CN205723640U - 一种基于氯化铟水溶性薄膜的oled器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，包括：玻璃基层；ITO透明阳极，该ITO透明阳极是设在玻璃基层上的ITO薄膜；氧化铟水溶性薄膜，其设在所述ITO透明阳极上作为空穴注入层；空穴传输层，设在所述氧化铟水溶性薄膜上；发光层，设在所述空穴传输层上；电子传输层，设在所述发光层上；电子注入层，设在所述电子传输层上；阴极，设在所述电子注入层上。本实用新型不仅能够有效地提高器件的阳极空穴注入能力，提高器件的发光效率和稳定性，还能降低制备成本，对环境友好。

Description

一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件

技术领域

本实用新型涉及光电子器件领域，具体为一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件。

背景技术

自1987年，邓青云等人发明三明治结构的有机电致发光二极管（OLED）以来，OLED技术不断地更新，使其具备了成本低，主动发光，发光色彩饱和度高，响应快等特点，已经进入了初步商业化。

但是如何进一步提高阳极空穴注入仍然是OLED广泛地商业化路上亟待解决的问题之一。为此人们尝试使用不同的方法优化注入界面：紫外臭氧处理、氧等离子体处理、CF_x等离子处理、自组装、热蒸镀一层有机物、热蒸镀过渡金属氧化物都可以成功的增强OLED器件的空穴注入。近些年，赫兰德（Helander）、曹（Cao）等人提出了采用紫外臭氧结合二氯苯处理或者氯气等离子体处理提高ITO的功函数的方法，并指出功函数的提高是源于在ITO表面形成的In-Cl键。然而，这两种方法都存在一些问题：不仅需要额外的设备，而且精确地控制温度、湿度以及浓度状况也是很困难的。在OLED中，目前最常用的一种方式是在阳极透明ITO电极上旋涂一层PEDOT:PSS来提高器件的空穴注入能力，但是PEDOT:PSS易吸水，酸性较强（pH约为1），且易被光氧化，对于器件的稳定性不利，所以急需一种材料来代替PEDOT:PSS。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，以提高器件的发光效率和稳定性。

本实用新型所述的基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，包括：玻璃基层；ITO透明阳极，该ITO透明阳极是设在玻璃基层上的ITO薄膜，用于在电压作用下形成空穴；氧化铟水溶性薄膜，其设在所述ITO透明阳极上作为空穴注入层；空穴传输层，设在所述氧化铟水溶性薄膜上，用于将空穴传输至发光层；发光层，设在所述空穴传输层上，用于将空穴和电子传输层传输的电子进行结合，产生光亮；电子传输层，设在所述发光层上，用于将电子传输至发光层；电子注入层，设在所述电子传输层上；阴极，设在所述电子注入层上，用于在电压作用下产生电子。

进一步的，通过封装盖对该OLED器件进行封装。

进一步的，所述ITO薄膜厚度为120-140nm，空穴传输层厚度为35-38nm，发光层厚度15-18nm，电子传输层厚度65-70nm，电子注入层厚度为1-2nm，阴极厚度为150-180nm。

进一步的，所述封装盖包括上盖和下盖，该OLED器件被封装在上盖和下盖所形成的密闭腔室内，在所述上盖顶部设置有与所述密闭腔室连通的导管，在导管内填充有吸水材料和吸氧材料，且在导管顶端中设有毛细管。

进一步的，所述毛细管的顶管密封。

本实用新型的优点是：

1、在ITO透明阳极和空穴传输层之间，插入一层氯化铟水溶性薄膜，可以在ITO表面直接形成In-Cl键，从而提高ITO表面的功函数，进而提高空穴注入空穴传输层的能力，最终使得器件的发光效率和稳定性得到提高。

2、制备方法简单、成本低：采用旋涂的方法制备，优于价格昂贵的真空热蒸镀方法，并且避开了紫外臭氧结合二氯苯处理或者氯气等离子体处理外部环境条件难于控制的制备途径。

3、氯化铟溶于去离子水中，无有机溶液的使用，有利于环境保护，对环境友好；且价格相对便宜，成本低廉，有利于商业化。

综上所述，本实用新型不仅能够有效地提高器件的阳极空穴注入能力，提高器件的发光效率和稳定性，还能降低制备成本，对环境友好。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细阐述，以下实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。

实施例一：

如图1所示的基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件1，其是在玻璃基层101上沉积120nm的ITO薄膜作为ITO透明阳极102，该ITO薄膜用于在电压作用下形成空穴。

再在该ITO透明阳极102上设置一层氧化铟水溶性薄膜103，作为空穴注入层，其中该氧化铟水溶性薄膜的制备方法是：1、将粉末状的氧化铟溶解于去离子水中得到混合溶液，其中氧化铟浓度为1wt.%；2、将上述混合溶液旋涂在ITO透明阳极上，退火得到氧化铟水溶性薄膜，其中旋涂速度为4000rpm，旋涂时间40s，退火温度120℃，退火时间15min。

之后再真空热镀沉积其他功能层，由下至上依次是厚度35nm的用于将空穴传输至发光层的CBP空穴传输层104；15nm的CBP:Ir(ppy)2(acac)发光层105，其用于将空穴和电子传输层传输的电子进行结合，产生光亮；65nm的TPBi电子传输层106，用于将电子传输至发光层105；1nm的LiF电子注入层107；150nm的Al金属阴极108，其用于在电压作用下产生电子。

如图2所示，再利用加热板使用涂有硅胶的封装盖对上述OLED器件进行封装。所述封装盖包括玻璃材质的上盖2和下盖3，OLED器件1被封装在上盖2和下盖3所密封形成的封闭腔室内，在上盖顶部设置有与所述密闭腔室连通的导管4，在导管内填充有吸水和吸氧的材料5，且在导管4顶端还设有毛细管6，该毛细管6的顶端密封，与外界不连通。加热时，封装盖内的水分和氧气向上循环，进入导管内被吸水材料和吸氧材料截留，毛细管的作用是集聚水分，故本封装盖能够有效吸取其内的水和氧气。

实施例二：

此实施例与实施例一的区别在于，所述ITO薄膜厚度为140nm，空穴传输层厚度为38nm，发光层厚度为18nm，电子传输层厚度为70nm，电子注入层厚度为2nm，阴极厚度为180nm，其与技术特征与实施例一相同，在此不再赘述。

Claims (5)

1.一种基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于包括：

玻璃基层；

ITO透明阳极，该ITO透明阳极是设在玻璃基层上的ITO薄膜，用于在电压作用下形成空穴；

氧化铟水溶性薄膜，其设在所述ITO透明阳极上作为空穴注入层；

空穴传输层，设在所述氧化铟水溶性薄膜上，用于将空穴传输至发光层；

发光层，设在所述空穴传输层上，用于将空穴和电子传输层传输的电子进行结合，产生光亮；

电子传输层，设在所述发光层上，用于将电子传输至发光层；

电子注入层，设在所述电子传输层上；

阴极，设在所述电子注入层上，用于在电压作用下产生电子。

2.根据权利要求1所述的基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于：通过封装盖对该OLED器件进行封装。

3.根据权利要求1所述的基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于：所述ITO薄膜厚度为120-140nm，空穴传输层厚度为35-38nm，发光层厚度15-18nm，电子传输层厚度65-70nm，电子注入层厚度为1-2nm，阴极厚度为150-180nm。

4.根据权利要求2所述的基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于：所述封装盖包括上盖和下盖，该OLED器件被封装在上盖和下盖所形成的腔室内，在所述上盖顶部设置有与所述腔室连通的导管，在导管内填充有吸水材料和吸氧材料，且在导管中还设有毛细管。

5.根据权利要求4所述的基于氯化铟水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于：所述毛细管的顶端密封。