CN204417639U - 一种用于制备碳化硅原料的坩埚 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于制备碳化硅原料的坩埚，该技术方案在坩埚体两端均设一个螺纹盖，处于粉料底部的螺纹盖处于高温区域，升华的碳化硅粉料不会在此处结晶，保证了螺纹盖可以拆卸，坩埚可以重复利用。同时在两端增设螺纹盖便于对坩埚体内部进行清洗。本实用新型通过相对简单的结构改进即有效避免了因结晶附着于密封部所导致的螺纹盖无法打开的技术问题，成本较低、构思巧妙，具有突出的规模化应用前景。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种用于制备碳化硅原料的坩埚。
背景技术
SiC半导体材料是继第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙(Wide Band-gapSemiconductor,WBS)半导体材料的代表。与前两代半导体材料相比，SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。
生长碳化硅晶体所需要的原料，可利用碳化硅粉料制备，通常采用石墨坩埚，坩埚为空心圆柱形，坩埚一边含有一个螺纹盖，通过安装拆卸螺纹盖，可以实现装料和取料。当温度达到2000-2400℃，碳化硅粉料升华，并且再次结晶，形成碳化硅原料，但是，在密封处碳化硅粉料也会结晶，导致螺纹盖无法拆卸。
发明内容
本实用新型旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种用于制备碳化硅原料的坩埚，以通过结构的改进来解决因碳化硅结晶导致螺纹盖无法打开的技术问题。
为实现以上技术目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于包括坩埚体，第一螺纹盖，第二螺纹盖，第一密封部和第二密封部，其中所述坩埚体呈中空管状，第一螺纹盖位于坩埚体的一个端面处、通过第一密封部与坩埚体密封连接，其中第二螺纹盖位于所述坩埚体的另一个端面处、通过第二密封部与坩埚体密封连接。
优选的，所述坩埚体呈中空圆管状。
优选的，所述坩埚体两个端面处分别具有和第一螺纹盖、第二螺纹盖相配合的螺纹；在此基础上可以进行如下优选：所述密封连接为丝接。
本实用新型在坩埚体两端均设一个螺纹盖，处于粉料底部的螺纹盖处于高温区域，升华的碳化硅粉料不会在此处结晶，保证了螺纹盖可以拆卸，坩埚可以重复利用。同时在两端增设螺纹盖便于对坩埚体内部进行清洗。本实用新型通过相对简单的结构改进即有效避免了因结晶附着于密封部所导致的螺纹盖无法打开的技术问题，成本较低、构思巧妙，具有突出的规模化应用前景。
附图说明
图1是现有技术中用于制备碳化硅原料的坩埚的剖面图；
图2是本实用新型用于制备碳化硅原料的坩埚的剖面图。
图中：
1、坩埚体 2、第一螺纹盖 3、第二螺纹盖 4、第一密封部
5、第二密封部 6、粉料 7、结晶
具体实施方式
以下将对本实用新型的具体实施方式进行详细描述。为了避免过多不必要的细节，在以下实施例中对属于公知的结构或功能将不进行详细描述。
除有定义外，以下实施例中所用的技术和科学术语具有与本实用新型所属领域技术人员普遍理解的相同含义。
以下实施例中所用的术语“第一”、“第二”等并不表示任何顺序、数量或重要性，而仅用于区别一种元件和另一种元件。
实施例1
一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于包括坩埚体(1)，第一螺纹盖(2)，第二螺纹盖(3)，第一密封部(4)和第二密封部(5)，其中所述坩埚体(1)呈中空圆管状，第一螺纹盖(2)位于坩埚体(1)的一个端面处、通过第一密封部(4)与坩埚体(1)密封连接，其中第二螺纹盖(3)位于所述坩埚体(1)的另一个端面处、通过第二密封部(5)与坩埚体(1)密封连接。
其中所述坩埚体(1)两个端面处分别具有和第一螺纹盖(2)、第二螺纹盖(4)相配合的螺纹，从而使得上述密封连接均为丝接。
实施例2
一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于包括坩埚体(1)，第一螺纹盖(2)，第二螺纹盖(3)，第一密封部(4)和第二密封部(5)，其中所述坩埚体(1)呈中空方管状，第一螺纹盖(2)位于坩埚体(1)的一个端面处、通过第一密封部(4)与坩埚体(1)密封连接，其中第二螺纹盖(3)位于所述坩埚体(1)的另一个端面处、通过第二密封部(5)与坩埚体(1)密封连接。
上述第一螺纹盖(2)和第二螺纹盖(3)以及坩埚体(1)两端面均不具有螺纹，而是互相配合进行扣接，再通过对接缝处进行密封处理以实现密封。
以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型。凡在本实用新型的申请范围内所做的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于包括坩埚体(1)，第一螺纹盖(2)，第二螺纹盖(3)，第一密封部(4)和第二密封部(5)，其中所述坩埚体(1)呈中空管状，第一螺纹盖(2)位于坩埚体(1)的一个端面处、通过第一密封部(4)与坩埚体(1)密封连接，其中第二螺纹盖(3)位于所述坩埚体(1)的另一个端面处、通过第二密封部(5)与坩埚体(1)密封连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于所述坩埚体(1)呈中空圆管状。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于所述坩埚体(1)两个端面处分别具有和第一螺纹盖(2)、第二螺纹盖(3)相配合的螺纹。
4.根据权利要求3所述的一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于所述密封连接为丝接。
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| CN201420784401.6U CN204417639U (zh) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 一种用于制备碳化硅原料的坩埚 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106757355A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-05-31 | 河北同光晶体有限公司 | 一种碳化硅宝石的生长方法 |
| WO2017113368A1 (zh) * | 2015-12-29 | 2017-07-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硅晶体生长用坩埚 |
| CN111188089A (zh) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 昭和电工株式会社 | SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法 |
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2014
- 2014-12-11 CN CN201420784401.6U patent/CN204417639U/zh active Active
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: Crucible used for preparing silicon carbide raw material Effective date of registration: 20160826 Granted publication date: 20150624 Pledgee: Chinese for key construction fund limited Pledgor: Hebei Tongguang Crystal Co., Ltd. Registration number: 2016990000669 |
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| PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20201207 Granted publication date: 20150624 Pledgee: Chinese for key construction fund Ltd. Pledgor: HEBEI TONGGUANG CRYSTAL Co.,Ltd. Registration number: 2016990000669 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 071066 No. 6001, North Third Ring Road, Baoding City, Hebei Province Patentee after: Hebei Tongguang Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 071051 room A007, 4th floor, block B, building 6, University Science Park, 5699 Second Ring Road, Baoding City, Hebei Province Patentee before: HEBEI TONGGUANG CRYSTAL Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |