CN205428948U - 一种应用于智能手机主板上面的二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种应用于智能手机主板上面的二极管，包括N正极半导体、半导体组件、外层面上的负极电极，所述N正极半导体末端安装有N负极半导体；所述N负极半导体上端设置着半导体组件；所述半导体组件外部包裹着外层面上的负极电极；所述外层面上的负极电极镶嵌着外层面上的正极电极；所述外层面上的正极电极通过主体阴极部件连接着在阳极上分离的组件；所述在阳极上分离的组件下端设置着直线型传动部分；所述直线型传动部分外端面安装有圆弧曲线外壳部分。本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的将晶体管结合生产实际，实现了晶体管的数据传输，而且生产成本较低，适合运用推广。
Description
技术领域
本实用新型属于自动机配件设备领域，具体涉及一种应用于智能手机主板上面的二极管。
背景技术
目前，我国二极管设备行业发展迅速，用于二极管的设备也多种多样，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。申请号：200910126539.0的中国专利文献报道了一种二极管,，具体内容为：本发明涉及二极管。在半导体基板的第一主面设置有电导率调制型元件的PN结二极管中,若为缩短反向恢复时间(TRR)而降低P型杂质区域的杂质浓度,则存在空穴的注入降低,某电流点的正向电压(VF)的值变高的问题。若导入用于降低反向恢复时间的寿命扼杀剂则存在漏电流增加等问题。在单晶硅层即N-型半导体层上设置P型多晶硅层。与单晶硅层相比,由于多晶硅层中晶界多,故可抑制施加正向电压时从P型多晶硅层注入到N-型半导体层的空穴量。也可通过形成P型多晶硅层时形成在N-型半导体层和P型多晶硅层之间的自然氧化膜来降低注入到N-型半导体层的空穴量。可以不使用寿命扼杀剂而缩短施加反向电压时抽出空穴所需时间即反向恢复时间。本新型结构含有上述专利有的优点，但是上述专利对二极管的使用未结合实际，做到数据处理。综上所述，所以我设计了一种应用于智能手机主板上面的二极管。
发明内容
为了解决上述存在的问题，本实用新型提供一种应用于智能手机主板上面的二极管。
本实用新型是通过以下技术方案实现：
一种应用于智能手机主板上面的二极管，包括N正极半导体、半导体组件、外层面上的负极电极，所述N正极半导体末端安装有N负极半导体；所述N负极半导体上端设置着半导体组件；所述半导体组件外部包裹着外层面上的负极电极；所述外层面上的负极电极镶嵌着外层面上的正极电极；所述外层面上的正极电极通过主体阴极部件连接着在阳极上分离的组件；所述在阳极上分离的组件下端设置着直线型传动部分；所述直线型传动部分外端面安装有圆弧曲线外壳部分；所述圆弧曲线外壳部分端面与阴极外壳內缘部分相连接；所述阴极外壳內缘部分内部设置着半导体组件；所述半导体组件上端安装有所述手机主板。
作为本实用新型的进一步优化方案，所述半导体组件设置在所述主体阴极部件内部；所述主体阴极部件上表面安装有所述在阳极上分离的组件；所述在阳极上分离的组件通过圆弧曲线外壳部分连接着所述阴极外壳內缘部分。
作为本实用新型的进一步优化方案，所述手机主板通过阴极外壳內缘部分与所述N负极半导体相连接；所述N负极半导体连接着所述N正极半导体；所述N正极半导体端面设置着所述外层面上的正极电极。
作为本实用新型的进一步优化方案，所述外层面上的负极电极设置着所述外层面上的正极电极；所述外层面上的正极电极连接着所述直线型传动部分；所述直线型传动部分安装在所述手机主板。
与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的将二极管的应用结合实际，实现了大众化数据处理，而且生产成本较低，适合运用推广。
附图说明
图1是本实用新型的结构主视图；
图2是本实用新型的结构左视图。
图中：1、N正极半导体；2、N负极半导体；3、半导体组件；4、外层面上的负极电极；5、外层面上的正极电极；6、主体阴极部件；7、在阳极上分离的组件；8、直线型传动部分；9、圆弧曲线外壳部分；10、阴极外壳內缘部分；11、手机主板。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：
如图1、图2所示，一种应用于智能手机主板上面的二极管，包括N正极半导体（1）、半导体组件（3）、外层面上的负极电极（4），所述N正极半导体（1）末端安装有N负极半导体（2）；所述N负极半导体（2）上端设置着半导体组件（3）；所述半导体组件（3）外部包裹着外层面上的负极电极（4）；所述外层面上的负极电极（4）镶嵌着外层面上的正极电极（5）；所述外层面上的正极电极（5）通过主体阴极部件（6）连接着在阳极上分离的组件（7）；所述在阳极上分离的组件（7）下端设置着直线型传动部分（8）；所述直线型传动部分（8）外端面安装有圆弧曲线外壳部分（9）；所述圆弧曲线外壳部分（9）端面与阴极外壳內缘部分（10）相连接；所述阴极外壳內缘部分（10）内部设置着半导体组件（3）；所述半导体组件（3）上端安装有所述手机主板（11）。
所述半导体组件（3）设置在所述主体阴极部件（6）内部；所述主体阴极部件（6）上表面安装有所述在阳极上分离的组件（7）；所述在阳极上分离的组件（7）通过圆弧曲线外壳部分（9）连接着所述阴极外壳內缘部分（10）；所述手机主板通过阴极外壳內缘部分（10）与所述N负极半导体（2）相连接；所述N负极半导体（2）连接着所述N正极半导体（1）；所述N正极半导体（1）端面设置着所述外层面上的正极电极（5）；所述外层面上的负极电极（4）设置着所述外层面上的正极电极（5）；所述外层面上的正极电极（5）连接着所述直线型传动部分（8）；所述直线型传动部分（8）安装在所述手机主板（11）。
所述本新型结构安装有半导体组件、手机主板，所述有半导体组件是指晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波；所述手机主板是指手机里的电路主板，他决定了手机的性能速度，和他的使用寿命，由此实现二极管的数据处理。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种应用于智能手机主板上面的二极管，其特征在于：包括N正极半导体、半导体组件、外层面上的负极电极，所述N正极半导体末端安装有N负极半导体；所述N负极半导体上端设置着半导体组件；所述半导体组件外部包裹着外层面上的负极电极；所述外层面上的负极电极镶嵌着外层面上的正极电极；所述外层面上的正极电极通过主体阴极部件连接着在阳极上分离的组件；所述在阳极上分离的组件下端设置着直线型传动部分；所述直线型传动部分外端面安装有圆弧曲线外壳部分；所述圆弧曲线外壳部分端面与阴极外壳內缘部分相连接；所述阴极外壳內缘部分内部设置着半导体组件；所述半导体组件上端安装有所述手机主板。
2.根据权利要求1所述的一种应用于智能手机主板上面的二极管，其特征在于：所述半导体组件设置在所述主体阴极部件内部；所述主体阴极部件上表面安装有所述在阳极上分离的组件；所述在阳极上分离的组件通过圆弧曲线外壳部分连接着所述阴极外壳內缘部分。
3.根据权利要求1所述的一种应用于智能手机主板上面的二极管，其特征在于：所述手机主板通过阴极外壳內缘部分与所述N负极半导体相连接；所述N负极半导体连接着所述N正极半导体；所述N正极半导体端面设置着所述外层面上的正极电极。
4.根据权利要求1所述的一种应用于智能手机主板上面的二极管，其特征在于：所述外层面上的负极电极设置着所述外层面上的正极电极；所述外层面上的正极电极连接着所述直线型传动部分；所述直线型传动部分安装在所述手机主板。
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