CN204289364U - 一种用于大口径平行束离子源的磁场装置 - Google Patents
一种用于大口径平行束离子源的磁场装置 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种用于大口径平行束离子源的磁场装置,包括安装板,所述安装板中部设有一圆形区域,该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽,每个所述圆槽内均设置有至少一根磁棒;两个相邻所述圆槽之间的安装板区域为放电区域,且所述放电区域的总面积小于所述磁棒占用的总面积;所述圆形区域外的安装板上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒,且所述多根导磁棒分别与相应圆槽内的磁棒位置一一对应。本实用新型可提高离子源放电室内的磁场均匀性,确保放电室内磁场方向一致,从而提高离子源离子束的均匀性要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于离子源的磁场装置,特别是一种用于大口径平行束离子源的磁场装置。
背景技术
离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击,将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出,从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程,在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点,并且可以对绝大部分材料进行刻蚀,例如:金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料。平行束离子源要求放电室内磁场为径向,传统离子源将磁场装置安装在放电室内,磁场面积小于放电区域截面积,从而磁场边缘区域磁力线方向为倾斜方向,不能完全为径向,最终影响周边位置束流均匀性。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是,针对现有技术不足,提供一种用于大口径平行束离子源的磁场装置,提高离子源放电室内磁场的均匀性,从而提高离子束均匀性。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种用于大口径平行束离子源的磁场装置,包括安装板,所述安装板中部设有一圆形区域,该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽,每个所述圆槽内均设置有至少一根磁棒;两个相邻所述圆槽之间的安装板区域为放电区域,且所述放电区域的总面积小于所述磁棒占用的总面积;所述圆形区域外的安装板上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒,且所述多根导磁棒分别与相应圆槽内的磁棒位置一一对应。
与现有技术相比,本实用新型所具有的有益效果为:本实用新型可提高离子源放电室内的磁场均匀性,确保放电室内磁场方向一致,从而提高离子源离子束的均匀性要求。
附图说明
图1为本实用新型一实施例三维效果图;
图2为本实用新型一实施例磁棒与导磁棒分布示意图;
图3为本实用新型一实施例单排磁棒与导磁棒分布示意图。
具体实施方式
如图1和图2所示,本实用新型一实施例包括安装板1,所述安装板1中部设有一圆形区域,该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽11,每个所述圆槽11内均设置有至少一根磁棒2;两个相邻所述圆槽11之间的安装板1区域为放电区域21,且所述放电区域21的总面积小于所述磁棒2占用的总面积;所述圆形区域外的安装板1上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒3,且所述多根导磁棒3分别与相应圆槽11内的磁棒2位置一一对应。
图1和图2中的圆槽11内均安装有多根磁棒2。同一圆槽11内的相邻磁棒2采用非导磁材料隔离,磁棒2分布越密则放电室内磁场越强。磁棒2分布区域大于离子源放电区域面积21。
导磁棒3一般为纯铁,也可以直接采用永磁体。若干导磁棒3分布于离子源放电室外同一圆周上,各导磁棒3的位置与磁棒2安装圆槽11对应。
如图3所示,安装板1上的每个圆槽11内磁棒磁场方向相同,也可以采用一根整体长磁棒放置在圆槽11内,经过圆槽两端位置导磁棒3的引导,在两端的导磁棒3之间形成单一方向的磁场,最终在放电室内形成平行磁场。
Claims (4)
1.一种用于大口径平行束离子源的磁场装置,包括安装板(1),其特征在于,所述安装板(1)中部设有一圆形区域,该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽(11),每个所述圆槽(11)内均设置有至少一根磁棒(2);两个相邻所述圆槽(11)之间的安装板(1)区域为放电区域(21),且所述放电区域(21)的总面积小于所述磁棒(2)占用的总面积;所述圆形区域外的安装板(1)上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒(3),且所述多根导磁棒(3)分别与相应圆槽(11)内的磁棒(2)位置一一对应。
2.根据权利要求1所述的用于大口径平行束离子源的磁场装置,其特征在于,所述每个圆槽(11)内设有两根以上磁棒(2),且每个圆槽(11)内的磁棒(2)磁场方向相同。
3.根据权利要求2所述的用于大口径平行束离子源的磁场装置,其特征在于,每个所述圆槽(11)内的相邻两根磁棒(2)之间通过非导磁材料隔离。
4.根据权利要求1~3之一所述的用于大口径平行束离子源的磁场装置,其特征在于,所述导磁棒(3)采用纯铁或者永磁体制成。
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CN201420694953.8U CN204289364U (zh) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 一种用于大口径平行束离子源的磁场装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109307819A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-02-05 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种大口径稳态磁场免疫力测试平台 |
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2014
- 2014-11-19 CN CN201420694953.8U patent/CN204289364U/zh active Active
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CN109307819A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-02-05 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种大口径稳态磁场免疫力测试平台 |
CN109307819B (zh) * | 2018-11-22 | 2020-09-25 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种大口径稳态磁场免疫力测试平台 |
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Legal Events
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GR01 | Patent grant |