CN205050828U - 影像传感芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种影像传感芯片封装结构,包括:基底,具有第一面以及与所述第一面相背的第二面;位于所述第一面的影像传感区以及焊垫;位于所述第二面并向所述第一面延伸的开孔,所述开孔暴露出所述焊垫;包覆所述基底侧面的感光油墨;所述感光油墨覆盖所述开孔并在所述开孔中形成空腔;所述基底侧面具有倾斜侧壁,所述倾斜侧壁的一端与所述第二面交接,通过在开孔中形成空腔,有效避免了再布线层与焊垫脱离的情况,提升了影像传感芯片的封装良率,提高了影像传感芯片封装结构的信赖性。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及晶圆级半导体芯片的封装方法。
背景技术
现今主流的半导体芯片封装技术是晶圆级芯片尺寸封装技术(WaferLevelChipSizePackaging,WLCSP),是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品芯片尺寸与单个晶粒尺寸差不多,顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。晶圆级芯片尺寸封装技术是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。
请参考图1,公开一种晶圆级影像传感芯片的封装结构,晶圆1与保护基板2对位压合,支撑单元3位于晶圆1与保护基板2之间使两者之间形成间隙,避免保护基板2与晶圆1直接接触,晶圆1包括多颗网格状排布的影像传感芯片10,影像传感芯片10包括影像传感区11以及焊垫12,多个支撑单元3网格状排布于保护基板2上且与影像传感芯片10对应,当保护基板2与晶圆1对位压合后,支撑单元3包围影像传感区11,晶圆1具有第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面,影像传感区11以及焊垫12位于晶圆的第一表面侧。
为了实现焊垫12与其他电路电连接,在晶圆1的第二表面侧设置有朝向第一表面延伸的开孔22,开孔22与焊垫12对应且开孔22的底部暴露出焊垫12,在开孔22的侧壁设置有绝缘层23,绝缘层23上以及开孔22的底部设置有再布线层24,再布线层24与焊垫12电连接,焊球25与再布线层24电连接,通过焊球25电连接其他电路实现焊垫12与其他电路之间形成电连接。
为了便于将封装完成的影像传感芯片切割下来,于晶圆1的第二表面设置有朝向第一表面延伸的切割槽21。
在向晶圆1的第二表面排布焊球25之前,需要涂布防焊油墨26,通常在切割槽21以及开孔22中也填充了防焊油墨26以达到保护、绝缘的效果。
然而,由于防焊油墨26填满开孔22,在后续的回流焊以及信赖性测试中,防焊油墨26的热胀冷缩形成作用于再布线层24的力,在这种力的拉扯下,再布线层24容易与焊垫12脱离,导致不良,成为本领域技术人员噬待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型解决的问题是通过本实用新型提供的晶圆级影像传感芯片封装方法以及影像传感芯片封装结构,消除再布线层与焊垫脱离的情况,解决不良,提高影像传感芯片封装结构的信赖性。
为解决上述问题,本实用新型提供一种影像传感芯片封装结构,包括:基底,具有第一面以及与所述第一面相背的第二面;位于所述第一面的影像传感区以及焊垫;位于所述第二面并向所述第一面延伸的开孔,所述开孔暴露出所述焊垫;包覆所述基底侧面的感光油墨;所述感光油墨覆盖所述开孔并在所述开孔中形成空腔;所述基底侧面具有倾斜侧壁,所述倾斜侧壁的一端与所述第二面交接。
优选的,所述基底侧面还具有竖直侧壁,所述竖直侧壁的一端与所述倾斜侧壁交接,另一端与所述基底的第一面交接。
优选的,所述倾斜侧壁的另一端与所述基底的第一面交接。
优选的,所述倾斜侧壁到所述基底第二面的角度的范围是40°至85°。
优选的,所述感光油墨的粘度不小于12Kcps。
优选的,所述封装结构还包括:与所述基底第一面对位压合的保护基板;位于所述保护基板与所述基底之间的支撑单元,所述支撑单元包围所述影像传感区;所述感光油墨包覆至少部分所述支撑单元的侧面;位于所述开孔侧壁以及所述基底第二面的绝缘层;位于所述绝缘层上以及开孔底部的再布线层,所述再布线层与所述焊垫电连接;所述感光油墨覆盖所述再布线层,且在所述感光油墨上设置有通孔,所述通孔暴露出所述再布线层;通孔中设置有焊球,所述焊球与所述再布线层电连接。
优选的,所述绝缘层为有机绝缘层。
优选的,所述封装结构还包括:与所述基底第一面对位压合的保护基板;位于所述保护基板与所述基底之间的支撑单元,所述支撑单元包围所述影像传感区;所述感光油墨包覆至少部分所述支撑单元的侧面;位于所述开孔侧壁以及所述基底第二面的绝缘层;位于所述绝缘层上以及开孔底部的再布线层,所述再布线层与所述焊垫电连接;所述感光油墨覆盖所述再布线层,且在所述感光油墨上设置有通孔,所述通孔暴露出所述再布线层;通孔中设置有焊球,所述焊球与所述再布线层电连接;对应焊球位置,位于绝缘层与再布线层之间的缓冲层。
优选的,所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。
优选的,所述缓冲层为光阻缓冲层。
本实用新型的有益效果是在开孔中形成空腔,有效避免了再布线层与焊垫脱离的情况,提升了影像传感芯片的封装良率,提高了影像传感芯片封装结构的信赖性。
附图说明
图1为现有技术中晶圆级影像传感芯片的封装结构示意图;
图2晶圆级影像传感芯片的结构示意图;
图3为晶圆级影像传感芯片封装结构的剖面示意图;
图4至图11为本实用新型晶圆级影像传感芯片封装方法的示意图;
图12为本实用新型一实施例单颗影像传感芯片封装结构示意图;
图13为本实用新型另一实施例单颗影像传感芯片封装结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
现有技术中防焊油墨填充开孔,使得防焊油墨与再布线层完全接触,导致在后续的回流焊以及信赖性测试中,防焊油墨的收缩膨胀形成的力拉扯再布线层,容易使再布线层与焊垫脱离。
为解决上述问题,本实用新型通过在开孔中形成空腔,使防焊油墨不与开孔底部的布线层接触,能够有效防止再布线层与焊垫脱离。
请参考图2,为晶圆级影像传感芯片的结构示意图,晶圆100具有多颗网格排布的影像传感芯片110,在影像传感芯片110之间预留有空隙,后续完成封装工艺以及测试之后,沿空隙分离影像传感芯片。
每一影像传感芯片110具有影像传感区111以及多个焊垫112,焊垫112位于影像传感区111的侧边且与影像传感区111位于晶元100的同一表面侧。
请参考图3,为本实用新型一实施例晶圆级影像传感芯片封装结构的剖面示意图。保护基板200的其中一面设置有网格排布的多个支撑单元210,当晶圆100与保护基板200对位压合后,支撑单元210位于晶圆100与保护基板200之间使两者之间形成间隙,且支撑单元210与影像传感芯片110一一对应,支撑单元210包围影像传感区111。
晶圆100具有第一表面101以及与第一表面101相背的第二表面102,影像传感区111以及焊垫112位于第一表面101侧,在晶圆的第二表面102具有朝向第一表面101延伸的V型切割槽103以及开孔113,每一开孔113与每一焊垫112的位置对应,且开孔113的底部暴露出焊垫112。
利用再布线层115以及焊球116方便焊垫112与其他线路连接,具体的,开孔113的侧壁以及晶圆100的第二表面102具有绝缘层114,在绝缘层114上以及开孔113的底部形成再布线层115,再布线层115与焊垫112电连接,且在晶圆100的第二表面102上设置有焊球116,焊球116与再布线层115电连接,通过焊球116电连接其他电路实现焊垫112与其他电路之间形成电连接。
V型切割槽103内充满感光油墨117,且感光油墨117覆盖开孔113且在开孔113中形成空腔119,感光油墨117上具有通孔,通孔暴露出再布线层115,焊球116位于通孔内并与再布线层115电连接。
对应的,为了在V型切割槽103中充满感光油墨117且在开孔113中形成空腔119,具体的封装工艺如下。
提供晶圆100,晶圆100的结构示意图请参考图1;
提供保护基板200,在保护基板200的其中一面有网格排布的多个支撑单元210,于本实施例中,支撑单元210的材质为感光油墨,通过曝光显影的方式形成于保护基板200的其中一面。
请参考图4,将晶圆100与保护基板200对位压合,利用粘合胶将晶圆100与保护基板200粘合,支撑单元210位于晶圆100与保护基板200之间,三者包围形成多个网格排布的密封空间。每一密封空间对应一个影像传感芯片110,支撑单元210包围影像传感芯片110的影像传感区111。
请参考图5,对晶圆100的第二表面102进行研磨减薄。减薄前晶圆100的厚度为D,减薄后晶圆100的厚度为d。
请参考图6,利用刻蚀工艺在晶圆100的第二表面102同时刻蚀出朝向晶圆100第一表面101延伸的V型切割槽103以及开孔113。开孔113底部暴露出焊垫112。于本实施例中,V型切割槽103与开孔113的深度相同。当然,于此步骤中也可以仅仅刻蚀出开孔113而不刻蚀出V型切割槽103。
请参考图7(a),从晶圆100的第二表面102朝向第一表面101的方向,利用切刀沿V型切割槽103切割,直至切透晶圆100的第一表面101,即切刀切入支撑单元210一部分。由于晶圆100的材质较脆,韧性、延展性较差,切刀采用硬度较大的刀,如金属刀。且切刀的切割宽度h小于V型切割槽103靠近第二表面102的开口的宽度H,如此,V型切割槽103保留了部分倾斜侧壁1031。由于倾斜侧壁1031,对后续工艺中涂布的感光油墨117具有引流作用,使得感光油墨117更容易充满V型切槽103。
请参考图7(b),于本实用新型的另一实施例中,可以直接采用切刀从晶圆100的第二表面102沿空隙切割出V型切割槽103’,切刀切透晶圆100的第一表面101,即切刀切入支撑单元210一部分。如此,直接通过切刀切割形成具有倾斜侧壁1031’的V型槽103’,倾斜侧壁1031’,对后续工艺中涂布的感光油墨117具有引流作用,使得感光油墨117更容易充满V型切槽103’。
请参考图8(a),在晶圆100的第二表面102、开孔113的侧壁和底部以及V型切割槽103的内壁形成绝缘层114,于本实施例中,绝缘层114为有机绝缘材料,具有绝缘以及一定的柔性,采用喷涂或者旋涂工艺形成绝缘层114,然后通过镭射或者曝光显影的方式暴露出焊垫112。
请参考图8(b),于本实用新型的另一实施例中,可以在晶圆100的第二表面102、开孔113的侧壁和底部以及V型切割槽103的内壁沉积绝缘层114’,绝缘层114’的材质为无机材料,通常为二氧化硅。由于二氧化硅抗冲击能力不如有机绝缘材料114,还需要通过曝光显影工艺在晶圆101的第二表面形成缓冲层1140以方便后续上焊球,然后采用刻蚀工艺刻蚀掉开孔113底部的绝缘层露出焊垫112。
请参考图9,在绝缘层114(或者绝缘层114’)上形成再布线层115,再布线层115与焊垫112电连接。
本实用新型关键要在V型切割槽103充满感光油墨,而在开孔113中形成空腔119使感光油墨不接触开孔113底部,避免感光油墨充满开孔113。
通过降低感光油墨的粘度容易使感光油墨充满切割槽,通过提高感光油墨的粘度使感光油墨不容易填充至开孔的下半部分,这是本实用新型所要解决的冲突点。
本实用新型通过将切割槽设计成具有倾斜侧壁的切割槽方便将粘度较高的感光油墨引流至切割槽的下半部分,使感光油墨能够充满切割槽而不能充满开孔并在开孔中形成空腔。很好的解决了冲突点。
请参考图10,在晶圆100的第二表面102涂布感光油墨117,使感光油墨117充满V型切割103、覆盖开孔113并在开孔113中形成空腔119。
本实用新型优选的采用粘度不小于12Kcps的感光油墨。
于本实施例中采用旋涂工艺在晶圆100的第二表面102涂布感光油墨117,可以根据感光油墨的粘度并调整旋涂速率可以使感光油墨117充满V型切割103、覆盖开孔113并在开孔113中形成空腔119。
感光油墨117形成阻焊层,方便后续上焊球工艺,起阻焊、保护芯片的作用。
为了方便后续上焊球,需要在感光油墨117对应再布线层115的位置形成通孔,具体的,通过从晶圆100第二表面102整面涂布感光油墨117,再固化、曝光显影工艺形成通孔,通孔暴露出再布线层115。当然,也可以通过丝网印刷的方式将第二感光油118墨涂布至晶圆100的第二表面102且形成暴露再布线层115的通孔。
请参考图11,采用上焊球工艺,在通孔中形成焊球116使焊球116与再布线层115电连接。
最后,沿V型切割槽103从晶圆100的第二表面102朝向晶圆100的第一表面101切割晶圆100以及保护基板200,得到单颗的影像传感芯片封装结构。
请参考图12,单颗影像传感芯片封装结构包括从晶圆100上切割得到的基底310,其具有第一面301以及与第一面301相背的第二面302,影像传感区111以及焊垫112位于第一面301,开口113以及焊球116位于第二面302,基底310的侧面被感光油墨117包覆。
于本实施例中,基底310的侧面包括倾斜侧壁311以及竖直侧壁312,倾斜侧壁311的一端与第二面302交接,另一端与竖直侧壁312交接,竖直侧壁312的另一端与第一面301交接。
于另一实施例中,请参考图13,基底310’具有倾斜侧壁311’,其一端与第二面302交接,另一端与第一面301交接。
优选的,倾斜侧壁311(或者倾斜侧壁311’)到基底310第二面302的角度的范围是40°至85°。
基底310的侧面以及支撑单元210的部分侧壁被感光油墨117包覆。
当绝缘层114为有机绝缘材料时,再布线层115与绝缘层114之间对应焊球116的位置可以不设置缓冲层1140。
当绝缘层114’为无机材料时,再布线层115与绝缘层114之间对应焊球116的位置设置有缓冲层1140,缓冲层1140为光阻材料,可以采用曝光显影工艺形成。
应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本实用新型的保护范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种影像传感芯片封装结构,包括:
基底,具有第一面以及与所述第一面相背的第二面;
位于所述第一面的影像传感区以及焊垫;
位于所述第二面并向所述第一面延伸的开孔,所述开孔暴露出所述焊垫;
包覆所述基底侧面的感光油墨;
其特征在于:
所述感光油墨覆盖所述开孔并在所述开孔中形成空腔;
所述基底侧面具有倾斜侧壁,所述倾斜侧壁的一端与所述第二面交接。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述基底侧面还具有竖直侧壁,所述竖直侧壁的一端与所述倾斜侧壁交接,另一端与所述基底的第一面交接。
3.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述倾斜侧壁的另一端与所述基底的第一面交接。
4.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述倾斜侧壁到所述基底第二面的角度的范围是40°至85°。
5.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述感光油墨的粘度不小于12Kcps。
6.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:
与所述基底第一面对位压合的保护基板;
位于所述保护基板与所述基底之间的支撑单元,所述支撑单元包围所述影像传感区;
所述感光油墨包覆至少部分所述支撑单元的侧面;
位于所述开孔侧壁以及所述基底第二面的绝缘层;
位于所述绝缘层上以及开孔底部的再布线层,所述再布线层与所述焊垫电连接;
所述感光油墨覆盖所述再布线层,且在所述感光油墨上设置有通孔,所述通孔暴露出所述再布线层;
通孔中设置有焊球,所述焊球与所述再布线层电连接。
7.根据权利要求6所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述绝缘层为有机绝缘层。
8.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:
与所述基底第一面对位压合的保护基板;
位于所述保护基板与所述基底之间的支撑单元,所述支撑单元包围所述影像传感区;
所述感光油墨包覆至少部分所述支撑单元的侧面;
位于所述开孔侧壁以及所述基底第二面的绝缘层;
位于所述绝缘层上以及开孔底部的再布线层,所述再布线层与所述焊垫电连接;
所述感光油墨覆盖所述再布线层,且在所述感光油墨上设置有通孔,所述通孔暴露出所述再布线层;
通孔中设置有焊球,所述焊球与所述再布线层电连接;
对应焊球位置,位于绝缘层与再布线层之间的缓冲层。
9.根据权利要求8所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。
10.根据权利要求8所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述缓冲层为光阻缓冲层。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520780135.4U CN205050828U (zh) | 2015-10-10 | 2015-10-10 | 影像传感芯片封装结构 |
KR1020187011133A KR102055412B1 (ko) | 2015-10-10 | 2016-09-29 | 이미지 감지 칩에 대한 패키징 방법 및 패키지 구조 |
JP2018517536A JP6629440B2 (ja) | 2015-10-10 | 2016-09-29 | イメージセンシングチップのためのパッケージング方法およびパッケージ構造 |
US15/765,802 US10283483B2 (en) | 2015-10-10 | 2016-09-29 | Packaging method and package structure for image sensing chip |
PCT/CN2016/100817 WO2017059781A1 (zh) | 2015-10-10 | 2016-09-29 | 影像传感芯片的封装方法以及封装结构 |
TW105131568A TWI645553B (zh) | 2015-10-10 | 2016-09-30 | 影像傳感晶片的封裝方法以及封裝結構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520780135.4U CN205050828U (zh) | 2015-10-10 | 2015-10-10 | 影像传感芯片封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN205050828U true CN205050828U (zh) | 2016-02-24 |
Family
ID=55344375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201520780135.4U Active CN205050828U (zh) | 2015-10-10 | 2015-10-10 | 影像传感芯片封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN205050828U (zh) |
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- 2015-10-10 CN CN201520780135.4U patent/CN205050828U/zh active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |