CN210287498U - 一种绝缘管状工件的内镀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种绝缘管状工件的内镀装置,属于内镀装置技术领域;解决了绝缘工件内表面镀膜不便的问题,其技术方案要点是,包括真空室与工件,工件外部环设有表面磁场,真空室上设置有真空法兰,真空法兰上安装有阴极弧源法兰与阴极弧源磁场,工件内设有)辅助阳极与旋转辅助阴极,旋转辅助阴极靠近工件内壁且围绕辅助阳极做圆周运动;本实用新型由工件内部的不断做圆周运动的负极与悬停的正极产生所产生的电场作用下,等离子体扫射到工件内壁,形成致密的镀膜层,本装置对绝缘管状工件作用良好,解决的常规内镀装置只能对金属管状工件镀膜的缺点。
Description
技术领域
本实用新型涉及内镀装置技术领域,尤其涉及一种绝缘管状工件的内镀装置。
背景技术
在工业应用中有大量绝缘工件的内表面需要改性处理,这些工件通常存在内壁磨损、腐蚀等问题。特别是对于管件,普通处理方法无法满足其表面强化要求。表面沉积技术中如多弧离子镀、磁控溅射以及化学气相沉积等是其中非常重要的改性手段,但对于孔内沉积膜层这些技术均有限制,特别是孔径比大的圆筒沉积均匀性更差,深孔镀膜无论是国外还是国内都是一个制约其发展的技术瓶颈。现有技术中有一些对金属工件内表面镀膜的装置,金属工件作为负极使等离子体扫射到金属内表面,但是对于一些非金属、绝缘体的工件还没有比较好的解决。
发明内容
为此,本实用新型要解决现有技术中绝缘工件内表面镀膜不便的问题,从而提供一种绝缘管状工件的内镀装置。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种绝缘管状工件的内镀装置,包括真空室与工件,所述工件外部环设有表面磁场,所述真空室上设置有真空法兰,所述真空法兰上安装有阴极弧源法兰与阴极弧源磁场,所述工件内设有辅助阳极与旋转辅助阴极,所述旋转辅助阴极靠近工件内壁且围绕辅助阳极做圆周运动。
进一步地,所述真空法兰、阴极弧源法兰以及阴极弧源磁场设有两组,且分别位于工件两端。
进一步地,所述旋转辅助阴极为弧形长条片,其宽度为2-5mm。
进一步地,所述旋转辅助阴极距离工件内壁3-10mm。
进一步地,所述旋转辅助阴极做圆周运动的速度为1-10r/min。
进一步地,所述表面磁场的电流为0-10A,强度为10-50mT。
进一步地,所述旋转辅助阴极与辅助阳极的电压为0-500V。
本实用新型提供的绝缘管状工件的内镀装置,在磁场作用下将进入工件内部的等离子体向工件内部伸入引导,再由工件内部的不断做圆周运动的负极与悬停的正极产生所产生的电场作用下,等离子体扫射到工件内壁,形成致密的镀膜层,本装置对绝缘管状工件作用良好,解决的常规内镀装置只能对金属管状工件镀膜的缺点。
附图说明
图1为本实用新型的原理示意图。
图中各附图标记说明如下:
101、阴极弧源法兰;102、阴极弧源磁场;103、真空法兰;104、旋转辅助阴极;105、真空室;106、支撑架;107、表面磁场;108、辅助阳极;109、工件。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示的绝缘管状工件109的内镀装置,包括真空室105与工件109,工件109外部环设有表面磁场107,表面磁场107由电磁线圈产生,工件109表面形成线包,电磁线圈直接缠绕在工件109上或者缠绕在工件109外部的支撑部件上。本方案中表面磁场107为脉冲式的,可以提高靶的离化率,更利于控制等离子体在管内的运动,可去除更多的大颗粒,保证膜的致密性。
真空室105上设置有对接工件109端部的真空法兰103,真空法兰103上安装有阴极弧源法兰101与阴极弧源磁场102,等离子体受到阴极弧源磁场102的作用加速进入工件109内部,再由工件109的表面磁场107牵引向工件109内腔深处运动,考虑到部分工件109为长管状,为了提高等离子体进入的深度和在工件109内部的均匀性,阴极弧源磁场102设有两组,分别位于工件109两端。
工件109内设有辅助阳极108与旋转辅助阴极104,辅助阳极108悬于工件109轴线处,旋转辅助阴极104靠近工件109内壁且围绕辅助阳极108做圆周运动。在辅助阳极108与旋转辅助阴极104的电场作用下,进入工件109内部的等离子体会由辅助阳极108射向旋转辅助阴极104实现定向加速,并最后停留在工件109内壁上。随着旋转辅助阴极104做圆周运动,等离子体会往工件109内壁上扫射,逐渐形成一圈完整的镀膜层。
进一步地,旋转辅助阴极104为弧形长条片,其宽度为2-5mm,旋转辅助阴极104距离工件109内壁3-10mm,旋转辅助阴极104做圆周运动的速度为1-10r/min。
进一步地,表面磁场107的电流为0-10A,强度为10-50mT。
进一步地,旋转辅助阴极104与辅助阳极108的电压为0-500V。
工件109外线包的频率为0-30Hz,电流为0-50A,这个线包产生的磁场可以控制弧斑运动,使离化率更高,大颗粒更少。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。
Claims (7)
1.一种绝缘管状工件的内镀装置,包括真空室与工件,所述工件外部环设有表面磁场,所述真空室上设置有真空法兰,所述真空法兰上安装有阴极弧源法兰与阴极弧源磁场,其特征在于,所述工件内设有辅助阳极与旋转辅助阴极,所述旋转辅助阴极靠近工件内壁且围绕辅助阳极做圆周运动。
2.根据权利要求1所述的绝缘管状工件的内镀装置,其特征在于,所述真空法兰、阴极弧源法兰以及阴极弧源磁场设有两组,且分别位于工件两端。
3.根据权利要求1所述的绝缘管状工件的内镀装置,其特征在于,所述旋转辅助阴极为弧形长条片,其宽度为2-5mm。
4.根据权利要求1所述的绝缘管状工件的内镀装置,其特征在于,所述旋转辅助阴极距离工件内壁3-10mm。
5.根据权利要求1所述的绝缘管状工件的内镀装置,其特征在于,所述旋转辅助阴极做圆周运动的速度为1-10r/min。
6.根据权利要求1所述的绝缘管状工件的内镀装置,其特征在于,所述表面磁场的电流为0-10A,强度为10-50mT。
7.根据权利要求1所述的绝缘管状工件的内镀装置,其特征在于,所述旋转辅助阴极与辅助阳极的电压为0-500V。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201921014795.6U CN210287498U (zh) | 2019-07-02 | 2019-07-02 | 一种绝缘管状工件的内镀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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CN201921014795.6U CN210287498U (zh) | 2019-07-02 | 2019-07-02 | 一种绝缘管状工件的内镀装置 |
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CN210287498U true CN210287498U (zh) | 2020-04-10 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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CN113373417A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-10 | 哈尔滨工业大学 | 阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法 |
CN113388807A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-14 | 哈尔滨工业大学 | 一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法 |
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