CN205247020U - 显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种显示基板和显示装置。该显示基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元，每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极，所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。本实施例中，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
液晶显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示领域，液晶显示技术主要分成平行电场技术和垂面电场技术两大类，平行电场技术是指液晶显示装置中的电场方向平行于衬底基板，垂面电场技术是指液晶显示装置中的电场方向垂直于衬底基板。
对于大尺寸广视角的液晶显示装置，垂面电场技术得到了广泛应用。目前广视角技术的显示装置中的像素单元一般包含两个亚像素电极，亚像素电极可以包括插指电极或狭缝电极，由于相邻的插指电极或狭缝电极边缘电场的方向不一致，因此在插指电极或狭缝电极的边缘电场作用下，液晶分子的排列会偏离预定的取向方向，从而造成漏光。
实用新型内容
本实用新型提供一种显示基板和显示装置，用于避免漏光现象。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种显示基板，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元，每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极，所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。
可选地，所述遮光图形包括第一遮光部；
所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部，所述第一遮光部与所述间隙的端部重叠；和/或
所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部的周边区域，所述第一遮光部与所述间隙的端部的周边区域重叠。
可选地，所述第一遮光部包括沿所述数据线方向设置的分支部。
可选地，所述第一遮光部还包括与所述分支部连接的且顶部朝向所述间隙突出设置的突出部。
可选地，所述分支部上与所述突出部对应的位置朝向所述间隙内凹设置，或者，所述分支部上与所述突出部对应的位置背向所述间隙突出设置。
可选地，所述突出部的形状为梯形或者三角形。
可选地，所述突出部的中心线和所述间隙的中心线重合。
可选地，所述分支部和所述数据线重叠设置。
可选地，所述突出部与所述间隙两侧的第一亚像素电极和第二亚像素电极重叠。
可选地，所述显示单元的第一亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极，分支电极之间形成有狭缝；所述显示单元的第二亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极，分支电极之间形成有狭缝；所述遮光图形包括第二遮光部；
所述预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部，所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部重叠；和/或
所述预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域，所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域重叠。
可选地，所述两个交叉设置的根茎部包括沿所述数据线设置的根茎部和沿所述栅线设置的根茎部；
当预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部时，所述第二遮光部与沿所述数据线设置的根茎部的远离所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部重叠；或者，
当预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域时，所述第二遮光部与沿所述数据线设置的根茎部的远离所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部的周边区域重叠。
可选地，所述第二遮光部的形状为梯形或者三角形。
可选地，所述显示基板还包括公共电极线，所述公共电极线位于像素单元中的所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间且位于相邻栅线之间，所述分支部为从所述公共电极线延伸出的图形。
可选地，所述显示基板还包括公共电极线，所述公共电极线位于像素单元中的所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间且位于相邻栅线之间，所述第二遮光部为从所述公共电极线延伸出的图形。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种显示装置，包括：相对设置的对置基板和上述显示基板。
本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型提供的显示基板和显示装置的技术方案中，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。
附图说明
图1为本实用新型实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为图1中A-A向剖视图；
图3为图1中B-B向剖视图；
图4为本实用新型实施例二提供的一种显示基板的结构示意图；
图5为本实用新型实施例三提供的一种显示基板的结构示意图；
图6为本实用新型实施例四提供的一种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的显示基板和显示装置进行详细描述。
图1为本实用新型实施例一提供的一种显示基板的结构示意图，图2为图1中A-A向剖视图，图3为图1中B-B向剖视图，如图1、图2和图3所示，该显示基板包括：衬底基板1和位于衬底基板1上方的栅线10i、数据线30j和像素单元，每个像素单元中设置有第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j，栅线10i位于第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j之间。其中，i、j均为正整数。本实施例中，栅线横向设置，数据线纵向设置，则栅线10i表示第i行栅线，数据线30j表示第j列数据线，第一亚像素电极PAi,j表示第i行第j列第一亚像素电极，第二亚像素电极PBi,j表示第i行第j列第二亚像素电极。相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，显示单元中的预设区域包括遮光图形。如图1所示，例如：相邻的栅线10i、栅线10i-1和相邻的数据线30j、数据线30j+1围成显示单元，该显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极PAi,j和相邻的像素单元中的第二亚像素电极PBi-1,j。
本实施例中，预设区域为发生漏光的区域。而在预设区域设置遮光区域，可起到挡光作用，从而避免漏光现象。
本实施例中，显示基板还包括公共电极线90，公共电极线90位于像素单元中的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j之间且位于相邻栅线10i、10i-1之间。优选地，公共电极线90和栅线10i同层设置。
本实施例中，第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j沿数据线方向交替排列。
本实施例中，第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j可以相同或者不同。当第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j相同时，二者的面积和形状均相同；当第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j不同时，二者的面积不相同和/或形状不相同。
本实施例中，第一亚像素电极PAi,j为具有边缘插指电极的板状电极(plateelectrode)。第一亚像素电极PAi,j包括板状电极50a和插指电极50b，插指电极50b位于板状电极50a的边缘，具体地，插指电极50b位于板状电极50a的四个顶角处，插指电极50b之间设置有狭缝50c，狭缝50c将插指电极50b分隔开。本实施例中，第二亚像素电极PBi,j为具有边缘插指电极的板状电极。第二亚像素电极PBi,j包括板状电极60a和插指电极60b，插指电极60b位于板状电极60a的边缘，具体地，插指电极60b位于板状电极60a的四个顶角处，插指电极60b之间设置有狭缝60c，狭缝60c将插指电极60b分隔开。具有边缘电场的插指电极可应用于掺杂有手性剂的负性液晶垂面排列显示，处于公共电极和像素电极之间的负性液晶分子在没有加电时处于垂面排列状态以及在加电时处于扭曲状态。
本实施例中，遮光图形包括第一遮光部，预设区域包括显示单元中的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j之间的间隙PEG的端部，第一遮光部与间隙PEG的端部重叠，优选地，第一遮光部可位于间隙PEG的端部的下方。其中，间隙PEG指的是显示单元中的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j轮廓之间的间隙，间隙PEG具有两个端部，一个为靠近数据线30j的左端部，另一个为靠近数据线30j+1的右端部。端部均包括相邻的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j的边缘处。由于间隙PEG具备两个端部，因此第一遮光部的数量为两个，两个第一遮光部分别为第一遮光部101和第一遮光部102，其中第一遮光部101位于左端部的下方，第一遮光部102位于右端部的下方。在实际应用中，第一遮光部还可以位于间隙PEG的端部区域的上方，此种情况不再具体画出。
本实施例中，第一遮光部101包括沿数据线方向设置的分支部1011。优选地，第一遮光部101和公共电极线90同层设置。优选地，分支部1011为从公共电极线90延伸出的图形。在实际应用中，可选地，分支部还可以为不与公共电极线90连接的图形，而是一个单独设置的图形，此种情况不再具体画出。优选地，第一遮光部101还包括与分支部1011连接的且顶部朝向间隙PEG突出设置的突出部1012。其中，突出部1012为梯形结构。在实际应用中，突出部1012还可以为其他形状的结构，例如：突出部1012的形状为三角形、半圆形或其它不规则形状，此种情况不再具体画出。优选地，分支部1011和突出部1012一体成型。需要说明的是：分支部1011和突出部1012之间的虚线仅为更清楚的画出两个结构，不是实际的结构。
本实施例中，第一遮光部102包括沿数据线方向设置的分支部1021。优选地，第一遮光部102和公共电极线90同层设置。优选地，分支部1021为从公共电极线90延伸出的图形。在实际应用中，可选地，分支部还可以为不与公共电极线90连接的图形，而是一个单独设置的图形，此种情况不再具体画出。优选地，第一遮光部102还包括与分支部1021连接的且顶部朝向间隙PEG突出设置的突出部1022。其中，突出部1022为梯形结构。在实际应用中，突出部1022还可以为其他形状的结构，例如：突出部1022的形状为三角形、半圆形或其它不规则形状，此种情况不再具体画出。优选地，分支部1021和突出部1022一体成型。需要说明的是：分支部1021和突出部1022之间的虚线仅为更清楚的画出两个结构，不是实际的结构。
突出部1012与间隙PEG对应设置，优选地，突出部1012的中心线和间隙PEG的中心线重合，突出部1012具有对称形状，因此突出部1012的对称中心线和间隙PEG的中心线重合。突出部1022与间隙PEG对应设置，优选地，突出部1022的中心线和间隙PEG的中心线重合，突出部1022具有对称形状，因此突出部1022的对称中心线和间隙PEG的中心线重合。
分支部和数据线未重叠设置或者重叠设置，其中，分支部和数据线在宽度方向上可部分重叠设置或者全部重叠。可选地，位于右端部下方的分支部1021可以与数据线30j+1重叠设置或者未重叠设置，位于左端部下方的分支部1011可以与数据线30j重叠设置或者未重叠设置。本实施例中，分支部1011和数据线30j未重叠设置以及分支部1021与数据线30j+1未重叠设置。
本实施例中，突出部1012伸入间隙PEG中，突出部1022伸入间隙PEG中。在实际应用中，突出部还可以不伸入间隙中，此种情况不再具体画出。
当突出部伸入间隙中时，突出部与间隙PEG两侧的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j重叠，具体地，突出部1012位于间隙PEG两侧的第一亚像素电极PAi,j的插指电极50b和第二亚像素电极PBi-1,j的插指电极60b的下方，突出部1022位于间隙PEG两侧的第一亚像素电极PAi,j的插指电极50b和第二亚像素电极PBi-1,j的的插指电极60b的下方。在实际应用中，突出部与间隙PEG两侧的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j还可以不重叠，此种情况未具体画出。
如图1和图2所示，每个像素单元中设置有第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，第一亚像素电极PAi,j通过第一薄膜晶体管T1和数据线30j连接，第二亚像素电极PBi,j通过第一薄膜晶体管T2和数据线30j+1连接，其中，数据线30j和数据线30j+1相邻设置。如图2所示，以第一薄膜晶体管T1为例，第一薄膜晶体管T1包括栅极10a、有源层20、源极31、漏极33，栅极10a位于衬底基板1上，栅极10a与栅线10i连接且一体成型，栅线10i与栅极10a之上设置有栅绝缘层15，栅绝缘层15覆盖整个衬底基板1，有源层20位于栅绝缘层15之上且位于栅极10a的上方，源极31和漏极33位于有源层20之上且与有源层20连接，源极31和漏极33同层设置，源极31还与数据线30j连接且一体成型，源极31和漏极33之上设置有钝化层35，钝化层35覆盖整个衬底基板1，钝化层35上开设有过孔40，过孔40位于漏极33之上，亚像素电极连接结构103填充于过孔40中且与漏极33接触，亚像素电极连接结构103和第一亚像素电极PAi,j连接且一体成型，因此第一亚像素电极PAi,j通过亚像素电极连接结构103与漏极33连接。
如图1和图3所示，分支部1011和分支部1012位于衬底基板1之上，栅绝缘层15位于分支部1011和分支部1012,之上，数据线30j和数据线30j+1位于栅绝缘层15之上，分支部1011靠近数据线30j，分支部1012靠近数据线30j+1，钝化层35位于数据线30j和数据线30j+1之上，第一亚像素电极PAi,j位于钝化层35之上。
如图1所示，在间隙PEG的端部，第一亚像素电极PAi,j的插指电极和第二亚像素电极PBi-1,j的插指电极的排列方向不一致，导致间隙PEG的端部漏光，本实施例中第一遮光部与间隙PEG的端部重叠，该第一遮光部对端部起到挡光作用，避免了在二者的插指电极的边缘电场的作用下液晶分子的排列偏离预定的取向方向而导致的漏光问题，从而避免了漏光现象。第一遮光部中，分支部为从公共电极线延伸出的图形，从而能够很好的避免漏光现象；分支部上还设置有突出部，从而能够进一步避免漏光现象。
在实际应用中，可选地，在间隙PEG的端部，第一亚像素电极PAi,j的插指电极和第二亚像素电极PBi-1,j的插指电极的排列方向不一致，会导致间隙PEG的端部的周边区域漏光，此时预设区域包括显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部的周边区域，第一遮光部与所述间隙的端部的周边区域重叠，该第一遮光部对端部的周边区域起到挡光作用，避免了在二者的插指电极的边缘电场的作用下液晶分子的排列偏离预定的取向方向而导致的漏光问题，从而避免了漏光现象。此种情况不再具体画出。
在实际应用中，可选地，在间隙PEG的端部，第一亚像素电极PAi,j的插指电极和第二亚像素电极PBi-1,j的插指电极的排列方向不一致，会导致间隙PEG的端部和该间隙PEG的端部的周边区域均漏光，此时预设区域可包括显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部和该间隙的端部的周边区域，第一遮光部与所述间隙的端部和间隙的端部的周边区域均重叠，该第一遮光部对端部和端部的周边区域起到挡光作用，避免了在二者的插指电极的边缘电场的作用下液晶分子的排列偏离预定的取向方向而导致的漏光问题，从而避免了漏光现象。
本实施例提供的显示基板中，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。
图4为本实用新型实施例二提供的一种显示基板的结构示意图，如图4所示，该显示基板与上述实施例一的区别在于：本实施例中分支部上与突出部对应的位置朝向间隙内凹设置。
分支部1011上与突出部1012对应的位置朝向间隙PEG内凹设置，分支部1021上与突出部1022对应的位置朝向间隙PEG内凹设置。
对其余结构的描述可参见上述实施例一，此处不再重复描述。
本实施例提供的显示基板中，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。
图5为本实用新型实施例三提供的一种显示基板的结构示意图，如图5所示，该显示基板与上述实施例一的区别在于：本实施例中分支部上与突出部对应的位置背向间隙突出设置。
分支部1011上与突出部1012对应的位置背向间隙PEG突出设置，分支部1021上与突出部1022对应的位置背向间隙PEG突出设置。
对其余结构的描述可参见上述实施例一，此处不再重复描述。
本实施例提供的显示基板中，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。
图6为本实用新型实施例四提供的一种显示基板的结构示意图，如图6所示，该显示基板与上述实施例一的区别在于：本实施例中显示单元的第一亚像素电极PAi,j包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极70c，分支电极70c之间形成有狭缝70d，其中，两个交叉设置的根茎部包括沿数据线设置的根茎部和沿栅线设置的根茎部，本实施例中，两个交叉设置的根茎部分别为根茎部70a和根茎部70b，其中，根茎部70a沿栅线横向设置，根茎部70b沿数据线纵向设置，狭缝70d将分支电极70c分隔开。遮光图形包括第二遮光部102，预设区域包括至少一个根茎部的至少一个端部，第二遮光部102与至少一个根茎部的至少一个端部重叠。如图6所示，第二遮光部102的数量为一个，第二遮光部102与沿数据线30j设置的根茎部70b的远离显示单元中的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j之间的间隙PEG的一个端部重叠，优选地，第二遮光部102位于沿数据线30j设置的根茎部70b的远离间隙PEG的端部的下方。在实际应用中，根茎部70b的靠近间隔PEG的一个端部也可以与第二遮光部102重叠，以及根茎部70a的两个端部也可以与第二遮光部102重叠，上述情况不再具体画出。
优选地，第二遮光部102为从公共电极线90延伸出的图形。在实际应用中，可选地，第二遮光部102可以为不与公共电极线90连接的图形，而是一个单独设置的图形，此种情况不再具体画出。
本实施例中，显示单元的第二亚像素电极PBi,j包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极80c，分支电极80c之间形成有狭缝80d，其中，两个交叉设置的根茎部分别为根茎部80a和根茎部80b，其中，根茎部80a横向设置，根茎部80b纵向设置，狭缝80d将分支电极80c分隔开。
本实施例中，第一亚像素电极PAi,j为精细狭缝电极(fineslitelectrode)，第二亚像素电极PBi,j为精细狭缝电极。精细狭缝电极可以用于聚合物稳定的垂面排列显示(PolymerStabilizedVerticalAlignment，简称：PSVA)，负性液晶中掺杂有紫外光可聚合的介晶单体，处于公共电极和像素电极之间的负性液晶分子在没有加电时处于垂面排列状态，加电时处于倾斜排列状态，使用紫外光照射掺杂有紫外光可聚合的介晶单体的负性液晶，介晶单体发生聚合反应，使负性液晶分子获得预定的倾角。
本实施例中，在根茎部的端部，设置于该根茎部两侧的分支电极的排列方向不一致，导致根茎部的端部漏光，本实施例中第二遮光部与根茎部的端部重叠，该第二遮光部对端部起到挡光作用，避免了在两侧的分支电极的边缘电场的作用下液晶分子的排列偏离预定的取向方向而导致的漏光问题，从而避免了漏光现象。第二遮光部为从公共电极线延伸出的图形，从而能够很好的避免漏光现象。
在实际应用中，可选地，在根茎部的端部，设置于该根茎部两侧的分支电极的排列方向不一致，导致根茎部的端部的周边区域漏光，此时预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域，所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域重叠，例如：所述第二遮光部与沿数据线设置的根茎部的远离显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部的周边区域重叠，该第二遮光部对端部的周边区域起到挡光作用，避免了在两侧的分支电极的边缘电场的作用下液晶分子的排列偏离预定的取向方向而导致的漏光问题，从而避免了漏光现象。第二遮光部为从公共电极线延伸出的图形，从而能够很好的避免漏光现象。此种情况不再具体画出。
在实际应用中，可选地，在根茎部的端部，设置于该根茎部两侧的分支电极的排列方向不一致，导致根茎部的端部和根茎部的端部的周边区域漏光，此时预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部和该端部的周边区域，所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部和该端部的周边区域重叠，该第二遮光部对端部和端部的周边区域起到挡光作用，避免了在两侧的分支电极的边缘电场的作用下液晶分子的排列偏离预定的取向方向而导致的漏光问题，从而避免了漏光现象。第二遮光部为从公共电极线延伸出的图形，从而能够很好的避免漏光现象。
本实施例提供的显示基板中，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。第二遮光部可对根茎部的端部和/或端部的周边区域起到遮光作用，从而进一步避免了漏光现象。
本实用新型实施例五提供了一种显示装置，该显示装置包括相对设置的对置基板和显示基板。
本实施例中，显示基板可采用上述实施例一、实施例二、实施例三或者实施例四所述的显示基板。
本实施例中，显示基板可以为阵列基板，对置基板可以为彩膜基板。
本实施例提供的显示装置中，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形，遮光图形对预设区域起到挡光作用，从而避免了漏光现象。
本实用新型实施例六提供了一种显示基板的制造方法，该方法包括：
步骤101、在衬底基板之上形成栅线、栅极、公共电极线和遮光图形。
具体地，在衬底基板之上溅射栅金属层，对栅金属层进行构图工艺形成栅线、栅极、公共电极线和遮光图形。其中，栅金属层的材料可包括Cu、Al、Mo、Ti、Cr或W等金属材料，也可以采用上述材料的合金；栅金属层可以采用单层结构，也可以采用多层结构，例如Mo\Al\Mo、Ti\Cu\Ti或者Mo\Ti\Cu。
步骤102、在完成步骤101的衬底基板之上形成栅绝缘层。
具体地，在完成步骤101的衬底基板之上沉积栅绝缘层。其中，栅绝缘层的材料可包括氮化硅或氧化硅；栅绝缘层可以是单层结构，也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅。
步骤103、在栅绝缘层之上形成有源层，有源层位于栅极的上方。
具体地，在栅绝缘层之上形成有源材料层，对有源材料层进行构图工艺形成有源层。其中，有源层的材料包括非晶硅，多晶硅、微晶硅或氧化物半导体，例如a-Si、n+a-Si或者IGZO。
步骤104、在完成步骤103的衬底基板之上形成数据线、源极和漏极。
具体地，在完成步骤103的衬底基板之上沉积源漏金属层，对源漏金属层进行构图工艺形成数据线、源极和漏极。其中，源漏金属层的材料可包括Cu、Al、Mo、Ti、Cr或W等金属材料，也可以采用上述材料的合金；源漏金属层可以采用单层结构，也可以采用多层结构，例如Mo\Al\Mo、Ti\Cu\Ti或者Mo\Ti\Cu。
步骤105、在完成步骤104的衬底基板之上形成度钝化层。
具体地，在完成步骤104的衬底基板之上沉积钝化层。其中，钝化层的材料可以为无机材料，例如氮化硅或者氧化硅；钝化层的材料可以为有机材料，例如：有机树脂材料。
步骤106、在钝化层上形成过孔，过孔位于漏极之上。
具体地，对钝化层进行构图工艺，在钝化层上形成过孔，以暴露出漏极。
步骤107、在完成步骤106的衬底基板之上形成第一亚像素电极、第二亚像素电极和亚像素电极连接结构。
具体地，在完成步骤106的衬底基板之上溅射导电材料层，对导电材料层进行构图工艺形成第一亚像素电极、第二亚像素电极和亚像素电极连接结构。其中，导电材料层的材料可包括透明金属氧化物，例如：ITO或者IZO。
本实施例中各步骤的执行顺序仅为一种示例，在实际应用中可根据显示基板中结构的改变对各步骤的执行顺序进行相应的变更，此处不再一一列举。
本实施例提供的显示基板的制造方法可用于制造上述实施例一、实施例二、实施例三或者实施例四提供的显示基板。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元，每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极，所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光图形包括第一遮光部；
所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部，所述第一遮光部与所述间隙的端部重叠；和/或
所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部的周边区域，所述第一遮光部与所述间隙的端部的周边区域重叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一遮光部包括沿所述数据线方向设置的分支部。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一遮光部还包括与所述分支部连接的且顶部朝向所述间隙突出设置的突出部。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述分支部上与所述突出部对应的位置朝向所述间隙内凹设置，或者，所述分支部上与所述突出部对应的位置背向所述间隙突出设置。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述突出部的形状为梯形或者三角形。
7.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述突出部的中心线和所述间隙的中心线重合。
8.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述分支部和所述数据线重叠设置。
9.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述突出部与所述间隙两侧的第一亚像素电极和第二亚像素电极重叠。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示单元的第一亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极，分支电极之间形成有狭缝；所述显示单元的第二亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极，分支电极之间形成有狭缝；所述遮光图形包括第二遮光部；
所述预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部，所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部重叠；和/或
所述预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域，所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域重叠。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述两个交叉设置的根茎部包括沿所述数据线设置的根茎部和沿所述栅线设置的根茎部；
当预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部时，所述第二遮光部与沿所述数据线设置的根茎部的远离所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部重叠；或者，
当预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域时，所述第二遮光部与沿所述数据线设置的根茎部的远离所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部的周边区域重叠。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二遮光部的形状为梯形或者三角形。
13.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括公共电极线，所述公共电极线位于像素单元中的所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间且位于相邻栅线之间，所述分支部为从所述公共电极线延伸出的图形。
14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括公共电极线，所述公共电极线位于像素单元中的所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间且位于相邻栅线之间，所述第二遮光部为从所述公共电极线延伸出的图形。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：相对设置的对置基板和权利要求1至14任一所述的显示基板。
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