CN204256704U - 触摸屏 - Google Patents
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Abstract
一种触摸屏包括依次层叠的基材、减反膜及导电层。减反膜包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，所述高折射率层与所述低折射率层依次交替层叠。由于在基材及导电层之间设置了减反膜层结构，避免了形成OCA/ITO及OCA/PET界面，有效减少了反射；而且减反膜包括依次交替层叠的至少一高折射率层和至少一低折射率层，增大了导电层的光透过率，进一步有效减少了触摸屏可视区的反射，消除了可视区与非可视区的色差，提升了显示品质。
Description
技术领域
本实用新型涉及触控技术领域，特别是涉及一种触摸屏。
背景技术
ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)透明导电薄膜是一种N型半导体材料，其对可见光吸收小，且具有较高的可见光透过率、中远红外波段优良的红外反射性能及微波衰减性能、高机械硬度和良好的化学稳定性，成为了光电器件应用领域非常重要的光学元件。
传统触摸屏一般是采用透明光学胶(Optically Clear Adhesive，OCA)将盖板玻璃和导电薄膜进行贴合，形成OCA/ITO及OCA/PET界面。但是因为各不同介质界面间存在界面反射，导致触摸屏可视区存在较高的反射，严重影响了面板的显示效果。
实用新型内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种可以有效减少触摸屏可视区的反射的触摸屏。
一种触摸屏，包括：
基材，包括第一表面及背向于所述第一表面的第二表面；
减反膜，包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，所述高折射率层与所述低折射率层在所述基材的第一表面依次交替层叠；及
导电层，设置于所述减反膜背向于所述第一表面的表面，使所述减反膜位于所述导电层与所述基材之间。
在其中一个实施例中，所述高折射率层为五氧化二铌层、二氧化钛层、三氧化二铝层、硫化锌层、三氧化二钇层或二氧化锆层，所述低折射率层的材质为二氧化硅层。
在其中一个实施例中，所述减反膜包括一层五氧化二铌层和两层二氧化硅层，五氧化二铌层位于两层二氧化硅层之间。
在其中一个实施例中，所述二氧化硅层的厚度为30nm～50nm，所述五氧化二铌层的厚度为5nm～15nm。
在其中一个实施例中，所述基材的规格为7.6cm*2.5cm*0.1cm。
在其中一个实施例中，所述导电层的厚度为10nm～30nm。
上述触摸屏，由于在基材及导电层之间设置了减反膜层结构，避免了形成OCA/ITO及OCA/PET界面，有效减少了反射；而且减反膜包括依次交替层叠的至少一高折射率层和至少一低折射率层，增大了导电层的光透过率，进一步有效减少了触摸屏可视区的反射，消除了可视区与非可视区的色差，提升了显示品质。
附图说明
图1为一实施方式中触摸屏的结构示意图；
图2为传统触摸屏的反射率(曲线1)与增设减反膜后的触摸屏(曲线2)的反射率曲线对比图，其中横轴的参数表示波长，纵轴的参数表示反射率；
图3为一实施方式中触摸屏的制备方法的流程示意图；
图4为图3中步骤S120的具体操作流程示意图；
图5为图3中步骤S130的具操作流程示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，为一实施方式中的触摸屏100的结构示意图。该触摸屏100省去了采用透明光学胶进行贴合的方式，而通过在基材110及导电层120之间设置减反膜130，避免了形成OCA/ITO及OCA/PET界面，有效减少了反射。该触摸屏100包括基材110、导电层120及减反膜130。
基材110包括第一表面111及背向于第一表面111的第二表面112。基材110大致呈板状结构。基材110可以为PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)或者玻璃等材质制成。具体到本实施方式中，基材110的规格可以为7.6cm*2.5cm*0.1cm。
减反膜130包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，高折射率层和低折射率层在基材110的第一表面111依次交替层叠。减反膜130的作用主要是减少光的反射，以增加光透过率。
具体到本实施方式中，高折射率层的材质可以为五氧化二铌(Nb2O5)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、硫化锌(ZnS)、三氧化二钇(Y2O3)或二氧化锆(ZrO2)。低折射率层的材质可以为二氧化硅(SiO2)。
请参阅图1，本实施方式中，减反膜130具体包括一层五氧化二铌层132和两层二氧化硅层131，五氧化二铌层132位于两层二氧化硅层131之间。以符合触摸屏厚度越来越薄的发展趋势。当然，在其它的实施方式中，减反膜130也可以采用两层五氧化二铌132和一层二氧化硅131依次交替层叠设置。或者，减反膜130也可以设置多层五氧化二铌132和多层二氧化硅131依次交替层叠设置。二氧化硅层的厚度可以为30nm～50nm，五氧化二铌层的厚度可以为5nm～15nm。
导电层120设置于减反膜130背向于第一表面111的表面，使减反膜130位于导电层120与基材110之间。具体到本实施方式中，导电层120可以为ITO导电层。选取原料ITO靶材，在ITO膜真空镀膜室内对基材110形成减反膜130后的结构进行真空镀膜，以在减反膜130背向于第一表面111的表面形成ITO导电层。具体到本实施方式中，ITO靶材的组成包括In2O3和SnO2，In2O3的含量可以为80％～90％，纯度为90.00％～99.99％，靶材的直径为8cm～10cm，优选为9cm。溅射镀膜时ITO靶材距基材距离为7.0cm。镀膜室的本底真空度为1.0×10-3Pa～2.0×10-3Pa，氩气压强为0.3Pa～1Pa，氩气流量为12.0cm3/min～15cm3/min，溅射功率为120W～180W，优选为150W，常温条件下实现镀膜，镀膜时间为1.5min～2min，测得镀好后的导电层120的厚度约为10nm～30nm，优选为20nm。
请一并参阅图2，上述触摸屏100，由于在基材及导电层之间设置了减反膜层结构，避免了形成OCA/ITO及OCA/PET界面，有效减少了反射；而且减反膜130包括至少一高折射率层和至少一低折射率层的减反膜130，可从根本上改变导电层与基材之间的干涉条件，增大了导电层120的光透过率，进一步有效减少了触摸屏100可视区的反射，消除了可视区与非可视区的色差，提升了显示品质。
请参阅图3至图5，为一实施方式中触摸屏的制备方法的流程示意图，该触摸屏的制备方法具体包括以下步骤：
步骤S110，提供基材。基材包括第一表面及背向于第一表面的第二表面。基材大致呈板状结构。基材的材质可以为PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)或者玻璃等材质制成。具体到本实施方式中，基材的规格可以为7.6cm*2.5cm*0.1cm。
步骤S120，对基材进行清洗。具体包括以下步骤：
步骤S121，丙酮超声清洗，时间为5min～10min，以去除基材表面的油脂。
步骤S122，乙醇超声清洗，时间为2min～5min，以去除基材表面的残余丙酮。
步骤S123，第一次去离子水冲洗，时间为2min～5min，去除基材表面的残留乙醇。
步骤S124，将基材置于1#液中以110℃～130℃煮洗，直至H2O2完全挥发，溶液冒白烟，以去除基材表面的有机物，1#液为质量配比为硫酸：H2O2＝3：1的溶液。
步骤S125，第二次去离子水冲洗，时间为10min～15min。
步骤S126，将基材置于2#液中以75℃～85℃煮洗，时间为10min～20min，利用氨水络合作用去除重金属杂质，2#液为质量配比为氨水：H2O2：H2O＝1：1：6的溶液。
步骤S127，第三次去离子水冲洗，时间为5min～10min。
步骤S128，将基材置于3#液中以75℃～85℃煮洗，煮至H2O2完全挥发，以去除基材表面的金属离子，所述3#液为质量配比为HCl：H2O2：H2O＝1：1：6的溶液。
步骤S129a，第四次去离子水冲洗，时间为5min～10min。
步骤S129b，将基材置于10％的氢氟酸中煮洗，时间为5s～10s，以去除基材表面氧化层。
步骤S129c，第五次去离子水冲洗，时间为20min。
步骤S129d，清洗后的基材在氮气氛围中利用红外灯加热烘干，时间为1h～2h，烘干后在氮气氛围中保存备用。
步骤S130，在基材的第一表面形成减反膜，减反膜包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，高折射率层与低折射率层依次交替层叠。具体到本实施方式中，高折射率层的材质可以为五氧化二铌(Nb2O5)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、硫化锌(ZnS)、三氧化二钇(Y2O3)或二氧化锆(ZrO2)。低折射率层的材质可以为二氧化硅(SiO2)。
具体到本实施方式中，步骤S130的举例可以为以下方式：
步骤S131，在基材的第一表面采用真空镀膜的方式形成一层二氧化硅层。具体操作为：采用二氧化硅作为靶材，纯度为90.00％～99.99％，靶材直径为10cm～12cm，优选为11.5cm。溅射镀膜时二氧化硅靶材距基材距离为4cm～6cm，优选为5.5cm，镀膜时的真空度为1.0×10-3Pa～2.0×10-3Pa，溅射气压为0.8Pa～1.2Pa，工作气体为氧气和氩气混合气体，氧气和氩气流量分别为88cm3/min和132cm3/min，二者分压比为2：5；射频电源功率为0.8KW～1.2KW，优选为1kW。镀膜前用氩气预溅射靶材表面20min以上，以去除靶材表面的氧化物和其它杂质，然后通入氧气，待辉光稳定后，打开挡板，转动基材转盘，置基材于辉光中溅射成膜。沉积过程中，利用掩膜在基材上作出膜-基材台阶，二氧化硅层的厚度使用Alpha-Step IQ台阶仪进行测量，测得二氧化硅层的厚度约为50nm时停止镀膜。
步骤S132，在二氧化硅层背向于第一表面的一面采用真空镀膜的方式形成一层五氧化二铌层。具体的操作步骤为：采用金属铌作为靶材，纯度为90.00％～99.9％，靶与基材的距离为10cm～12cm，溅射功率为3.5kW～4.0kW，优选为3.98kW，溅射前真空腔的气压为2.0×10-4Pa～5.0×10-4Pa，溅射过程中以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，真空气压为0.2Pa～1Pa。氩气和氧气的流量均为100cm3/min，在每次沉积薄膜前用氩气对靶材表面进行预溅射20min以上，以去除靶材表面的氧化物和其他杂质，然后通入氧气，待辉光稳定后，打开挡板，转动基材转盘，置基材于辉光中溅射成膜。沉积薄膜的时间为25s～30s，五氧化二铌层的厚度约为10nm。
步骤S133，在五氧化二铌层背向于二氧化硅层的一面采用真空镀膜的方式形成一层二氧化硅层。具体操作步骤参照步骤S131，其二氧化硅层的厚度大约为30nm。
步骤S140，在减反膜背向于第一表面的一面形成导电层。具体到本实施方式中，导电层可以为ITO导电层。形成导电层的具体步骤包括：采用真空镀膜的方式在减反膜背向于第一表面的一面形成ITO导电层，所用的ITO靶材组成包括In2O3和SnO2，In2O3含量为80％～90％，纯度为90.00％～99.99％，靶材直径为8cm～10cm，优选为9cm；真空镀膜时间为1.5min～2min，镀膜时真空度为1.0×10-3Pa～2.0×10-3Pa，氩气压强为0.3Pa～1Pa，氩气流量为12.0cm3/min～15cm3/min，溅射功率为120W～180W，常温条件下实现镀膜，镀膜时间为1.5min～2min。
上述触摸屏的制备方法，通过在基材及导电层之间形成减反膜，避免了形成OCA/ITO及OCA/PET界面，有效减少了反射；而且减反膜包括依次交替层叠的至少一高折射率层和至少一低折射率层，可从根本上改变导电层与基材之间的干涉条件，提高触摸屏的光透过率，有效减少了触摸屏可视区的反射，消除了可视区与非可视区的色差，提升了显示品质。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种触摸屏，其特征在于，包括：
基材，包括第一表面及背向于所述第一表面的第二表面；
减反膜，包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，所述高折射率层与所述低折射率层在所述基材的第一表面依次交替层叠；及
导电层，设置于所述减反膜背向于所述第一表面的表面，使所述减反膜位于所述导电层与所述基材之间。
2.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述高折射率层为五氧化二铌层、二氧化钛层、三氧化二铝层、硫化锌层、三氧化二钇层或二氧化锆层，所述低折射率层的材质为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述减反膜包括一层五氧化二铌层和两层二氧化硅层，五氧化二铌层位于两层二氧化硅层之间。
4.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为30nm～50nm，所述五氧化二铌层的厚度为5nm～15nm。
5.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述基材的规格为7.6cm*2.5cm*0.1cm。
6.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述导电层的厚度为10nm～30nm。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105060732A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-11-18 | 广州市颐恩汇商贸发展有限公司 | 镀膜玻璃及其加工方法 |
| CN105096758A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-11-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示器件 |
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| CN111560586A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-21 | 豪威星科薄膜视窗(深圳)有限公司 | 一种电容触摸屏镀膜工艺及触摸屏 |
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