CN205443511U - 一种电控一体化单晶炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电控一体化单晶炉，包括单晶炉主体，单晶炉主体内设有坩埚，坩埚设置在坩埚底座上，坩埚底座下端设有转轴，转轴连接坩埚上升旋转机构，坩埚设置在加热装置内，加热装置外部设有绝缘层，单晶炉主体上端设有上炉腔，上炉腔与单晶炉主体之间设有隔离阀，上炉腔上端一侧设有惰性气体接口，上炉腔中设有提拉杆，提拉杆与上炉腔顶部的上升旋转机构连接，单晶炉主体上端一侧设有直径控制传感器，单晶炉主体一侧设有控制箱，本实用新型结构新颖，通过控制箱的设置，实现集中化控制管理，通过设置的直径控制传感器能够准确的把握单晶硅的生长状态，实现实时监测，提高了产品质量，也进一步提高了生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种单晶炉，具体是一种电控一体化单晶炉。
背景技术
单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法使目前普遍采用的方法。直拉法生长单晶硅的方法如下：将高纯度的多晶硅原料放入直拉法单晶炉的石英坩埚内，然后在低真空有流动惰性气体的保护下加热熔化，把一支有着特定生长方向的单晶硅(也叫做籽晶)装入籽晶夹持装置中，并使籽晶与硅溶液接触，调整熔融硅溶液的温度，使其接近熔点温度，然后驱动籽晶自上而下伸入熔融的硅溶液中并旋转，然后缓缓上提籽晶，此时，单晶硅进入锥体部分的生长，当锥体的直径接近目标直径时，提高籽晶的提升速度，使单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部生长阶段，在单晶硅体生长接近结束时，再提高籽晶的提升速度，单晶硅体逐渐脱离熔融硅，形成下锥体而结束生长。用这种方法生长出来的单晶硅，其形状为两段呈锥形的圆柱体，将该圆柱体切片，即得到单晶硅半导体原料，这种圆形单晶硅片就可以作为集成电路或太阳能的材料。单晶硅拉制一般在直拉法单晶炉中进行。目前市面上单晶炉的结构较为简单，无法准确的把握单晶硅的生产状态，生产效率低下，控制方式分散且单一，无法集中控制管理，效率低下。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电控一体化单晶炉，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种电控一体化单晶炉，包括单晶炉主体，所述单晶炉主体内设有坩埚，所述坩埚设置在坩埚底座上，坩埚底座下端设有转轴，所述转轴连接坩埚上升旋转机构，所述坩埚设置在加热装置内，所述加热装置外部设有绝缘层，所述单晶炉主体上端设有上炉腔，所述上炉腔与单晶炉主体之间设有隔离阀，所述上炉腔上端一侧设有惰性气体接口，所述上炉腔中设有提拉杆，所述提拉杆与上炉腔顶部的上升旋转机构连接，所述单晶炉主体上端一侧设有直径控制传感器，所述单晶炉主体一侧设有控制箱，所述控制箱连接直径控制传感器、坩埚上升旋转机构和上升旋转机构。
作为本实用新型进一步的方案：所述坩埚底座上设有与坩埚相匹配的坩埚槽。
作为本实用新型进一步的方案：所述单晶炉主体下端设有转轴通道。
作为本实用新型进一步的方案：所述加热装置为电热装置，所述加热装置安装在下端的电极上，所述电极连接控制箱。
作为本实用新型进一步的方案：所述控制箱上设有控制面板，所述控制面板上设有控制按钮。
作为本实用新型进一步的方案：所述单晶炉主体下端一侧设有抽气泵接口。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构新颖，通过控制箱的设置，实现集中化控制管理，通过设置的直径控制传感器能够准确的把握单晶硅的生长状态，实现实时监测，提高了产品质量，也进一步提高了生产效率。
附图说明
图1为电控一体化单晶炉的结构示意图。
图中：1-坩埚上升旋转机构、2-控制箱、3-绝缘层、4-坩埚、5-单晶硅、6-直径控制传感器、7-惰性气体接口、8-上升旋转机构、9-上炉腔、10-提拉杆、11-隔离阀、12-籽晶、13-单晶炉主体、14-加热装置、15-抽气泵接口、16-坩埚底座、17-转轴、18-转轴通道。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型实施例中，一种电控一体化单晶炉，包括单晶炉主体13，单晶炉主体13内设有坩埚4，坩埚4设置在坩埚底座16上，坩埚底座16下端设有转轴17，转轴17连接坩埚上升旋转机构1，坩埚4设置在加热装置14内，加热装置14外部设有绝缘层3，单晶炉主体13上端设有上炉腔9，上炉腔9与单晶炉主体13之间设有隔离阀11，上炉腔9上端一侧设有惰性气体接口7，上炉腔9中设有提拉杆10，提拉杆10与上炉腔顶部的上升旋转机构8连接，单晶炉主体13上端一侧设有直径控制传感器6，单晶炉主体13一侧设有控制箱2，控制箱2连接直径控制传感器6、坩埚上升旋转机构1和上升旋转机构8，坩埚底座16上设有与坩埚4相匹配的坩埚槽，单晶炉主体13下端设有转轴通道18，加热装置14为电热装置，加热装置14安装在下端的电极上，电极连接控制箱2，控制箱2上设有控制面板，控制面板上设有控制按钮，单晶炉主体13下端一侧设有抽气泵接口15。
本实用新型结构新颖，通过控制箱的设置，实现集中化控制管理，方便快捷，通过隔离阀的设置，极大提高了产品的质量，通过惰性气体接口和抽气泵接口的设置，使炉内时刻充满惰性气体，满足了生产条件，提高了生产效率，通过设置的直径控制传感器能够准确的把握单晶硅的生长状态，实现实时监测，提高了产品质量，也进一步提高了生产效率。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (6)
1.一种电控一体化单晶炉，包括单晶炉主体，其特征在于，所述单晶炉主体内设有坩埚，所述坩埚设置在坩埚底座上，坩埚底座下端设有转轴，所述转轴连接坩埚上升旋转机构，所述坩埚设置在加热装置内，所述加热装置外部设有绝缘层，所述单晶炉主体上端设有上炉腔，所述上炉腔与单晶炉主体之间设有隔离阀，所述上炉腔上端一侧设有惰性气体接口，所述上炉腔中设有提拉杆，所述提拉杆与上炉腔顶部的上升旋转机构连接，所述单晶炉主体上端一侧设有直径控制传感器，所述单晶炉主体一侧设有控制箱，所述控制箱连接直径控制传感器、坩埚上升旋转机构和上升旋转机构。
2.根据权利要求1所述的电控一体化单晶炉，其特征在于，所述坩埚底座上设有与坩埚相匹配的坩埚槽。
3.根据权利要求1所述的电控一体化单晶炉，其特征在于，所述单晶炉主体下端设有转轴通道。
4.根据权利要求1所述的电控一体化单晶炉，其特征在于，所述加热装置为电热装置，所述加热装置安装在下端的电极上，所述电极连接控制箱。
5.根据权利要求1所述的电控一体化单晶炉，其特征在于，所述控制箱上设有控制面板，所述控制面板上设有控制按钮。
6.根据权利要求1所述的电控一体化单晶炉，其特征在于，所述单晶炉主体下端一侧设有抽气泵接口。
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| CN201521116590.0U CN205443511U (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种电控一体化单晶炉 |
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| CN201521116590.0U CN205443511U (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种电控一体化单晶炉 |
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| CN205443511U true CN205443511U (zh) | 2016-08-10 |
Family
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| CN (1) | CN205443511U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106894078A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-06-27 | 温州隆润科技有限公司 | 一种单晶硅片的制备装置及制备方法 |
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2015
- 2015-12-30 CN CN201521116590.0U patent/CN205443511U/zh not_active Expired - Fee Related
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Granted publication date: 20160810 Termination date: 20191230 |