CN204565313U - 一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置 - Google Patents

一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置。其包括：底部框架、水平导轨、水平移送块、真空吸附板部、竖直框架、旋转驱动部、平面切削部、伸缩套部和控制部。它可对通常具有0.5～10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求1微米(μm)单位精密度的半导体用金属铝基板的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板进行精密平面切削加工，平面切削后尺寸精准而避免了大量不良品的发生。

Description

一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置
技术领域
本实用新型涉及一种用于通常具有0.5～10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求1微米(μm)单位精密度的半导体用金属铝基板的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置。
背景技术
注册专利10-0872890号(研磨装置)公开一种研磨装置，其特征在于，包括：注入构件，其注入内容物；第1研磨构件，其连接于所述注入构件端部，在端部的研磨部形成有沟槽，使得从注入构件注入的内容物通过在中心部形成的孔移动并研磨；第2研磨构件，其形成有沟槽，使得与所述第1研磨构件的沟槽啮合并研磨内容物；及压力弹簧，其与所述第2研磨构件的形成有沟槽的面的相反面接触，通过端部的压力调节杆而调节压力。
在半导体领域，散热特性优于原有的塑料材质PCB基板的金属(特别是铝)基板的使用呈增加趋势，由于在半导体基板特性上，在位于5～30cm级别平面的全部地点中，厚度允许误差应在数微米以内。以往的研磨装置由于半导体金属基板加工所需的厚度精密加工(平面全部点1μm水平精密度)困难，存在因平面切削后尺寸不良而导致大量发生不良品的问题。
实用新型内容
(要解决的技术问题)
本实用新型旨在提供一种需要平面全部地点厚度误差要求1μm水平以内精密度的厚度高精密加工的半导体金属(铝)基板(例如发热大的LED用金属基板)加工用平面切削加工装置。
本实用新型尤其旨在提供一种金属中铝金属板的精密加工所需的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置。
(解决问题的手段)
一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置，作为平面切削半导体用铝基板的加工装置，其特征在于，包括：
底部框架，其沿被加工体的移送方向安装；
水平导轨，其沿着所述底部框架与底部框架相互平行地安装；
水平移送块，其沿着所述水平导轨移送被加工体；
真空吸附板部，其配备于所述水平移送块30的上部，真空吸附固定平板形被加工体；
竖直框架，其在所述底部框架的前侧向上竖直地设立；
旋转驱动部，其包括用于使平面切削部旋转的驱动马达，所述旋转驱动部直接或通过竖直升降块结合于所述竖直框架上；
平面切削部，其在旋转体的一端固定有切刀，在借助于所述旋转驱动部而旋转的同时切削所述被加工体的上面；
伸缩套部，其由对位于所述水平导轨前侧的前侧边界壁与水平移送块的前侧之间进行密闭的可伸缩的第1伸缩套、对位于所述水平导轨后侧的后侧边界壁与水平移送块的后侧之间进行密闭的可伸缩的第2伸缩套构成；
控制部，其控制真空吸附板与旋转驱动部。
(实用新型的效果)
本实用新型提供了一种需要平面全部地点厚度误差要求1μm水平以内精密度的厚度高精密加工的半导体金属(铝)基板(例如发热大的LED用金属基板)加工用平面切削加工装置。它可对通常具有0.5～10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求1微米(μm)单位精密度的半导体用金属铝基板的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板进行精密平面切削加工，平面切削后尺寸精准从而避免了大量不良品的发生。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置整体立体图。
图2是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置立体图(伸缩套除外)。
图3是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置立体图(包括伸缩套)。
图4是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置中驱动部详细图。
图5是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置动作说明图。
<符号说明>
10:底部框架
20:水平导轨
30:水平移送块
40:真空吸附板部
50:竖直框架
60:旋转驱动部
70:平面切削部
80:伸缩套部
110:竖直导轨
120:竖直升降块
130:第1引导部
140:第2引导部
具体实施方式
下面参照附图，对本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置进行详细说明。图1是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置整体立体图，图2是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置立体图(伸缩套除外)，图3是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置立体图(包括伸缩套)，图4是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置中驱动部详细图，图5是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置动作说明图。
如图1至图4所示，本实用新型的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置包括：底部框架10，其沿被加工体S的移送方向长长地安装；水平导轨20，其沿着所述底部框架10与底部框架10相互平行地安装；水平移送块30，其沿着所述水平导轨20移送被加工体S；真空吸附板部40，其配备于所述水平移送块30的上部，真空吸附固定平板形被加工体S；竖直框架50，其在所述底部框架10的前侧向上竖直地设立；旋转驱动部60，其包括用于使平面切削部70旋转的驱动马达M1，所述旋转驱动部60直接或通过竖直升降块120结合于所述竖直框架50上；平面切削部70，其在旋转体71的一端固定有切刀75，在借助于所述旋转驱动部60而旋转的同时切削所述被加工体S的上面；伸缩套部80，其由对位于所述水平导轨20前侧的前侧边界壁25与水平移送块30的前侧之间进行密闭的可伸缩的第1伸缩套81、对位于所述水平导轨20后侧的后侧边界壁26与水平移送块30的后侧之间进行密闭的可伸缩的第2伸缩套82构成；控制部90，其控制真空吸附板40与旋转驱动部60。
如图1至图4所示，在本实用新型的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置中，在所述竖直框架50上沿竖直方向形成平行的竖直导轨110；沿着所述竖直导轨110，竖直升降块120借助于伺服马达M2而上下升降；旋转驱动部60一体结合于所述竖直升降块120上；如果调节所述竖直导轨110的升降位置，那么，平面切削部70自动进行调节。
如图1至图5所示，在本实用新型的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置中，还包括用于在所述真空吸附板部40上设置被加工体S的初始位置的第1引导部130与第2引导部140；所述第1引导部130安装于真空吸附板部40的后侧，所述第1引导部130包括：第1空压缸131，其直接或通过后侧边界壁26支撑于底部框架10上；第1引导主体133，其借助于所述第1空压缸131的活塞而前进、后退；第1凸出棒134，其从所述第1引导主体133的前端向前方凸出，宽度比第1引导主体133窄；安装于真空吸附板部40左、右两侧中一者上的所述第2引导部140包括：第2空压缸141，其直接或通过支撑体而支撑于底部框架10上；第2引导主体143，其借助于所述第2空压缸141的活塞而前进、后退；第1一侧凸出棒144a，其从所述第2引导主体143凸出，宽度比第2引导主体143窄；第2另一侧凸出棒144b，其从所述第2引导主体143凸出，宽度比第2引导主体143窄，且与所述第1一侧凸出棒144a平行地在其它位置隔开地凸出；所述第2引导主体143的往复方向与所述第1引导主体133的前进后退方向相垂直。
如图1至图5所示，在本实用新型的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置中，所述旋转驱动部60包括：驱动齿轮G1，其直接连接驱动马达M1；从动齿轮G2，其通过皮带V由所述驱动齿轮G1驱动而进行旋转；旋转轴61，其借助于所述从动齿轮G2而旋转；旋转板65，其一体地结合于所述旋转轴61的上端上；传感器槽66，其在所述旋转板65的边缘上形成，所述传感器槽66所呈夹角为3～30°；用于感知所述传感器槽66的旋转板位置传感器68；所述平面切削部70包括：旋转体71，其中心部71a结合于所述旋转轴61的下端上，两侧翼部71b向左右两侧延长；切刀75，其加装于所述两侧翼部71b中的至少一个翼部的末端下部的旋转方向侧。
如图1至图5所示，在本实用新型的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置中，如果所述被加工体S位于真空吸附板部40上，那么，所述平面切削部70的旋转体71在前后方向的固定的一点旋转，如果所述水平移送块30沿着水平导轨20使被加工体S缓慢通过所述旋转体71下部，那么，在通过过程中，切刀75把被加工体S的上面切削成均一厚度，如果被真空吸附板部40把持的被加工体S完全通过所述旋转体71下部，那么，第1厚度切削完毕，在第1厚度切削完毕的状态下，所述旋转板位置传感器68获得旋转轴61的位置信息传递给所述控制部90使驱动马达M1停止，使得所述切刀75位于被加工体S的侧面边L1外侧，在切刀75位于被加工体S侧面边外侧的状态下，搭载所述被加工体S的水平移送块30后退，从而使得第1厚度切削加工后的被加工体S上面在后退过程中不因切刀75而发生刮擦。
本实用新型就上述提及的优选实施例进行了说明，但本实用新型的范围并非限定于这种实施例，本实用新型的范围根据以下权利要求书确定，包括属于与本实用新型均等范围的多种修改及变形。
需要指出的是，以下权利要求书中记载的附图标号单纯用于辅助实用新型的理解，不影响权利范围的解释，不得根据记载的附图标号缩窄解释权利范围。

Claims (4)

1.一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置，其特征在于，包括：
底部框架(10)，其沿被加工体(S)的移送方向安装；
水平导轨(20)，其沿着所述底部框架(10)与底部框架(10)相互平行地安装；
水平移送块(30)，其沿着所述水平导轨(20)移送被加工体(S)；
真空吸附板部(40)，其配备于所述水平移送块(30)的上部，真空吸附固定平板形被加工体(S)；
竖直框架(50)，其在所述底部框架(10)的前侧向上竖直地设立；
旋转驱动部(60)，其包括用于使平面切削部(70)旋转的驱动马达(M1)，所述旋转驱动部(60)直接或通过竖直升降块(120)结合于所述竖直框架(50)上；
平面切削部(70)，其在旋转体(71)的一端固定有切刀(75)，在借助于所述旋转驱动部(60)而旋转的同时切削所述被加工体(S)的上面；
伸缩套部(80)，其由对位于所述水平导轨(20)前侧的前侧边界壁(25)与水平移送块(30)的前侧之间进行密闭的可伸缩的第1伸缩套(81)、对位于所述水平导轨(20)后侧的后侧边界壁(26)与水平移送块(30)的后侧之间进行密闭的可伸缩的第2伸缩套(82)构成；
控制部(90)，其控制真空吸附板(40)与旋转驱动部(60)。
2.根据权利要求1所述的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置，其特征在于，
在所述竖直框架(50)上沿竖直方向形成平行的竖直导轨(110)；
沿着所述竖直导轨(110)，竖直升降块(120)借助于伺服马达(M2)而上下升降；
旋转驱动部(60)一体结合于所述竖直升降块(120)上；
如果调节所述竖直导轨(110)的升降位置，那么，平面切削部(70) 自动进行调节。
3.根据权利要求2所述的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置，其特征在于，
还包括用于在所述真空吸附板部(40)上设置被加工体(S)的初始位置的第1引导部(130)与第2引导部(140)；
所述第1引导部(130)安装于真空吸附板部(40)的后侧，
包括：第1空压缸(131)，其直接或通过后侧边界壁(26)支撑于底部框架(10)上；
第1引导主体(133)，其借助于所述第1空压缸(131)的活塞而前进、后退；
第1凸出棒(134)，其从所述第1引导主体(133)的前端向前方凸出，宽度比第1引导主体(133)窄；
安装于真空吸附板部(40)左、右两侧中一者上的所述第2引导部(140)包括：
第2空压缸(141)，其直接或通过支撑体而支撑于底部框架(10)上；
第2引导主体(143)，其借助于所述第2空压缸(141)的活塞而前进、后退；
第1一侧凸出棒(144a)，其从所述第2引导主体(143)凸出，宽度比第2引导主体(143)窄；
第2另一侧凸出棒(144b)，其从所述第2引导主体(143)凸出，宽度比第2引导主体(143)窄，且与所述第1一侧凸出棒(144a)平行地在其它位置隔开地凸出；
所述第2引导主体(143)的往复方向与所述第1引导主体(133)的前进后退方向相垂直。
4.根据权利要求2所述的能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置，其特征在于，
所述旋转驱动部(60)包括：
驱动齿轮(G1)，其直接连接驱动马达(M1)；
从动齿轮(G2)，其通过皮带(V)由所述驱动齿轮(G1)驱动而进行旋转；
旋转轴(61)，其借助于所述从动齿轮(G2)而旋转；
旋转板(65)，其一体地结合于所述旋转轴(61)的上端上；
传感器槽(66)，其在所述旋转板(65)的边缘上形成，所述传感器槽(66)所呈夹角为3～30°；
用于感知所述传感器槽(66)的旋转板位置传感器(68)；
所述平面切削部(70)包括：
旋转体(71)，其中心部(71a)结合于所述旋转轴(61)的下端上，两侧翼部(71b)向左右两侧延长；
切刀(75)，其加装于所述两侧翼部(71b)中的至少一个翼部的末端下部的旋转方向侧。
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