CN205428898U - 一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构，属于传感芯片领域。一种传感芯片表面的保护结构，包括传感芯片和至少一层薄膜片层，其中，所述薄膜片层贴合在所述传感芯片的表面。本实用新型实施例提供的一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构，通过薄膜片层贴合于传感芯片表面，使薄膜片层作为传感芯片的表面保护层，在保护芯片的同时外形美观，且能根据不同芯片产品的要求实现不同产品外观需求。

Description

一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构

技术领域

本实用新型涉及传感芯片，尤其涉及一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构。

背景技术

目前，现代消费类电子产品越做越薄，传感芯片的厚度尺寸也随之越做越薄。为了追求更薄的效果，传感芯片已不再是藏于结构件的表面之下，而必须做成外观结构件。

当前传感芯片的主流封装主要采用基板类封装，封装后传感芯片表面粗糙，没有做任何处理，且硬度和耐磨度不够，不能有效地保护传感芯片的表面，使传感芯片不能直接应用于外观结构上。

所以，有必要提供一种新的传感芯片表面的保护技术，以更有效地保护芯片表面，同时使传感芯片的外形更加美观。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是提供一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构,以解决目前传感芯片表面得到有效保护的同时，使传感芯片的外形更加美观。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下：

一种传感芯片表面的保护结构，包括封装后的传感芯片，该保护结构还包括至少一层薄膜片层，其中，所述薄膜片层贴合在所述传感芯片的表面,所述薄膜片层的面积必须覆盖所述传感芯片的面积。

优选地，所述薄膜片层为具有一定介电功能的无机物层或有机物层。

优选地，所述薄膜片层介电常数大于3。

优选地，所述薄膜片层中加入预设比例的金属粉末，形成薄膜金属层。

一种传感芯片的封装结构，包括封装后的传感器芯片和封装元件，所述封装结构还包括至少一层薄膜片层，其中，所述薄膜片层贴合在所述传感芯片的表面，所述薄膜片层的面积必须覆盖所述传感芯片的面积,所述封装元件包容封装所述传感芯片与所述薄膜片层于其中。

优选地，所述封装元件为露传感芯片开窗结构，所述传感芯片包含有焊线隐藏工艺。

优选地，所述封装元件为不露传感芯片的密封结构，所述封装元件的材料的介电常数为3以上。

优选地，所述薄膜片层为介电常数大于3的无机物层或有机物层。

优选地，所述薄膜片层中加入预设比例的金属粉末，形成薄膜金属层。

与现有技术相比，本实用新型实施例提供的一种传感芯片的封装结构及其表面的保护结构，通过薄膜片层贴合于传感芯片表面，使薄膜片层作为传感芯片的表面保护层，不易脱落，使传感芯片可以作为外观结构件，从而实现不同产品外观需求；且结合不同芯片产品对于外观有不同要求的情况下，可以通过变更薄膜片层的材质性能来保证传感芯片适应不同的需求。本实用新型的技术方案简单，成本低廉，在保护芯片的同时，外形美观，且确保传感芯片表面的一致性要求，满足芯片的质量，即使出现不良品，其返工方式简单只需将薄膜片取下即可更换，从而降低风险及不良率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种传感芯片表面的保护结构的示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种传感芯片表面的保护结构的分解图；

图3为本实用新型实施例提供的一种传感芯片的封装结构的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1和图2所示，本实用新型提供一种传感芯片表面的保护结构，包括：传感芯片10和至少一层薄膜片层20，其中：

该传感芯片10，能够在通电情况下产生信号，且实现一定目的的功能，如指纹感应；在本发明中，该传感芯片10为封装后的封装体，封装方法如栅格阵列封装(LandGridArray，LGA)、球栅阵列封装(BallGridArray，BGA)等。

薄膜片层20贴合在该传感芯片10的表面，与传感芯片10形成一个传感芯片组件。优选地，传感芯片10为电容型传感芯片。薄膜片层20为具有一定介电功能的无机物层或有机物层，介电常数大于3。该薄膜片层20的厚度至少大于20um。

进一步地，该薄膜片层20的形状不限，但其面积必须要覆盖该传感芯片10的表面积。例如：传感芯片的形状为矩形、圆形、椭圆形或其它形状时，该薄膜片层20的形状可以为与传感芯片形状相同的矩形、圆形、椭圆形或其它形状，也可以为与传感芯片形状不相同的图形，但要求其面积必须要覆盖该传感芯片10的表面积。

薄膜片层20还可以添加一定比例的其它物质形成薄膜混合层，例如为使薄膜片层20具有金属质感，可以在薄膜片层20中加入一定比例的金属粉末，形成薄膜金属层，使薄膜片层20具有金属质感，增强传感芯片组件的外观效果。又或者是加入一定比例的云母粉末。

本实用新型提供一种传感芯片表面的保护结构，以薄膜片层的贴合作为传感芯片的表面保护层，从而确保传感芯片的外观性能；传感芯片与薄膜片层的尺寸可以根据对应产品的外观结构要求，进行任意切割，从而满足不同产品的外观需求。

此外，本实用新型通过薄膜片层贴合于传感芯片，不易脱落；且在对不同芯片产品对于外观有不同要求的情况下，通过变更薄膜片层的材质，或者改变加入薄膜片层中的金属粉末材料，甚至调整金属粉末比例来保证传感芯片适应不同的需求。

如图3所示，本实用新型还提供一种传感芯片的封装结构，包括传感器芯片10、至少一层薄膜片层20和封装元件30，其中：

薄膜片层20贴合在传感芯片10的表面上，与传感芯片10形成一个传感芯片组件，封装元件30将传感芯片10和薄膜片层20封装包容其中，以封装保护传感芯片10。优选地，该传感芯片10为电容型传感芯片。

薄膜片层20为具有一定介电功能的无机物层或有机物层，介电常数大于3，厚度至少大于20um。

进一步地，该薄膜片层20的形状不限，但其面积必须要覆盖该传感芯片10的面积。例如：传感芯片的形状为矩形、圆形、椭圆形或其它形状时，该薄膜片层20的形状可以为与传感芯片形状相同的矩形、圆形、椭圆形或其它形状，也可以为与传感芯片形状不相同的图形，但要求其面积必须要覆盖该传感芯片10的表面积。

薄膜片层20还可以添加一定比例的其它物质形成薄膜混合层，例如为使薄膜片层20具有金属质感，可以在薄膜片层20中加入一定比例的金属粉末，形成薄膜金属层，使薄膜片层20具有金属质感，增强传感芯片组件的外观效果。又或者是加入一定比例的云母粉末。

作为本实用新型的实施例，封装元件30为塑封胶体，该塑封胶体包括上方露传感芯片开窗结构和不露传感芯片的密封结构。如果是密封结构，则对于该塑封胶体的介电常数要求是3以上。如果是开窗结构，则传感芯片10包含一定的焊线隐藏工艺，如挖槽或者TSV(ThroughSiliconVias，通过硅片通道)等。

以上参照附图说明了本实用新型的优选实施例，并非因此局限本实用新型的权利范围。本领域技术人员不脱离本实用新型的范围和实质，可以有多种变型方案实现本实用新型，比如作为一个实施例的特征可用于另一实施例而得到又一实施例。凡在运用本实用新型的技术构思之内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本实用新型的权利范围之内。

Claims (9)

1.一种传感芯片表面的保护结构，包括封装后的传感芯片，其特征在于，该保护结构还包括至少一层薄膜片层，其中，所述薄膜片层贴合在所述传感芯片的表面，所述薄膜片层的面积必须覆盖所述传感芯片的面积。

2.根据权利要求1所述的传感芯片表面的保护结构，其特征在于，所述薄膜片层为具有一定介电功能的无机物层或有机物层。

3.根据权利要求2所述的传感芯片表面的保护结构，其特征在于，所述薄膜片层介电常数大于3。

4.根据权利要求1所述的传感芯片表面的保护结构，其特征在于，所述薄膜片层为薄膜金属层。

5.一种传感芯片的封装结构，包括封装后的传感器芯片和封装元件，其特征在于，所述封装结构还包括至少一层薄膜片层，其中，所述薄膜片层贴合在所述传感芯片的表面，所述薄膜片层的面积必须覆盖所述传感芯片的面积，所述封装元件包容封装所述传感芯片与所述薄膜片层于其中。

6.根据权利要求5所述的传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装元件为露传感芯片开窗结构，所述传感芯片包含有焊线隐藏工艺。

7.根据权利要求5所述的传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装元件为不露传感芯片的密封结构，所述封装元件的材料的介电常数为3以上。

8.根据权利要求5所述的传感芯片的封装结构，其特征在于，所述薄膜片层为介电常数大于3的无机物层或有机物层。

9.根据权利要求5所述的传感芯片的封装结构，其特征在于，所述薄膜片层为薄膜金属层。