CN205680445U

CN205680445U - 一种静态随机存取存储器老炼测试板及装置

Info

Publication number: CN205680445U
Application number: CN201620509283.7U
Authority: CN
Inventors: 梅亮; 金小金; 王宁
Original assignee: CASIC Defense Technology Research and Test Center
Current assignee: CASIC Defense Technology Research and Test Center
Priority date: 2016-05-30
Filing date: 2016-05-30
Publication date: 2016-11-09
Anticipated expiration: 2026-05-30

Abstract

本实用新型公开了一种静态随机存取存储器老炼测试板及装置，属于电路测试技术领域。本实用新型专门用于对LCC或PLCC封装的IDT7202LA型静态随机存取存储器的老化中测试，具有结构简单、使用方便的特点，其中静态随机存取存储器老炼测试板上设置有若干工位，可以同时对多个静态随机存取存储器进行老化中测试，工位的周围电路用于将被测静态随机存取存储器的引脚引导至老炼测试板的接口处，并通过接口与老化箱连接。本实用新型能够快速验证并剔除SRAM的电平偶然翻转故障，及早发现故障元件，大大提高了该型号SRAM的质检效率。

Description

一种静态随机存取存储器老炼测试板及装置

技术领域

本实用新型涉及电路测试技术领域，特别是指一种静态随机存取存储器老炼测试板及装置。

背景技术

老炼又称老化(burn-in)，是指通过工作环境和电气性能两方面对半导体器件进行苛刻的试验，以使其故障尽早出现。一般来说，老化通常是在高温环境下使器件长期运行，因此需要配备专门的老化房或老化箱。

以往老化和测试一般被分成两个过程，即先把一个器件插入老化板并放入老化室或老化箱，在老化室或老化箱内连接驱动装置并进行一段时间的老化运行，然后再将器件取出进行测试。如果测试后发现器件运行良好，就可以保证器件质量可靠并送入下游环节。如果经检测发现器件出现故障，则会将其送去故障分析实验室进行分析，这可能会需要几周的时间。

这种方式存在的问题是，一个器件不管在什么时候出现故障，都必须等待预设的老化时间完成才能够被取出检测，这大大增加了每个器件的平均老化时间，拉低了质检效率。

为此，现有技术中出现了一种所谓“老化中测试”(TDBI，Test During Burn-In)的新技术，即在器件老化的过程中同时对每个器件的参数进行检测，这样就可以及早发现出现故障的器件。显然，这种技术必然需要一种与之相配的新装备。

静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)是电子设备中常用的内存元件，其使用广泛，作用重大，因此对SRAM的质量检测就显得尤为重要。

目前在现有技术中，SRAM在进行元器件筛选试验时，元器件功能测试与老炼试验是分开进行的，通过在老炼试验前后进行功能性能参数测试来验证并剔除老炼试验后出现的不合格品。但随着应用环境的复杂化，元器件在复杂环境下出现偶然性的异常电平翻转现象，该种缺陷无法通过正常的功能测试与老炼试验进行剔除，需要在老炼试验过程中进行功能测试，以剔除存在该种缺陷的器件，消除缺陷芯片在装机使用后所存在的潜在风险。但是，现有技术中还没有这样一种针对SRAM的TDBI装置，尤其是专门针对LCC或PLCC封装的IDT7202LA型SRAM的TDBI装置。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提出一种静态随机存取存储器老炼测试板及装置，它能够对LCC或PLCC封装的IDT7202LA型SRAM进行老化中测试，从而发现元器件在复杂环境下出现的偶然性的异常电平翻转现象，及时剔除存在该种缺陷的器件，大大提高质检效率。

基于上述目的，本实用新型提供的技术方案是：

一种静态随机存取存储器老炼测试板，其包含测试板接口以及至少两个用于安置被测静态随机存取存储器的工位，每个工位具有用于与被测静态随机存取存储器的引脚电连接的触点，每个工位均具有周围电路，被测静态随机存取存储器为LCC或PLCC封装的IDT7202LA型静态随机存取存储器；

测试板接口包含数据位接点、地址位接点、接地接点和电源接点；

周围电路包含将工位的D0、D1、D2、D3、D8、W、VCC、D4、D5、D6、D7、FL-RT、RS、EF、XO-HF、Q7、Q6、Q5、Q4、R、GND、Q8、Q3、Q2、Q1、Q0、FF和XI触点分别与测试板接口相连接的连接线路；其中，工位的D0、Q7、Q6、Q5、Q4、Q8、Q3、Q2、Q1和Q0触点与数据位接点连接，工位的D1、D2、D3、D8、W、D4、D5、D6、D7、FL-RT、RS、EF、XO-HF、R和FF触点与地址位接点连接，工位的VCC、GND和XI触点与接地接点连接，工位的VCC触点还通过接地电容与电源接点连接；

工位的D0、D1、D2、D3、D8、W、D4、D5、D6、D7、FL-RT、RS、EF、XO-HF、Q7、Q6、Q5、Q4、R、Q8、Q3、Q2、Q1、Q0和FF触点所对应的连接线路上均设有串联电阻。

具体地，串联电阻的阻值均可为10千欧。

具体地，接地电容的电容量可以为0.1微法。

具体地，测试板接口可以采用金手指。

具体地，工位可以设为四个、六个、八个、十二个、十八个或二十个。

具体地，该老炼测试板可以采用双层布线结构。

一种静态随机存取存储器老炼测试装置，其包含老化箱，老化箱内设有电源、驱动器、检测器，以及如上所述的静态随机存取存储器老炼测试板；电源、驱动器和检测器均与静态随机存取存储器老炼测试板电联接。

具体地，还可以包含老化箱接口，电源、驱动器和检测器均与老化箱接口连接，老化箱接口与静态随机存取存储器老炼测试板的测试板接口匹配并连接。

从上面所述可以看出，本实用新型提供的有益效果在于：

LCC(Leadless Chip Carriers，无引脚芯片载体)或PLCC(Plastic Leaded ChipCarrier，塑料无引脚芯片载体)封装的IDT7202LA型SRAM是IDT(Integrated DeviceTechnology)公司生产的一种SRAM，它是一种使用广泛的静态随机存取存储器。

本实用新型的静态随机存取存储器老炼测试板及静态随机存取存储器老炼测试装置专门用于对LCC或PLCC封装的IDT7202LA型SRAM的老化中测试，具有结构简单、使用方便的特点，其中SRAM老炼测试板上设置有若干DUT(Device Under Test，被测设备)工位，可以同时对多个SRAM进行老化中测试，工位的周围电路用于将被测SRAM的引脚引导至SRAM老炼测试板的接口处，并通过接口与老化箱连接。该实用新型能够快速验证并剔除SRAM的电平偶然翻转故障，及早发现故障元件，大大提高了该型号SRAM的质检效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中静态随机存取存储器老炼测试板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中老炼测试板第一部分测试板接口的结构示意图；

图3为本实用新型实施例中老炼测试板第二部分测试板接口的结构示意图；

图4为本实用新型实施例中老炼测试板第三部分测试板接口的结构示意图；

图5为本实用新型实施例中老炼测试板第四部分测试板接口的结构示意图；

图6为本实用新型实施例中老炼测试板上一个周围电路的电路结构图；

图7为本实用新型实施例中静态随机存取存储器老炼测试装置的结构框图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。

具体地，串联电阻的阻值均可为10千欧。

具体地，接地电容的电容量可以为0.1微法。

具体地，测试板接口可以采用金手指。

具体地，该老炼测试板可以采用双层布线结构。

如图1所示是一种静态随机存取存储器老炼测试板的结构示意图，其包括测试板主体1，测试板主体1上设有8个工位2，侧面还设有测试板接口3，该测试板采用双层布线结构，测试板接口3的接点分布在测试板的正反两面。

如图2～图5所示是测试板接口3的结构示意图，图中PIN 1～80为DATA数据位，PIN81开始为ADD地址位。

如图6所示是老炼测试板上一个周围电路的电路结构图，图中的中心元件即为LCC或PLCC封装的IDT7202LA型SRAM，图中的电阻R₁～R₂₅的阻值均为10kΩ，接地电容C₁的电容量为0.1μF。

如图7所示是一种静态随机存取存储器老炼测试装置的结构框图，其包含老化箱4，老化箱内设有电源7、驱动器6、检测器5、老化箱接口41以及如图1所示的静态随机存取存储器老炼测试板；电源7、驱动器6和检测器5均与老化箱接口41连接，老化箱接口41与静态随机存取存储器老炼测试板的测试板接口3匹配并连接。

具体来说，该静态随机存取存储器老炼测试板设计有多路I/O通道，每路I/O信号可定义为地址、数据和控制特性，每位I/O最大驱动电流不超过50mA，根据LCC或PLCC封装的IDT7202LA型SRAM工作性能特点，本静态随机存取存储器老炼测试板实现了周围电路的电路结构，并通过两个测试接口与外部的测试系统连接，本静态随机存取存储器老炼测试板支持的最高数字信号激励频率可达10MHz。

使用本静态随机存取存储器老炼测试板的测试原理为：

1)本静态随机存取存储器老炼测试板上所有DUT工位均采用并行激励的方式，即所有工位共用数据总线，同时，每个工位采用一路I/O通道作为片选信号；

2)本静态随机存取存储器老炼测试板通过测试接口获取电源以及数字向量、控制信号等激励，使其处于正常的读/写等功能状态，并可在软件的控制下实现各工位器件的读/写次数及时间，以达到长时间过程中对存储器的功能信号翻转进行验证；

3)由于本静态随机存取存储器老炼测试板上所有器件共用数据总线，故功能测试时需采用片选信号辅助的方式对每片存储器进行数据读写操作，并将读写数据进行比对，以验证其功能性能是否出现偶然翻转故障。

需要注意的是，以上只是对本实用新型的使用方法和使用原理的阐释，并不构成本实用新型本身的技术特征，本实用新型保护的客体仍为以形状或结构表征的产品本身。

容易看到，本实用新型具有结构简单、使用方便的特点，可以同时对多个SRAM进行老化中测试，能够快速验证并剔除SRAM的电平偶然翻转故障，及早发现故障元件，从而大大提高了该型号SRAM的质检效率。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本实用新型的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种静态随机存取存储器老炼测试板，其特征在于，包含测试板接口以及至少两个用于安置被测静态随机存取存储器的工位，每个工位具有用于与被测静态随机存取存储器的引脚电连接的触点，每个工位均具有周围电路，所述被测静态随机存取存储器为LCC或PLCC封装的IDT7202LA型静态随机存取存储器；

所述测试板接口包含数据位接点、地址位接点、接地接点和电源接点；

所述周围电路包含将所述工位的D0、D1、D2、D3、D8、W、VCC、D4、D5、D6、D7、FL-RT、RS、EF、XO-HF、Q7、Q6、Q5、Q4、R、GND、Q8、Q3、Q2、Q1、Q0、FF和XI触点分别与所述测试板接口相连接的连接线路；其中，所述工位的D0、Q7、Q6、Q5、Q4、Q8、Q3、Q2、Q1和Q0触点与数据位接点连接，所述工位的D1、D2、D3、D8、W、D4、D5、D6、D7、FL-RT、RS、EF、XO-HF、R和FF触点与地址位接点连接，所述工位的VCC、GND和XI触点与接地接点连接，所述工位的VCC触点还通过接地电容与电源接点连接；

所述工位的D0、D1、D2、D3、D8、W、D4、D5、D6、D7、FL-RT、RS、EF、XO-HF、Q7、Q6、Q5、Q4、R、Q8、Q3、Q2、Q1、Q0和FF触点所对应的连接线路上均设有串联电阻。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器老炼测试板，其特征在于，所述串联电阻的阻值均为10千欧。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器老炼测试板，其特征在于，所述接地电容的电容量为0.1微法。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器老炼测试板，其特征在于，所述测试板接口为金手指。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器老炼测试板，其特征在于，所述工位共有四个、六个、八个、十二个、十八个或二十个。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器老炼测试板，其特征在于，该老炼测试板为双层布线结构。

7.一种静态随机存取存储器老炼测试装置，其特征在于，包含老化箱，老化箱内设有电源、驱动器、检测器，以及如权利要求1～6中任一项所述的静态随机存取存储器老炼测试板；所述电源、驱动器和检测器均与所述静态随机存取存储器老炼测试板电联接。

8.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器老炼测试装置，其特征在于，还包含老化箱接口，所述电源、驱动器和检测器均与老化箱接口连接，所述老化箱接口与所述静态随机存取存储器老炼测试板的测试板接口匹配并连接。