6间隔,下面是38mm宽的金属聚丙烯单层膜7的卷绕方式构成俩串的形式,这样便可满足应用条件,这里对铝箔5的厚度以及金属聚丙烯单层膜7的厚度都有着苛刻的要求,所以在研发此项目的同时,我们也相应开发了相对应的专用铝箔5和金属聚丙烯单层膜7,因此,我们对现有工艺做了进一步改进,以保证合格率和产品质量的双重提升。真空浸渍高压绝缘油技术是谐振电容研究的关键技术,没有这个工序的真空浸渍,其他一切都将是空谈,合适的真空度以及区间内的真空浸渍时间是基础,选择高压绝缘油的种类以及粘度才是的研究高容量谐振电容的关键所在,也是提高耐压和改善边缘场强的决定因素;最终我们确定了真空度的区间范围以及真空浸渍时间的区间范围,同时也选择了硅油作为浸渍绝缘液体,经过反复的试验验证,我们的技术已经成熟,完全可以在生产中应用。采用含有一定铜含量的喷金丝和锌丝进行喷金工艺,使得产品的喷金层含有部分铜含量,铜的引入可以好好的提高导电性,客观上减少外阻,相应增加与连接板3焊接的相容性。原有工艺采用CP线(即镀锡铜线,内芯为钢,中部镀铜,外边面采用镀锡),这种材料的选择在提高强度的同时也相应的满足了焊接时很好的相容性,但是与喷金层相容过程中会对芯子端面有所影响,造成薄膜边缘有一定的形变,新工艺中在保持满足相应通过电流的同时减少内部钢的含量保持铜的含量增加原有锡的含量,不仅降低了材料本身的硬度,也保证了与喷镀层的连接相容性和保护芯子两端薄膜不受外力压迫而发生形变。
该产品设计合理,结构简单,体积小,重量轻,故障率低,使用安全性和运行稳定性好;该产品容量大,高频损耗小,抗机械强度高,性价比高,能够在高压、高频率、超高频感应加热电源、高频焊机、高频发射电源、通信电源、各种电磁设备等高频大电流的场合下应用,使用效果好。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (3)

1.一种高容量谐振电容,其特征在于,包括芯子、外壳、连接板、铝箔、光膜和单层膜,所述芯子安装在外壳内部并且芯子的上端和底端均设置有焊接部位,连接板焊接在芯子上端和底端的焊接部位,铝箔、光膜和单层膜均安装在芯子内部,铝箔的数量为两条并且铝箔位于芯子内部的最上端,单层膜设置在铝箔的下端并且光膜位于铝箔和单层膜之间。
2.根据权利要求1所述的高容量谐振电容,其特征在于,所述连接板采用铜材质制作,单层膜采用金属聚丙烯材料制作。
3.根据权利要求1或2所述的高容量谐振电容,其特征在于,所述光膜和单层膜的宽度均为38mm。
CN201621119204.8U 2016-10-13 2016-10-13 一种高容量谐振电容 Active CN206076050U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201621119204.8U CN206076050U (zh) 2016-10-13 2016-10-13 一种高容量谐振电容

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201621119204.8U CN206076050U (zh) 2016-10-13 2016-10-13 一种高容量谐振电容

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206076050U true CN206076050U (zh) 2017-04-05

Family

ID=58440859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201621119204.8U Active CN206076050U (zh) 2016-10-13 2016-10-13 一种高容量谐振电容

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN206076050U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107275085A (zh) 一种石墨烯基高压脉冲薄膜电容器
CN101834055B (zh) 电子装置及扼流器
CN206076050U (zh) 一种高容量谐振电容
CN103839681A (zh) 一种铝电解电容器
CN204407188U (zh) 一种新型叠片式卷绕薄膜电容器
CN206282734U (zh) 一种金属化反留边薄膜电容器
CN206076051U (zh) 一种耐腐蚀的金属化薄膜电容器
CN102610401A (zh) 一种固体电解质铝电解电容器及其制造方法
CN205789506U (zh) 一种超薄耐高温聚丙烯电容器金属化薄膜
CN103578746A (zh) 电容器用复合型安全防爆金属化薄膜
CN207883483U (zh) 一种基于非晶或纳米晶带材的磁性薄片
CN101997343A (zh) 高比容大电流新型脉冲储能器
CN206558379U (zh) 薄膜电容器及其电容芯子
CN102468052A (zh) 有感串联结构高压薄膜电容器及制造方法
CN101728022A (zh) 一种绝缘绞线的制造方法
CN205723160U (zh) 一种变频器用金属薄膜滤波电容器
CN206293294U (zh) 一种高能宽温组合式钽电容器
CN206976169U (zh) 一种超高温端片平贴式薄膜电容器
CN101894669A (zh) 一种超高压cbb四串无感电容器制备方法
CN205959776U (zh) 一种适用于电源抗共模干扰的薄膜介质电容
CN2901532Y (zh) 新型有机薄膜电容器
CN208298701U (zh) 一种谐振电容器
CN206432149U (zh) 一种金属化薄膜电容器
CN204204643U (zh) 一种油浸铜箔电容器
CN209912739U (zh) 一种波浪分切技术的高载流耐压电容器

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: High power capacity resonant capacitor

Effective date of registration: 20180629

Granted publication date: 20170405

Pledgee: Guangdong Nanhai rural commercial bank Limited by Share Ltd. Xiqiao branch

Pledgor: FOSHAN CITY XINYUAN ELECTRONICS Co.,Ltd.

Registration number: 2018440000180

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20220817

Granted publication date: 20170405

Pledgee: Guangdong Nanhai rural commercial bank Limited by Share Ltd. Xiqiao branch

Pledgor: FOSHAN CITY XINYUAN ELECTRONICS Co.,Ltd.

Registration number: 2018440000180

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right