CN205984901U - 一种用于铝线键合的劈刀结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于铝线键合的劈刀结构，属于半导体封装技术领域。它包括劈刀本体（5），所述劈刀本体（5）一端设置有接触铝线端（6），所述接触铝线端（6）包括多个倾斜面（61），所述多个倾斜面（61）顶端设置有一个键合凹槽（62），所述键合凹槽（62）的截面为梯形。本实用新型一种用于铝线键合的劈刀结构，它可将铝线焊接结合点再次利用，从而实现功率器件铝线封装小型化、集成化和结构复杂化的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于铝线键合的劈刀结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术
随着社会的不断发展，在电信服务器电源、感应加热应用、不间断电源、手机、汽车电子、等离子电视、液晶电视等领域，能承载较大功率的功率半导体器件得到了广泛的应用。功率MOS、绝缘栅双极晶体管以及功率集成电路为主的器件得到飞速的发展，随着功率器件向大功率、高频率、集成化方向发展，器件结构日趋复杂，为使主流功率器件应用能够受益于新近的功率芯片技术的发展，不再受限于封装性能的限制，必须不断提升功率器件封装技术及相应设备和其配套的配件。铝线键合技术是功率器件封装工艺中的重要工序之一，现有的键合设备均采用传统铝线深V型劈刀（参见图6）对铝线和芯片键合处施加外力，在芯片表面和框架管脚形成焊接结合点，形成的焊接结合点处铝线外形呈不规则倒V形。为追求更大的导通电流，功率器件在铝线的选择上会在产品规格范围内尽可能选择线径较粗的铝线。然而这样形成的铝线焊接结合点在单颗产品中所占用芯片上和框架管脚上的有效空间就越大，这就限制了功率器件封装小型化、集成化和结构复杂化的发展。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种用于铝线键合的劈刀结构，它可将铝线焊接结合点再次利用，从而实现功率器件铝线封装小型化、集成化和结构复杂化的目的。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种用于铝线键合的劈刀结构，它包括劈刀本体，所述劈刀本体一端设置有接触铝线端，所述接触铝线端包括多个倾斜面，所述多个倾斜面顶端设置有一个键合凹槽，所述键合凹槽的截面为梯形。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：
本发明一种用于铝线键合的劈刀结构，劈刀一端设置有用于焊接时使用的接触铝线端，接触铝线端的键合凹槽为梯形，铝线键合后在芯片表面和框架管脚形成梯形的焊接结合点，焊接结合点上表面形成规则的平面区域，可以进行二次打线或二次装片，以提供更多的焊接空间和更大的布线区域来满足更复杂的封装设计要求，从而达到功率器件封装的小型化、集成化和结构复杂化的目的。
附图说明
图1为本实用新型一种用于铝线键合的劈刀结构的结构示意图。
图2为图1的俯视图。
图3为图1的A部放大图。
图4为图2的B部放大图。
图5为本实用新型一种用于铝线键合的劈刀结构的焊接结合点的形状示意图。
图6为传统铝线深V型劈刀头部示意图。
其中：
劈刀本体5
接触铝线端6
倾斜面61
键合凹槽62。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1~5所示，本实施例中的一种用于铝线键合的劈刀结构，它与导线管、导向槽、切刀刀片以及切刀限位推杆配套使用，包括劈刀本体5，所述劈刀本体5一端设置有用于焊接时使用的接触铝线端6，所述接触铝线端6包括多个倾斜面61，所述多个倾斜面61顶端设置有一个键合凹槽62，所述键合凹槽62的截面为梯形。
当焊线工序键合时，利用劈刀直接摩擦挤压铝线到芯片表面或电子元器件上，将电能转换为机械能，通过劈刀上的接触铝线端传递到铝线上，使铝线与芯片两者间结合在一起，形成与劈刀上的接触铝线端形状相同的梯形焊接结合点。梯形焊接结合点上表面形成规则的可再次利用平面区域，从而实现在焊接结合点上进行二次打线和二次装片，以达到功率器件封装的小型化、集成化和结构复杂化的目的。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种用于铝线键合的劈刀结构，其特征在于：它包括劈刀本体（5），所述劈刀本体（5）一端设置有接触铝线端（6），所述接触铝线端（6）包括多个倾斜面（61），所述多个倾斜面（61）顶端设置有一个键合凹槽（62），所述键合凹槽（62）的截面为梯形。
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Country Status (1)
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2016
- 2016-08-01 CN CN201620814539.5U patent/CN205984901U/zh active Active
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