CN205067930U - 一种半透半反液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半透半反液晶显示面板，包括具有显示区和非显示区的阵列基板，在显示区内具有一像素阵列，像素阵列包括若干个像素单元，每一像素单元至少包括平坦层及位于平坦层上的第一支撑柱；设置在非显示区内的若干个第二支撑柱，其在形成平坦层时同步制成；与阵列基板相对设置的彩膜基板，其包括与第一支撑柱对应的第一间隔柱及与第二支撑柱对应的若干个第二间隔柱；还包括密封胶，通过密封胶固定阵列基板和彩膜基板。该显示面板在不额外增加制程成本和流程的前提下，保证显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙完全一致，实现显示画面更均匀。

Description

一种半透半反液晶显示面板

技术领域

本实用新型涉及一种半透半反液晶显示面板。

背景技术

随着智能穿戴产品的兴起，半反半透式液晶显示面板应用越来越广泛。如图1、2所示，传统半反半透式液晶显示面板结构。图1结构中的阵列基板100’上平坦层110’在生产中存在膜厚上下限偏差，彩膜基板200’上用于支撑的间隔柱210’（PhotoSpacer）高度生产中同样存在高度上下限偏差，而在组装时，涂布密封胶300’时，其内设的硅球310’却无法根据生产膜厚偏差适时调整，导致阵列基板100’与彩膜基板200’贴合后显示屏显示区101’的中间区域与周边区域（介于显示区101’中间区域与非显示区102’之间的部分称为显示区101’的周边区域）液晶层间隙（CELLGap）不一致，造成点亮显示画面不均匀缺陷。图2结构中虽然排除了阵列基板100’上平坦层110’在生产中膜厚上下限偏差，但该结构密封胶300’厚度太小，阵列基板100’与彩膜基板200’贴合过程中密封胶300’扩展易喷射至显示面板内，造成液晶污染，且同样还因彩膜基板200’上用于支撑的PhotoSpacer高度生产中存在高度上下限偏差导致显示区101’中间区域与周边区域CELLGap不一致，造成点亮显示画面不均匀缺陷。

实用新型内容

为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种半透半反液晶显示面板，在不额外增加制程成本和流程的前提下，在非显示区内跟反射区内的平坦层同层完成与彩膜基板面用于支撑的第二间隔柱相对应的第二支撑柱，用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一支撑柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二支撑柱都处于相同的高度，使得显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙完全一致，实现显示画面更均匀，密封胶内无需添加硅球，解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种半透半反液晶显示面板，其包括：

一阵列基板，具有一显示区和围绕显示区的一非显示区；在显示区内具有一像素阵列；所述像素阵列包括若干个像素单元，每一像素单元至少包括平坦层及位于平坦层上的第一支撑柱；

若干个第二支撑柱，设置在所述非显示区内，其环绕所述显示区，该第二支撑柱在形成所述像素阵列的平坦层同步制成；

一彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；该彩膜基板包括与所述第一支撑柱对应的第一间隔柱及与所述第二支撑柱对应的若干个第二间隔柱；以及，

一密封胶，通过所述密封胶固定所述阵列基板和彩膜基板。

在本实用新型中，还包括一位于所述显示区内介于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

在本实用新型中，每一像素单元具有透射区和反射区，每一像素单元还包括：

栅电极，形成在阵列基板上；

第一绝缘层，形成在所述栅电极及阵列基板上；

有源层，形成于所述栅电极上方的第一绝缘层上；

源电极和漏电极，形成在所述有源层和第一绝缘之上，所述源电极和漏电极分别位于所述有源层的两端；

第二绝缘层，形成在所述源电极、漏电极和第一绝缘层之上；所述平坦层形成在所述反射区的第二绝缘层上；

像素电极，形成在所述平坦层和第二绝缘层上，与所述漏电极电连接；

反射电极，形成在所述反射区的像素电极上。

在本实用新型中，每一像素单元具有透射区和反射区，每一像素单元还包括：

栅电极，形成在阵列基板上；

第一绝缘层，形成在所述栅电极及阵列基板上；

有源层，形成于所述栅电极上方的第一绝缘层上；

源电极和漏电极，形成在所述有源层和第一绝缘之上，所述源电极和漏电极分别位于所述有源层的两端；

第二绝缘层，形成在所述源电极、漏电极和第一绝缘层之上；

像素电极，形成在所述第二绝缘层上，其与所述漏电极电连接；

所述平坦层形成在所述反射区的像素电极上；

反射电极，形成在所述平坦层上，其与所述像素电极电连接。

本实用新型具有如下有益效果：一种半透半反液晶显示面板在不额外增加制程成本和流程的前提下，在非显示区内跟反射区内的平坦层同层完成与彩膜基板面用于支撑的第二间隔柱相对应的第二支撑柱，用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一支撑柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二支撑柱都处于相同的高度，用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一间隔柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二间隔柱也处于相同的高度，则阵列基板和彩膜基板对应贴合后，使得显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙完全一致，实现显示画面更均匀，密封胶内无需添加硅球，解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题。

附图说明

图1为现有技术半透半反液晶显示面板的结构示意图；

图2为现有技术半透半反液晶显示面板的另一结构示意图；

图3a~3c为本实用新型一较佳半透半反液晶显示面板的制造流程示意图；

图4a~4j为图3a~3c进一步细化的制造流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。

请参考图3a至3c，其显示了本实用新型一较佳实施例中半透半反液晶显示面板的制造流程图，该制造流程在不增加制程及成本的情况下，可实现显示画面更均匀，且制造方便、工作效率高。请参考图3a，阵列基板100具有显示区101及围绕该显示区101的非显示区102，在所述显示区101内形成像素阵列；在阵列基板100的显示区101和非显示区102，通过对应MASK曝光、显影、固化形成平坦层170及平坦层170上的若干个第一支撑柱171和位于非显示区102的若干个第二支撑柱172；请参考图3b，彩膜基板200上在形成与所述第一支撑柱171对应的若干个第一间隔柱210时，同时形成了与所述第二支撑柱172对应的若干个第二间隔柱220，所述第一间隔柱210位于所述彩膜基板200的遮光区域内，所述第二间隔柱220位于所述彩膜基板200上的非显示区102内。请参考图3c，在所述阵列基板100和/或彩膜基板200上涂布密封胶300，所述阵列基板100和彩膜基板200相对贴合且通过所述密封胶300固定。当阵列基板100和彩膜基板200对位成盒时，第一间隔柱210与第一支撑柱171对应接触，第二间隔柱220与第二支撑柱172对应接触，由于第一间隔柱210和第二间隔柱220同时形成，其制程误差一致，第一支撑柱171和第二支撑柱172也同时形成，其制程误差也一致，则对位成盒后，第一间隔柱210与第一支撑柱171的高度之和与第二间隔柱220和第二支撑柱172的高度之和相一致，从而保证显示区101的中心区域与周边区域的液晶层间隙一致，以获得均匀的显示画面，解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题；同时，密封胶300内无需内设硅球，避免了现有技术中内设的硅球无法根据生产膜厚偏差适时调整的困扰。

以下对上述的制造流程进一步细化说明，但本领域普通技术人员应该知道，根据不同实际要求，构成的具体的像素阵列会有不同，以下举例的制造方法仅是较优的，但不局限于此。

该半透半反液晶显示面板的制造方法具体包括如下步骤：

步骤1、提供一阵列基板100，该阵列基板100为透光的玻璃或石英基板，或其他合适材料的基板；该阵列基板100具有非显示区102和显示区101，所述非显示区102围绕所述显示区101；所述显示区101内具有透射区和反射区；

步骤2、在阵列基板100上磁控溅射沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在阵列基板100的显示区101域内形成如图4a所示的栅电极110和栅极扫描线（图未显示）；该金属薄膜层的材料可为钼、钨、铬、铝、铜或其叠层或其他适当材料；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺；

步骤3、利用化学气相沉积方法在栅电极110和阵列基板100上沉积如图4b所示的第一绝缘层120，形成栅极绝缘层；所述绝缘层通常为氧化层，但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层；

步骤4、在完成步骤3的阵列基板100上，利用化学气相沉积方法沉积非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺在栅电极110的正上方的第一绝缘层120之上的非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜上形成如图4c所示的有源层130；

步骤5、在完成步骤4的阵列基板100上沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在有源层130上表面形成如图4d所示的源电极140和漏电极150，源电极140和漏电极150分别形成于有源层130上表面的两端，形成薄膜晶体管；该薄膜晶体管包括但不限于A-Si、LTPS、金属氧化物、有机TFT；该金属薄膜层的材料可为钼、钨、铬、铝、铜或其叠层或其他适当材料，还可以是具备反射性的金属薄膜；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺；

步骤6、在完成步骤5的阵列基板100上利用化学气相沉积方法沉积第二绝缘层160，如图4e所示的；所述绝缘层材料同上；

步骤7、在第二绝缘层160上通过化学沉积方法沉积一绝缘感光层，在阵列基板100的显示区101和非显示区102，通过对应MASK曝光、显影、固化形成位于所述阵列基板100的显示区101上的平坦层170及位于平坦层170上的若干个第一支撑柱171和位于非显示区102的若干个第二支撑柱172，如图4f所示；

具体实现时，在反射区内，经过MASK-A进行曝光、显影，形成平坦层170，未曝光部分形成第一支撑柱171；在透射区及非显示区内，通过MASK-B进行曝光、显影，将位于透射区膜层曝光去掉，位于非显示区102未曝光部分形成第二支撑柱172，所述若干个第二支撑柱172环绕所述显示区101；由于第一支撑柱171和第二支撑柱172均未曝光，则两者高度一致；较佳地，所述平坦层170优选位于薄膜晶体管上方。

步骤8、在第二绝缘层160和平坦层170上通过磁控溅射沉积电极薄膜，在电极薄膜上涂覆光刻胶，通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，形成如图4g所示的像素电极180，并通过过孔与漏电极150电连接；该电极薄膜的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌；

步骤9、在像素电极180上通过磁控溅射沉积金属薄膜层，再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺，在反射区的像素电极180上表面形成如图4h所示的金属反射电极190；该金属薄膜层的材料可为具有反射性的钼、钼合金、铝、铝合金、钛、银或其叠层或其他适当材料；构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺；

步骤10、提供一彩膜基板200，其与阵列基板100相对应具有显示区和非显示区，在显示区上形成一遮光图案层（图未显示），该遮光图案层将显示区101区分为多个透光区域和多个遮光区域；所述透光区域为阵列排布；

步骤11、在所述透光区域内形成彩色滤光层（图未显示），其包括多个红色滤光单元、多个绿色滤光单元以及多个蓝色滤光单元，三者以阵列方式分布在所述彩膜基板200上；

步骤12、在遮光图案层和彩色滤光层之上形成一透明公共电极，其电极材料可与上述像素电极180材料相同；

步骤13、在完成步骤12的彩膜基板200上沉积一层隔垫物层，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，在遮光图案层上形成如图4i所示的与所述第一支撑柱171对应的多个第一间隔柱210；在非显示区102上形成与所述第二支撑柱172对应的多个第二间隔柱220；所述第二间隔柱220环绕所述显示区101；

步骤14、在所述阵列基板100的非显示区102上涂布密封胶300，所述阵列基板100和彩膜基板200相对贴合后通过所述密封胶300固定。在所述非显示区102涂布密封胶300，将上述的阵列基板100和彩膜基板200对位贴合，即第一间隔柱210与第一支撑柱171对应接触支撑，第二间隔柱220与第二支撑柱172相对应接触支撑；通过所述密封胶300固定所述阵列基板100和彩膜基板200压合形成一半透半反液晶显示面板；在阵列基板100与彩膜基板200贴合过程中密封胶300扩展以包住或部分包住所述第二支撑柱172和第二间隔柱220于非显示区101内，如图4j所示。

需要说明的是，在所述阵列基板100和彩膜基板200经密封胶300固定贴合之前，还包括在所述显示区101内形成一液晶层的步骤。

值得注意的是，在非显示区上涂布密封胶300，可以是位于所述第二支撑柱172的内侧或外侧，或介于第二支撑柱172之间等等，所述密封胶300还可以涂布在所述彩膜基板200的非显示区上，位于所述第二间隔柱220的内侧或外侧，或介于第二间隔柱220之间等等。具体实现时，可根据实际情况进行选择涂布位置，以实现所述阵列基板100和彩膜基板200的密封固定。

需要说明的是，所述像素电极180还可根据实际需要在形成平坦层170之前形成，则所述反射电极形成在所述平坦层上，且与像素电极电连接。

作为优选地，通过曝光光积量将平坦层170表面处理成波浪形等的凹凸结构，以实现漫反射，提高反射效果，如图3c所示。

本实用新型还提供了一种半透半反液晶显示面板，如图3c所示，其包括：

一阵列基板100，所述阵列基板100具有一显示区101和围绕显示区101的一非显示区102；在显示区101内具有一像素阵列，所述像素阵列包括若干个像素单元，每一像素单元至少包括平坦层170及平坦层170上的第一支撑柱171；在非显示区102内形成若干个第二支撑柱172，其环绕所述显示区101；

与阵列基板100相对设置的彩膜基板200，所述彩膜基板200具有与所述像素阵列的第一支撑柱171对应的若干个第一间隔柱210及与所述第二支撑柱172对应的若干个第二间隔柱220；

密封胶300，涂布在所述阵列基板100和/或彩膜基板200上，所述阵列基板100和彩膜基板200相对贴合且通过所述密封胶300固定。在阵列基板100与彩膜基板200贴合过程中密封胶300扩展以包住或部分包住所述第二支撑柱和第二间隔柱于非显示区102内。

液晶层，填充在所述显示区101内，介于阵列基板100和彩膜基板200之间。

需要说明的是，所述像素阵列的结构没有特别的限制，其在形成平坦层170的同时形成位于平坦层170上的若干个第一支撑柱171和位于非显示区102的若干个第二支撑柱172即可。较佳地，如图4h所示，所述像素阵列包括：

形成在阵列基板100上的栅电极110和栅极扫描线；在所述栅电极110和栅极扫描线及阵列基板100上形成有第一绝缘层120；在位于所述栅电极110上方的第一绝缘层120上形成有有源层130；在所述有源层130和第一绝缘之上形成有源电极140和漏电极150以及数据扫描线，所述源电极140和漏电极150分别位于所述有源层130的两端，形成薄膜晶体管；在所述源电极140、漏电极150和第一绝缘层120之上形成有第二绝缘层160；相邻的栅极扫描线和数据扫描线交叉形成出若干个像素单元，每个像素单元包括透射区和反射区；位于所述反射区的第二绝缘层160上形成有平坦层170，位于该平坦层170上形成有若干个第一支撑柱171及位于非显示区102的第二绝缘层160上形成有若干个第二支撑柱172，其环绕所述显示区101；在所述平坦层170和第二绝缘层160上形成有像素电极180，其通过蚀刻过孔与所述漏电极150电连接；在所述反射区的像素电极180上方还形成有反射电极190。所述反射电极190的材料包括但不限定为金属铝、铝合金、钼、钼合金、银或钛等具备反射性和优良导电性的金属制造而成，具有很好的反射光线的特性，进而形成了反射区；而在阵列基板100上未设置栅电极110、有源层130以及反射层的透射区域形成了可透过背光源照射光线的透射区。

需要说明的是，所述像素电极180还可根据实际需要在形成平坦层170之前形成，则所述反射电极形成在所述平坦层上，且与像素电极电连接。

该薄膜晶体管包括但不限于A-Si、LTPS、金属氧化物、有机TFT；所述阵列基板100包括但不限定由石英基板或耐热性的玻璃基板等透光性基板构成，在本实施例中，优选采用透明玻璃基板；所述像素电极180包括但不限定为透明的ITO材料；所述绝缘层的材料包括但不限定为氧化硅或氮化硅或氧化硅和氮化硅叠层。

综上所述，在不额外增加制程成本和流程的前提下，在非显示区内跟反射区内的平坦层同层完成与彩膜基板面用于支撑的第二间隔柱相对应的第二支撑柱，用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一支撑柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二支撑柱同时形成具有相同的制作误差，用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一间隔柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二间隔柱也同时形成具有相同的制作误差，则阵列基板和彩膜基板对应贴合后，使得显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙完全一致，实现显示画面更均匀，密封胶内无需添加硅球，解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种半透半反液晶显示面板，其包括：

一阵列基板，具有一显示区和围绕显示区的一非显示区；在显示区内具有一像素阵列；所述像素阵列包括若干个像素单元，每一像素单元至少包括平坦层及位于平坦层上的第一支撑柱；

若干个第二支撑柱，设置在所述非显示区内，其环绕所述显示区，该第二支撑柱在形成所述平坦层时同步制成；

一彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；该彩膜基板包括与所述第一支撑柱对应的第一间隔柱及与所述第二支撑柱对应的若干个第二间隔柱；以及，

一密封胶，通过所述密封胶固定所述阵列基板和彩膜基板。

2.根据权利要求1所述的一种半透半反液晶显示面板，其特征在于，还包括一位于所述显示区内介于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

3.根据权利要求1所述的一种半透半反液晶显示面板，其特征在于，每一像素单元具有透射区和反射区，每一像素单元还包括：

栅电极，形成在阵列基板上；

第一绝缘层，形成在所述栅电极及阵列基板上；

有源层，形成于所述栅电极上方的第一绝缘层上；

源电极和漏电极，形成在所述有源层和第一绝缘之上，所述源电极和漏电极分别位于所述有源层的两端；

第二绝缘层，形成在所述源电极、漏电极和第一绝缘层之上；所述平坦层形成在所述反射区的第二绝缘层上；

像素电极，形成在所述平坦层和第二绝缘层上，与所述漏电极电连接；

反射电极，形成在所述反射区的像素电极上。

4.根据权利要求1所述的一种半透半反液晶显示面板，其特征在于，每一像素单元具有透射区和反射区，每一像素单元还包括：

栅电极，形成在阵列基板上；

第一绝缘层，形成在所述栅电极及阵列基板上；

有源层，形成于所述栅电极上方的第一绝缘层上；

源电极和漏电极，形成在所述有源层和第一绝缘之上，所述源电极和漏电极分别位于所述有源层的两端；

第二绝缘层，形成在所述源电极、漏电极和第一绝缘层之上；

像素电极，形成在所述第二绝缘层上，其与所述漏电极电连接；

所述平坦层形成在所述反射区的像素电极上；

反射电极，形成在所述平坦层上，其与所述像素电极电连接。