CN204289361U - 一种用于离子源的栅网装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于离子源的栅网装置，包括加速法兰和抑制法兰；所述加速法兰和抑制法兰内分别安装有加速栅网和抑制栅网；所述加速法兰设置在所述抑制法兰上方，且所述加速法兰通过连接杆与所述抑制法兰连接成一体结构；所述加速栅网的网格与所述抑制栅网的网格一一对应；所述抑制法兰圆周部分开设有用于将所述抑制法兰安装于离子源放电室上的安装孔。本实用新型可提高离子源装配一致性，从而提高离子源性能重复性和稳定性，最终能获得稳定的离子束刻蚀工艺。

Description

一种用于离子源的栅网装置

技术领域

本实用新型涉及一种用于离子源的栅网装置，尤其适用于离子束刻蚀设备大口径平行束离子源作为栅网使用。

背景技术

离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点，并且可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料。传统离子源是利用一根连接杆将加速法兰、抑制法兰与放电室连接在一起，由于灯丝的使用寿命短，需要经常拆卸离子源进行跟换。因为抑制法兰与加速法兰是单独装配的，手工装配容易造成抑制栅网与加速栅网孔不能完全对正，每次装配的结构均会造成细小变动，影响离子源性能的重复性。

发明内容

 本实用新型所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种用于离子源的栅网装置，提高离子源性能重复性，从而提高刻蚀工艺均匀性。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种用于离子源的栅网装置，包括加速法兰和抑制法兰；所述加速法兰和抑制法兰内分别安装有加速栅网和抑制栅网；所述加速法兰设置在所述抑制法兰上方，且所述加速法兰通过连接杆与所述抑制法兰连接成一体结构；所述加速栅网的网格与所述抑制栅网的网格一一对应；所述抑制法兰圆周部分开设有用于将所述抑制法兰安装于离子源放电室上的安装孔。

所述加速法兰圆周部分开设有与所述安装孔位置对应的缺口，方便抑制栅网与离子源放电室连接。

所述加速法兰和抑制法兰圆周部分均开设有定位销孔，装配时利用工装保证装配后加速栅网和抑制栅网所有引出孔对齐，减少因手工装配形成的偏差，提高栅网使用寿命。同时，更换栅网时同样采用定位销孔定位，可提高离子源性能重复性。

所述连接杆与所述加速法兰、抑制法兰之间设有绝缘件。

与现有技术相比，本实用新型所具有的有益效果为：本实用新型可提高离子源装配一致性，从而提高离子源性能重复性和稳定性，最终能获得稳定的离子束刻蚀工艺。

附图说明

图1为本实用新型三维剖视图；

图2为抑制法兰三维效果图。

具体实施方式

如图1和图2所示，本实用新型一实施例包括加速法兰1和抑制法兰3；所述加速法兰1和抑制法兰3内分别安装有加速栅网2和抑制栅网4；所述加速法兰1设置在所述抑制法兰3上方，且所述加速法兰1通过连接杆5与所述抑制法兰3连接成一体结构；所述加速栅网2的网格与所述抑制栅网4的网格一一对应；所述抑制法兰4圆周部分开设有用于将所述抑制法兰4安装于离子源放电室上的安装孔13。

装配时利用工装保证装配后加速栅网2和抑制栅网4所有网格对齐。减少因手工装配形成的偏差，提高栅网使用寿命。同时，更换栅网时同样采用定位销孔11定位，可提高离子源性能重复性。

抑制法兰3和加速法兰1利用连接杆5通过绝缘件6组装成一体。抑制法兰3上设计有与放电室对应的销孔14和安装孔13。在加速法兰1上与抑制法兰3上的安装孔13对应位置设计有缺口12。栅网装置可整体在离子源放电室上拆装。

Claims (4)

1.一种用于离子源的栅网装置，包括加速法兰（1）和抑制法兰（3）；所述加速法兰（1）和抑制法兰（3）内分别安装有加速栅网（2）和抑制栅网（4）；其特征在于，所述加速法兰（1）设置在所述抑制法兰（3）上方，且所述加速法兰（1）通过连接杆（5）与所述抑制法兰（3）连接成一体结构；所述加速栅网（2）的网格与所述抑制栅网（4）的网格一一对应；所述抑制法兰（4）圆周部分开设有用于将所述抑制法兰（4）安装于离子源放电室上的安装孔（13）。

2.根据权利要求1所述的用于离子源的栅网装置，其特征在于，所述加速法兰（1）圆周部分开设有与所述安装孔（13）位置对应的缺口（12）。

3.根据权利要求1或2所述的用于离子源的栅网装置，其特征在于，所述加速法兰（1）和抑制法兰（3）圆周部分均开设有定位销孔（11）。

4.根据权利要求3所述的用于离子源的栅网装置，其特征在于，所述连接杆（5）与所述加速法兰（1）、抑制法兰（3）之间设有绝缘件（6）。