CN205028885U - 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构 - Google Patents

一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构 Download PDF

Info

Publication number
CN205028885U
CN205028885U CN201520743690.XU CN201520743690U CN205028885U CN 205028885 U CN205028885 U CN 205028885U CN 201520743690 U CN201520743690 U CN 201520743690U CN 205028885 U CN205028885 U CN 205028885U
Authority
CN
China
Prior art keywords
panel array
tft panel
crystalline silicon
test structure
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn - After Issue
Application number
CN201520743690.XU
Other languages
English (en)
Inventor
周作兴
程丙勋
崔亚辉
何其军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI YIRUI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Shanghai IRay Technology Ltd
Original Assignee
SHANGHAI YIRUI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI YIRUI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANGHAI YIRUI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201520743690.XU priority Critical patent/CN205028885U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205028885U publication Critical patent/CN205028885U/zh
Withdrawn - After Issue legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，包括：支撑件和连接件；所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱；所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列，所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面，所述第一表面形成有闪烁体层，所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触；所述连接件包括柔性电路板和信号处理电路板，所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。本实用新型通过在支撑平台上设置支撑件，再利用柔性电路板和信号处理电路板，使非晶硅TFT面板阵列能够倒置于支撑平台上，从而将使激光可以从非晶硅TFT面板阵列的背面入射，找到并隔离修复受损像素点，这样能够避免返工，提升产品合格率，保证产品的品质。

Description

一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构
技术领域
本实用新型涉及医疗检测领域，特别是涉及一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构。
背景技术
从1995年RSNA上推出第一台平板探测器(FlatPanelDetector)设备以来，随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展，在平板探测器的研发和生产过程中，平板探测技术可分为直接和间接两类。间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphousSilicon，a-Si)再加薄膜半导体阵列(ThinFilmTransistorarray，TFT)构成。
非晶硅X射线平板探测器的成像过程需要经历“X射线”到“可见光”，然后“电荷图像”到“数字图像”的成像转换过程，是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅阵列变为图像电信号，通过外围电路积分读出及A/D变换，从而获得数字化图像。非晶硅平板探测器具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率，高信噪比，直接数字输出等显著优点。
但是，在非晶硅TFT面板阵列的生产过程中，会引入一些杂质，导致个别像素点因为短路、击穿、漏电等，造成该像素点的灰度值饱和，并影响周围的像素，最终在整个图像上形成一个大写“T”形的缺陷。针对这种缺陷，当前的修复方式是从非晶硅TFT面板阵列的正面用激光将该像素通道打通，从而隔离该像素，使其不影响其他周围的像素。
除了在生产非晶硅TFT面板阵列时会引入杂质，在给非晶硅TFT面板阵列的正面附着一层闪烁体的工艺过程中，也会出现“T”型缺陷，由于正面已经覆盖了闪烁体，难以分离，激光被闪烁体挡住，无法从正面无法穿过闪烁体，因此，此时形成的T形缺陷不能从非晶硅TFT面板阵列的正面进行修复。
因此，提供一种新的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构是本领域技术人员需要解决的课题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，用于解决现有技术中TFT面板阵列正面制作闪烁体后，无法从正面修复T形缺陷的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，所述测试结构至少包括：支撑件和连接件；
所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱；
所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列，所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面，所述第一表面形成有闪烁体层，所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触；
所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列电连的柔性电路板、和与所述柔性电路板电连的信号处理电路板，所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。
作为本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述支撑柱焊接在所述支撑平台上或者通过螺纹固定在所述支撑平台上。
作为本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述支撑柱为铝金属。
作为本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述信号处理电路板上设置有连接器，所述柔性电路板通过所述连接器与信号处理电路板电连。
作为本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述缓冲层为硅胶垫。
作为本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述非晶硅TFT面板阵列的第二表面朝上，所述第二表面覆盖有透明基板。
作为本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述闪烁体层为GOS或CsI。
如上所述，本实用新型修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法，所述测试结构至少包括：支撑件和连接件；所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱；所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列，所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面，所述第一表面形成有闪烁体层，所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触；所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列电连的柔性电路板、和与所述柔性电路板电连的信号处理电路板，所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。本实用新型通过在支撑平台上设置支撑件，再利用柔性电路板和信号处理电路板，使非晶硅TFT面板阵列能够倒置于支撑平台上，从而将使激光可以从非晶硅TFT面板阵列的背面入射，找到并隔离修复受损像素点。
附图说明
图1为现有技术的测试结构无法修复TFT面板阵列T形缺陷的示意图。
图2为本实用新型的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构示意图。
元件标号说明
1支撑平台
2缓冲层
3闪烁体
4非晶硅TFT面板阵列
41第一表面
42第二表面
5支撑柱
6电路板
61连接器
7柔性电路板
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
现有技术中，一般将非晶硅TFT面板阵列正面朝上放置进行缺陷像素电的修复。如果非晶硅TFT面板阵列正面没有形成闪烁体层，则这种放置方式可以顺利进行像素点的修复操作，但是如果所述非晶硅TFT面板阵列的表面已经形成闪烁体层，则这种放置方式则会由于闪烁体的遮挡而无法进行激光修复。如图1所示，激光从正面入射，被闪烁体3挡住，无法达到非晶硅TFT面板阵列4上的缺陷像素点。
有鉴于此，本实用新型提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法，与现有技术相比，本实用新型在支撑平台上增加了结构支撑柱，利用专门设计的转接电路板和连接器，使所述非晶硅TFT面板阵列倒扣于支撑平台上，从而使激光入射进入非晶硅TFT面板阵列的背面，能够顺利摘到并隔离受损的像素点。
以下将详细阐述本实用新型的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法的原理及实施方式，使本领域技术人员不需要创造性劳动即可理解本实用新型的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法。
本实用新型提供一种修复TFT面板阵列的测试结构，如图2所示，所述测试结构至少包括：支撑件和连接件。
所述支撑件包括支撑平台1、以及安装在所述支撑平台1上的缓冲层2和支撑柱5。
所述缓冲层2用于承载待修复的非晶硅TFT面板阵列4。所述缓冲层2可以是硅胶垫等具有弹性缓冲功能的部件。在进行修复测试时，所述缓冲层2能够防止非晶硅TFT面板阵列4和闪烁体3划伤和碎掉。
所述支撑柱5安装在所述缓冲层2的四周，用于支撑所述连接件，便于非晶硅TFT面板阵列4倒置。所述支撑柱5可以是金属铝材料，也可以是其他任何合适的支撑材料，在此不作限制。所述支撑柱5的横截面的形状可以是圆形、三角形、多边形等等，在此不限。所述支撑柱5可以以焊接的方式焊接在所述支撑平台1上，也可以通过螺纹固定在所述支撑平台1上，固定方式在此不限。
所述非晶硅TFT面板阵列4中具有第一表面41(正面)和第二表面42(背面)，所述第一表面41形成有闪烁体层3，所述闪烁体层3与所述缓冲层2物理接触。即，所述非晶硅TFT面板阵列4的正面朝下，置于支撑平台1上。所述闪烁体层3为GOS或CsI等常规的闪烁体材料。
所述非晶硅TFT面板阵列4的第二表面42(背面)朝上，表面覆盖有透明基板(未予以图示)。所述透明基板可以透过激光，因此，该透明基板并不阻挡激光入射，也不会影响激光修复操作。
所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列4电连的柔性电路板7、和与所述柔性电路板7电连的信号处理电路板6，所述信号处理电路板6由所述支撑柱5所支撑。
所述柔性电路板7与所述非晶硅TFT面板阵列4的像素电路电连，用于引出非晶硅TFT面板阵列4的电路信号。所述柔性电路板7可以弯曲，电子元件与材料安装在柔性电路板7上，可以使得电子电路器件具有能够弯曲或卷曲呈任意形状的特性。
所述信号处理电路板6上设置有连接器61，所述信号处理电路板6通过所述连接器61与所述柔性电路板7电连。所述信号处理电路板6上具有信号处理模块，可以采集信号，并与电脑相连。所述信号处理电路板6将采集到的电路信号传输给电脑，技术人员直接在电脑上看到所述非晶硅TFT面板阵列4的像素图像。
本实用新型还提供一种利用上述测试结构来修复TFT面板阵列T形缺陷的方法，所述方法包括：
首先，在所述支撑平台1上安装支撑柱5；
然后，将所述非晶硅TFT面板阵列4倒置于支撑平台上的缓冲层2表面，并将所述信号处理电路板6倒扣，连接器61朝下，用所述支撑柱5支撑所述信号处理电路板6，接入有T形缺陷的通道；
接着，通电，采图，确定T形缺陷的位置；
接着，开启激光，如图2所示，使激光穿过透明基板后从所述非晶硅TFT面板阵列4的第二表面42(背面)入射到达缺陷像素点，隔离修复缺陷像素点，并在线实时确认修复情况及修复效果。
最后，修复结束，断电，取下整个面板。
综上所述，本实用新型提供一种本实用新型提供修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法，包括：支撑件和连接件；所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱；所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列，所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面，所述第一表面形成有闪烁体层，所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触；所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列电连的柔性电路板、和与所述柔性电路板电连的信号处理电路板，所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。本实用新型通过在支撑平台上设置支撑件，再利用柔性电路板和信号处理电路板，使非晶硅TFT面板阵列能够倒置于支撑平台上，从而将使激光可以从非晶硅TFT面板阵列的背面入射，找到并隔离修复受损像素点，这样能够避免返工，提升产品合格率，保证产品的品质。
所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：支撑件和连接件；
所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱；
所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列，所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面，所述第一表面形成有闪烁体层，所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触；
所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列电连的柔性电路板、和与所述柔性电路板电连的信号处理电路板，所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。
2.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于：所述支撑柱焊接在所述支撑平台上或者通过螺纹固定在所述支撑平台上。
3.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于：所述支撑柱为铝金属。
4.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于：所述信号处理电路板上设置有连接器，所述柔性电路板通过所述连接器与信号处理电路板电连。
5.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于：所述缓冲层为硅胶垫。
6.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于：所述非晶硅TFT面板阵列的第二表面朝上，所述第二表面覆盖有透明基板。
7.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，其特征在于：所述闪烁体层为GOS或CsI。
CN201520743690.XU 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构 Withdrawn - After Issue CN205028885U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520743690.XU CN205028885U (zh) 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520743690.XU CN205028885U (zh) 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构
CN201510613298.8A CN105140151B (zh) 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205028885U true CN205028885U (zh) 2016-02-10

Family

ID=54725453

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520743690.XU Withdrawn - After Issue CN205028885U (zh) 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构
CN201510613298.8A Active CN105140151B (zh) 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510613298.8A Active CN105140151B (zh) 2015-09-24 2015-09-24 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN205028885U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105140151A (zh) * 2015-09-24 2015-12-09 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114486951B (zh) * 2022-02-09 2023-11-21 上海烁泰科技有限公司 一种x线探测器用tft面板测试系统及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006337184A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 放射線検出装置
CN201004141Y (zh) * 2006-09-29 2008-01-09 上海广电光电子有限公司 具有修复结构的液晶显示用tft阵列基板
JP2008215951A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Toshiba Corp 放射線検出器
CN102623401A (zh) * 2012-04-10 2012-08-01 上海大学 一种tft阵列基板像素点修复制造方法
CN205028885U (zh) * 2015-09-24 2016-02-10 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105140151A (zh) * 2015-09-24 2015-12-09 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105140151A (zh) 2015-12-09
CN105140151B (zh) 2017-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL2020012B1 (en) Active pixel radiation detector array and use thereof
CN104020918A (zh) 一种石墨烯电容式触摸屏及其制作方法
CN107799539A (zh) 一种光电探测结构及其制备方法
JP6670313B2 (ja) Ｘ線検出器アセンブリ
CN205028885U (zh) 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构
CN104020919A (zh) 一种石墨烯电容式触摸屏及其生产制作方法
CN104020917A (zh) 一种纳米碳管电容式触摸屏及其生产制作方法
US11195874B2 (en) Detach and reattach of a flexible polyimide based X-ray detector
WO2017018363A1 (ja) 放射線測定装置及び放射線測定方法
KR20170046792A (ko) 스퀘어클 형상의 디지털 평판 검출기
CN1535387A (zh) 一种用于扫描成像的辐射成像系统,装置以及方法
CN101159283A (zh) X射线平板探测器
CN102466808B (zh) 非晶硅碘化铯数字x射线平板探测器
CN108387949A (zh) 柔性双能探测器模块及基于其的探测器及探测设备
CN206402637U (zh) 一种增强平板探测器接地和emi屏蔽效果的结构
CN109581466B (zh) 一种线阵探测器探测模组
CN201926763U (zh) 非晶硅碘化铯数字x射线平板探测器
CN107924926A (zh) 辐射检测器制造
JP3516974B2 (ja) ガンマ線カメラシステム
CN106308834A (zh) 一种x射线图像传感器及其消除图像残影的方法
EP3625827B1 (en) Flexible substrate module and fabrication method
US11411041B2 (en) Flexible substrate module and fabrication method
CN104851936A (zh) 一种平板探测器防伪影结构及其制作方法
CN108110014A (zh) X射线图像传感器、平板探测器及其图像曝光采集方法
CN106299013A (zh) 光电二极管以及制备方法、x射线探测基板

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
AV01 Patent right actively abandoned

Granted publication date: 20160210

Effective date of abandoning: 20170929

AV01 Patent right actively abandoned