CN204497225U - 一种sod882 48排双芯引线框架 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种引线框架,具体涉及一种SOD882 48排双芯引线框架,包括承装的框架,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,所述框架从上至下间隔排列有48排晶体管的焊接区域,所述48排焊接区域每排有134个放置晶体管的单个封装单元,所述单个封装单元内设置有两个尺寸相同的芯片槽,所述每排上的134个单个封装单元位于框架的同一水平线上,所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,沿框架的长度方向将框架分为四个A、B、C、D相同的区域,每个区域之间间隔10mm,所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。该引线框架较传统的引线框架结构增大了产品的密度,提高了生产效率,降低了成本,利于焊接。

Description

一种SOD882 48排双芯引线框架
技术领域
本实用新型涉及一种,特别是一种SOD882 48排双芯引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为SOD882(SOD是小型电子元器件的封装形式,882表示单个芯片单元的尺寸为长1.0mm、宽0.6mm)时,要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片,就需要对布置形式进行合理设计。
如目前的引线框架产品,市场上的36排双芯/7776粒晶体管每条,该引线框架有36排,每排上有108粒晶体管,该引线框架长度为185mm,宽度为53mm,引线框架尺寸固定的情况下,只能排7776个封装芯片,这样排列产品密度低,导致生产效率低,生产成本高,是低利用率的产品。随着市场用量的增长,目前的设备和产品的设计生产力已经不能满足市场需要,需要提高产品的有效利用率,随着生产成本和劳力成本的提高, 有必要通过技术改良降低生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对现有技术存在的问题,提供一种密度大、成本低,更有利于焊接的SOD882 48排双芯引线框架。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种SOD882 48排双芯引线框架,包括承装的框架,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,所述框架从上至下间隔排列有48排晶体管的焊接区域,所述48排焊接区域每排有134个放置晶体管的单个封装单元,所述单个封装单元内设置有两个尺寸相同的芯片槽,所述每排上的134个单个封装单元位于框架的同一水平线上,所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,沿框架的长度方向将框架分为四个A、B、C、D相同的区域,所述四个区域的其中两个区域内每排布置33个封装单元、另外两个区域每排布置34个封装单元,每个区域之间间隔10mm,靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm,所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。
由于SOD882型号的单个封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm,因此在框架尺寸固定的情况下,合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率,本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域,且单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,每排有134个放置晶体管的单个封装单元,且单个封装单元内设置有两个尺寸相同的芯片槽,即双芯布置,所以每一排可以放置的268个晶体管。可以算出每个区域内布置33或34个单个封装单元即可,如靠近框架长度方向两端的区域布置33个封装单元、框架中间两个区域布置34个封装单元;该框架的长为250mm,除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸,每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为50mm,而1.0*35为35mm,完全能够满足框架上每排布置134个放置晶体管的单个封装单元的需求;而框架的宽为70mm,单个封装单元的宽度为0.6mm,0.6*48为28.8mm,完全满足使用需求,这样的布置增加了框架密度,提高了设备效率,降低成本。
所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积,使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积,提高密封性和稳定性;另外,由于该引线框架分区合理,各个区域都留有间隔尺寸,有利于封装单元的焊接和安装。
作为本实用新型的优选方案,所述间隔凹槽的数量为6个,间隔凹槽的槽宽为6mm、长为10mm。间隔凹槽的数量设为6个,且长度为10mm,刚好合理利用了框架的宽度尺寸,使得框架背面的表面积增量最大,有利于提高塑封时的塑封效果。
作为本实用新型的优选方案,所述框架上设置有支撑单个封装单元的焊盘,一个封装单元对应设置两个大小相同的焊盘。每个封装单元对应设置两个焊盘,与单个封装单元内两个芯片槽对应,实现双芯布置。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
1、本引线框架合理地将框架分成四个相同的区域,尺寸分布合理,完全满足将SOD882型号的单个封装单元在固定的框架尺寸下布置48排/12864个封装单元的需求,增加了框架密度,提高了设备效率,降低成本;且由于该引线框架分区合理,各个区域都留有间隔尺寸,有利于封装单元的焊接和安装;
2、所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积,使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积,提高密封性和稳定性;
3、提高生产效率,前段提高30%的设备效率,Molding提高2倍的效率;
4、成本降低, 框架成本降低25%,Compound成本降低15%;
5、提高资源利用率,框架利用率提高30%,Compound用量降低20%。
附图说明
图1是本实用新型SOD882 48排双芯引线框架背面结构示意图。
图2为本实用新型SOD882 48排双芯引线框架正面结构示意图。
图3为图2的局部放大图。
图4为单个封装单元对应的焊盘的结构示意图。
图中标记:图中标记:1-框架,2-单个封装单元,3-间隔凹槽,4-框架固定孔。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1至图4所示,图1是本实施的SOD882 48排双芯引线框架背面的结构示意图,图中有4个区域A、B、C、D,图2本SOD882 48排双芯引线框架正面的结构示意图,图3为图2中的A部分局部放大图,图4为单个封装单元对应的焊盘的结构示意图。本实施例的SOD882 48排双芯引线框架,包括承装的框架1,所述框架1长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,所述框架1从上至下间隔排列有48排晶体管的焊接区域,所述48排焊接区域每排有134个放置晶体管的单个封装单元2,所述单个封装单元2内设置有两个尺寸相同的芯片槽,所述每排上的134个单个封装单元2位于框架的同一水平线上,所述单个封装单元2的长度方向与框架1的长度方向平行布置,沿框架1的长度方向将框架分为四个A、B、C、D区域,所述四个区域的其中两个区域内每排布置33个封装单元、另外两个区域每排布置34个封装单元,每个区域之间间隔10mm,靠近边缘的A区和D区距离框架1边缘10mm,所述四个区域之间的框架1背面上沿框架1的宽度方向设置有间隔凹槽3。本实施例中,靠近框架长度方向两端的A区和D区布置33个封装单元、框架中间两个区域B区和C区布置34个封装单元。
由于SOD882型号的单个封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm,因此在框架尺寸固定的情况下,合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率,本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域,且单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,每排有134个放置晶体管的单个封装单元,且单个封装单元内设置有两个尺寸相同的芯片槽,即双芯布置,所以每一排可以放置的268个晶体管。可以算出每个区域内布置33-34个单个封装单元即可,本实施例中,靠近框架长度方向两端的A区和D区布置33个封装单元、框架中间两个区域B区和C区布置34个封装单元;该框架的长为250mm,除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸,每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为50mm,而1.0*34为34mm,完全能够满足框架上每排布置134个放置晶体管的单个封装单元的需求;而框架的宽为70mm,单个封装单元的宽度为0.6mm,0.6*48为28.8mm,满足使用需求,这样的布置增加了框架密度,提高了设备效率,降低成本。
所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积,使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积,提高密封性和稳定性;另外,由于该引线框架分区合理,各个区域都留有间隔尺寸,有利于封装单元的焊接和安装。
如图2所示,在框架1的四个角上开有框架固定孔4,便于该引线框架的塑封固定及框架装配。而在图1中可以看到,把框架1的宽度方向边缘设置成了凹凸形的不平边,这样的设置有利于引线框架与其他配件的连接,也有利于多个引线框架叠加存放时的固定。
本实施例中,所述间隔凹槽3的数量为6个,间隔凹槽3的槽宽为6mm、长为10mm。间隔凹槽的数量设为6个,且长度为10mm,刚好合理利用了框架的宽度尺寸,使得框架背面的表面积增量最大,有利于提高塑封时的塑封效果。
本实施例中,所述框架1上设置有支撑单个封装单元2的焊盘,一个封装单元对应设置两个大小相同的焊盘。每个封装单元对应设置两个焊盘,与单个封装单元内两个芯片槽对应,实现双芯布置。
本实用新型密度提高时,前段需要防止框架氧化和保证焊接可靠性,并且在后工序中按要求去除多余的废料。
实施例2
本实施例中,框架长度方向设置的A、B、C、D四个相同的区域中,A区和C区布置33个封装单元、其余两个区域B区和D区布置34个封装单元。
如图1至图4所示,图1是本实施的SOD882 48排双芯引线框架背面的结构示意图,图中有4个区域A、B、C、D,图2本SOD882 48排双芯引线框架正面的结构示意图,图3为图2中的A部分局部放大图,图4为单个封装单元对应的焊盘的结构示意图。本实施例的SOD882 48排双芯引线框架,包括承装的框架1,所述框架1长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,所述框架1从上至下间隔排列有48排晶体管的焊接区域,所述48排焊接区域每排有134个放置晶体管的单个封装单元2,所述单个封装单元2内设置有两个尺寸相同的芯片槽,所述每排上的134个单个封装单元2位于框架的同一水平线上,所述单个封装单元2的长度方向与框架1的长度方向平行布置,沿框架1的长度方向将框架分为四个A、B、C、D相同的区域,每个区域之间间隔10mm,靠近边缘的A区和D区距离框架1边缘10mm,所述四个区域之间的框架1背面上沿框架1的宽度方向设置有间隔凹槽3。
由于SOD882型号的单个封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm,因此在框架尺寸固定的情况下,合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率,本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域,且单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,每排有134个放置晶体管的单个封装单元,且单个封装单元内设置有两个尺寸相同的芯片槽,即双芯布置,所以每一排可以放置的268个晶体管。可以算出每个区域内布置33-34个单个封装单元即可,本实施例中,靠近框架长度方向两端的A区和D区布置33个封装单元、框架中间两个区域B区和C区布置34个封装单元;该框架的长为250mm,除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸,每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为50mm,而1.0*34为34mm,完全能够满足框架上每排布置134个放置晶体管的单个封装单元的需求;而框架的宽为70mm,单个封装单元的宽度为0.6mm,0.6*48为28.8mm,满足使用需求,这样的布置增加了框架密度,提高了设备效率,降低成本。
所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积,使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积,提高密封性和稳定性;另外,由于该引线框架分区合理,各个区域都留有间隔尺寸,有利于封装单元的焊接和安装。
如图2所示,在框架1的四个角上开有框架固定孔4,便于该引线框架的塑封固定及框架装配。而在图1中可以看到,把框架1的宽度方向边缘设置成了凹凸形的不平边,这样的设置有利于引线框架与其他配件的连接,也有利于多个引线框架叠加存放时的固定。
本实施例中,所述间隔凹槽3的数量为6个,间隔凹槽3的槽宽为6mm、长为10mm。间隔凹槽的数量设为6个,且长度为10mm,刚好合理利用了框架的宽度尺寸,使得框架背面的表面积增量最大,有利于提高塑封时的塑封效果。
本实施例中,所述框架1上设置有支撑单个封装单元2的焊盘,一个封装单元对应设置两个大小相同的焊盘。每个封装单元对应设置两个焊盘,与单个封装单元内两个芯片槽对应,实现双芯布置。
本实用新型承装晶体管密度提高的同时,前段需要防止框架氧化和保证焊接可靠性,并且在后工序中按要求去除多余的废料。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1. 一种SOD882 48排双芯引线框架,其特征在于,包括承装的框架,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,所述框架从上至下间隔排列有48排晶体管的焊接区域,所述48排焊接区域每排有134个放置晶体管的单个封装单元,所述单个封装单元内设置有两个尺寸相同的芯片槽,所述每排上的134个单个封装单元位于框架的同一水平线上,所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,沿框架的长度方向将框架分为四个A、B、C、D相同的区域,所述四个区域的其中两个区域内每排布置33个封装单元、另外两个区域每排布置34个封装单元,每个区域之间间隔10mm,靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm,所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。
2.根据权利要求1所述的SOD882 48排双芯引线框架,其特征在于,所述间隔凹槽的数量为6个,间隔凹槽的槽宽为6mm、长为10mm。
3. 根据权利要求1所述的SOD882 48排双芯引线框架,其特征在于,所述框架上设置有支撑单个封装单元的焊盘,一个封装单元对应设置两个大小相同的焊盘。
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