CN204242147U - 触控显示基板和触控显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种触控显示基板和触控显示装置,该触控显示基板包括:形成于衬底基板上的导电桥,导电桥的上方形成有触控信号引出线,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,触控信号引出线的上方形成有钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔,钝化层上形成有触控电极,触控电极通过过孔与导电桥上未覆盖触控信号引出线的区域连接。本实用新型的技术方案,通过在触控信号引出线下方设置一导电桥,且触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,同时钝化层上的过孔对应于导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此可有效的避免在钝化层上刻蚀过孔时对触控信号引出线造成刻蚀。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种触控显示基板和触控显示装置。
背景技术
内嵌式触控(In-cell Touch)显示装置凭借着薄型化、轻量化等优势,已成为很多公司的主要产品。
图1为现有技术中触控显示基板的截面示意图,如图1所示,该触控显示基板包括:衬底基板1和触控结构,触控结构包括:触控信号引出线7和触控电极8,触控信号引出线7和触控电极8之间形成有钝化层2,钝化层2上对应触控信号引出线7的区域形成有过孔3,触控电极8通过过孔3与触控信号引出线7电连接。
在现有技术中,为降低触控信号引出线7的电阻,往往将触控信号引出线设计为由下至上依次层叠的Mo膜4、Al膜5和Mo膜6的三层膜结构。在实际生产过程中发现,在钝化层2上刻蚀过孔3时,不可避免的会产生过刻蚀现象,即对触控信号引出线也产生了部分刻蚀。当触控信号引出线7中最上方的Mo膜被刻4蚀掉之后,Al膜5因暴露在空气中而被氧化,从而出现Al膜5断裂的现象,进而导致触控信号引出线7无法正常传输信号。
实用新型内容
本实用新型提供一种触控显示基板和触控显示装置,可有效解决在钝化层上刻蚀过孔时对触控信号引出线造成刻蚀的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种触控显示基板,包括:衬底基板,所述衬底基板的上方形成有导电桥,所述导电桥的上方形成有触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域,所述触控信号引出线的上方形成有钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔,所述钝化层上形成有触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。
可选地,所述触控信号引出线包括:由下至上依次层叠的第二金属图案和第三金属图案,所述第二金属图案由至少一种低电阻导电材料构成,所述第三金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。
可选地,所述触控信号引出线还包括:位于所述第二金属图案下方的第一金属图案,所述第一金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。
可选地,还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方。
可选地,所述导电桥与所述像素电极同层设置。
可选地,所述触控信号引出线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和所述薄膜晶体管的漏极同层设置。
可选地,所述导电桥为条状,所述导电桥与所述触控信号引出线平行设置。
为实现上述目的,本实用新型还提供一种触控显示装置,包括:触控显示基板,该触控显示基板采用上述的触控显示基板。
为实现上述目的,本实用新型还提供一种触控显示基板的制备方法,包括:
在衬底基板的上方形成导电桥;
在所述导电桥的上方形成触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域;
在所述触控信号引出线的上方形成钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔;
在所述钝化层上形成触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。
可选地,所述触控显示基板还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方;
所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤之前还包括:
通过构图工艺在所述衬底基板的上方形成栅线和栅极;
在所述栅线和所述栅极的上方形成绝缘层;
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成有源层;
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述像素电极;
所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤具体包括:
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述导电桥;
所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤之后还包括:
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述数据线,在所述有源层的上方形成源极和漏极,所述漏极连接所述有源层和所述像素电极。
可选地,形成所述像素电极的步骤与形成所述导电桥的步骤是在同一次构图工艺中进行的;
可选地,形成所述触控信号引出线的步骤与形成所述数据线、所述源极和所述漏极的步骤是在同一次构图工艺中进行的。
本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型提供了一种触控显示基板和触控显示装置,其中该触控显示基板包括:衬底基板,衬底基板的上方形成有导电桥,导电桥的上方形成有触控信号引出线,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,触控信号引出线的上方形成有钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔,钝化层上形成有触控电极,触控电极通过过孔与导电桥上未覆盖触控信号引出线的区域连接。本实用新型的技术方案,通过在触控信号引出线下方设置一导电桥,且触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,同时钝化层上的过孔对应于导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此在通过刻蚀工艺形成该过孔时,即使出现过刻蚀现象,也不会刻蚀到触控信号引出线。
附图说明
图1为现有技术中触控显示基板的截面示意图;
图2为本实用新型实施例一提供的触控显示基板的截面示意图;
图3为本实用新型实施例一提供的触控显示基板的制备方法的流程图;
图4为本实用新型实施二提供的触控显示基板的俯视图;
图5为图4中A-A向的截面示意图;
图6为本实用新型实施二提供的又一种触控显示基板的俯视图;
图7为本实用新型实施例二提供的触控显示基板的制备方法的流程图;
图8a~图8e为制备图4所示的触控显示基板的中间结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型提供的触控显示基板和触控显示装置进行详细描述。
图2为本实用新型实施例一提供的触控显示基板的截面示意图,如图2所示,该触控显示基板包括:衬底基板1,衬底基板1的上方形成有导电桥9,导电桥9的上方形成有触控信号引出线7,触控信号引出线7覆盖导电桥9的上表面的部分区域,触控信号引出线7的上方形成有钝化层2,钝化层2上对应导电桥9的上表面未覆盖触控信号引出线7的区域形成有过孔3,钝化层2上形成有触控电极8,触控电极8通过过孔3与导电桥9连接。
本实用新型的技术方案,通过在触控信号引出线7下方设置一导电桥9,且触控信号引出线7覆盖导电桥9的上表面的部分区域,同时钝化层2上的过孔3对应于导电桥9的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此在通过刻蚀工艺形成该过孔3时,即使出现过刻蚀现象,也不会刻蚀到触控信号引出线7。
可选地,触控信号引出线7为双层膜结构,该触控信号引出线具体包括由下至上依次层叠的第二金属图案25和第三金属图案26,第二金属图案25由至少一种低电阻导电材料构成,该低电阻导电材料具体可为:Al、AlNd、Cu或Ag,第三金属图案26由至少一种耐氧化导电材料构成,该耐氧化导电材料具体可为:Cr、Ti、Mo或MoW。
本实施例中,触控信号引出线7为三层膜结构,该三层膜结构的触控信号引出线与上述双层膜结构的触控信号引出线的区别在于,在第二金属图案25的下方还设置有第一金属图案24,其中第一金属图案24由至少一种耐氧化导电材料构成,该耐氧化导电材料可为:Cr、Ti、Mo或MoW。
本实用新型实施例一还提供了一种触控显示基板的制备方法,用于制备图2所示的触控显示基板。图3为本实用新型实施例一提供的触控显示基板的制备方法的流程图,如图3所示,该制备方法包括:
步骤101:在衬底基板的上方形成导电桥。
在步骤101中,首先在衬底基板1上形成一层导电材料薄膜,然后对该导电材料薄膜进行构图工艺形成导电桥9的图形。
需要说明的是,本实用新型中的形成薄膜的过程可采用沉积、涂敷、溅射等多种方式。本实用新型中的构图工艺是指包括有光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
步骤102:在导电桥的上方形成触控信号引出线,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域。
在步骤102中,以控信号引出线为Mo/Al/Mo的三层结构为例进行描述。首先在整个基板上依次层叠形成Mo膜、Al膜和Mo膜,然后对该三层金属膜进行一次构图工艺以形成触控信号引出线7的图形,其中触控信号引出线覆盖导电桥9的上表面的部分区域。
需要说明的是,本实用新型中触控信号引出线7与导电桥9的形状及位置关系不限于图2所示情况,图2所示的触控信号引出线7与导电桥9形状及位置关系仅起到示例性作用。本实用新型中的触控信号引出线7与导电桥9仅需满足触控信号引出线7与导电桥9之间存在交叠区域,且导电桥9有露出部分(未覆盖触控信号引出线的区域)可以在其上方对应位置做过孔即可。
步骤103:在触控信号引出线的上方形成钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔。
在步骤103中,首先在触控信号引出线7的上方形成一层钝化材料薄膜,然后通过构图工艺在钝化材料薄膜上对应导电桥9的上表面未覆盖触控信号引出线7的区域以刻蚀出过孔3,此时剩余的钝化材料薄膜所构成的图形即为钝化层2。
步骤104:在钝化层上形成触控电极,触控电极通过过孔与导电桥连接。
在步骤104中,首先在钝化层2上形成一层触控电极材料薄膜,然后对该触控电极材料薄膜进行构图工艺形成触控电极8的图形,此时触控电极8通过过孔3与导电桥连接。
本实用新型实施例一提供了一种触控显示基板及其制备方法,其中该触控显示基板包括:衬底基板,衬底基板的上方形成有导电桥,导电桥的上方形成有触控信号引出线,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,触控信号引出线的上方形成有钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔,钝化层上形成有触控电极,触控电极通过过孔与导电桥上未覆盖触控信号引出线的区域连接。本实用新型的技术方案,通过在触控信号引出线下方设置一导电桥,且触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,同时钝化层上的过孔对应于导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此在通过刻蚀工艺形成该过孔时,即使出现过刻蚀现象,也不会刻蚀到触控信号引出线。
实施例二
图4为本实用新型实施二提供的触控显示基板的俯视图,图5为图4中A-A向的截面示意图,如图4和图5所示,该触控显示基板除了具备由触控信号引出线7、导电桥和触控电极8所构成的触控结构之外,其还具备有显示结构,该显示结构包括:栅线10、数据线15、薄膜晶体管和像素电极14,栅线10和数据线15限定出像素单元,薄膜晶体管和像素电极14位于像素单元内,薄膜晶体管包括:栅极11、有源层13、源极16和漏极17,其中栅极11与栅线10同层设置,栅线10和栅极11的上方形成有绝缘层12,数据线15、有源层13以及像素电极14均位于绝缘层12的上方,源极16和漏极17位于有源层13的上方,源极16和漏极17与数据线15同层设置,漏极17与像素电极14的上表面的部分区域直接连接,钝化层2位于数据线15、源极16、漏极17以及像素电极14的上方。
需要说明的是,在本实施例中,导电桥9位置和形态不限于图4中所示。例如,图6为本实用新型实施二提供的又一种触控显示基板的俯视图,如图6所示,在图6中,导电桥为条状,导电桥9还可以与触控信号引出线7平行设置。相较于图4所示的触控显示基板,图6所示的触控显示基板中像素单元内非显示区域的面积会减小,从而可提供像素单元的开口率。
本实用新型中导电桥9用于电连接触控电极8和触控信号引出线7,该导电桥9处于其他位置或其他形态的技术方案,本实施例不再一一举例描述。
作为本实施例的一种优选实施方案,该触控结构中的导电桥9与显示结构中的像素电极14同层设置,即导电桥9与像素电极14可通过一次构图工艺得以制备,从而可简化制备流程。
进一步优选地,触控信号引出线7与数据线15、薄膜晶体管的源极16和薄膜晶体管的漏极17同层设置,即触控信号引出线7与数据线15、源极16和漏极17可通过一次构图工艺得以制备。
此外,需要说明的是,本实施例提供的触控显示基板可以为ADS型自电容式触控显示基板,相应地,触控显示基板上还具备有公共电极。本实施例中可将自电容式触控结构中的触控电极8可复用为公共电极,具体地,触控电极8在触控阶段时加载有触控信号,触控电极8在显示阶段时加载有公共电压信号。此外,自电容式触控的工作原理为本领域的现有技术,此处不再赘述。
本实用新型实施例二还提供了一种触控显示基板的制备方法,用于制备图4所示的触控显示基板。图7为本实用新型实施例二提供的触控显示基板的制备方法的流程图,图8a~图8e为制备图4所示的触控显示基板的中间结构示意图,如图7和图8a~图8e所示,该制备方法包括:
步骤201:通过一次构图工艺在衬底基板的上方形成栅线和栅极。
参见图8a,在步骤201中,首先在衬底基板1上形成一栅金属材料薄膜,然后对该栅金属材料薄膜进行构图工艺形成栅极11和栅线10的图形。
步骤202:在栅线和栅极的上方形成绝缘层。
在步骤202中,通过气象沉积技术在栅线10和栅极11的上方形成衬底一层绝缘材料,即构成绝缘层12,此步骤未给出相应的示意图。
步骤203:通过一次构图工艺在绝缘层的上方形成有源层。
参见图8b,在步骤203中,首先在绝缘层12上形成一有源层材料薄膜,然后对该有源层材料薄膜进行构图工艺形成有源层13的图形。
步骤204:通过一次构图工艺在绝缘层的上方形成像素电极14和导电桥9。
参见图8c,在步骤204中,首先在绝缘层12上形成一透明导电材料(例如:ITO)薄膜,然后对该透明导电材料进行构图工艺形成像素电极14和导电桥9的图形。
需要说明的是,将像素电极14与导电桥9在同一次构图工艺中形成的技术手段,为本实施例的优选方案,这并不会对本实用新型的技术方案产生限制。
步骤205:通过一次构图工艺在绝缘层的上方形成数据线,在有源层的上方形成源极和漏极,在导电桥的上方形成触控信号引出线。
参见图8d,在步骤205中,以数据线15、源极16、漏极17和触控信号引出线7均为Mo/Al/Mo的三层结构为例进行描述。首先在整个基板上依次层叠形成Mo膜、Al膜和Mo膜,然后对该三层金属膜进行一次构图工艺以在绝缘层12的上方形成数据线15、在有源层13的上方形成源极16和漏极17、在导电桥9的上方形成触控信号引出线7,其中该漏极17与有源层13和像素电极14连接,触控信号引出线7覆盖导电桥9的上表面的部分区域。此时衬底基板1上方的栅极11、有源层13、源极16和漏极17以构成薄膜晶体管。
需要说明的是,将触控信号引出线7与数据线15、源极16和漏极17在同一次构图工艺中形成的技术手段,为本实施例的优选方案,这并不会对本实用新型的技术方案产生限制。
步骤206:在数据线、源极、漏极和触控信号引出线的上方形成钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔。
参见图8e,在步骤206中,首先在数据线15、源极16、漏极17和触控信号引出线7的上方形成一层钝化材料薄膜,然后通过构图工艺在钝化材料薄膜上对应导电桥9的上表面未覆盖触控信号引出线7的区域以刻蚀出过孔3,此时剩余的钝化材料薄膜所构成的图形即为钝化层2。
步骤207:通过一次构图工艺在钝化层2上形成触控电极8。
参见图4,在步骤207中,首先在钝化层2上形成一层触控电极材料薄膜,然后对该触控电极材料薄膜进行构图工艺形成触控电极8的图形,此时触控电极8通过过孔3与导电桥9连接。流程结束。
需要说明的是,当制备出的触控显示基板为ADS型自电容式触控显示基板时,在步骤207中制备出的触控电极8可复用为公共电极。
本实用新型实施例二提供了一种触控显示基板及其制备方法,其中该触控显示基板包括:衬底基板,衬底基板的上方形成有导电桥,导电桥与像素电极同层设置,导电桥的上方形成有触控信号引出线,触控信号引出线与数据线、源极和漏极同层设置,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,触控信号引出线的上方形成有钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔,钝化层上形成有触控电极,触控电极通过过孔与导电桥上未覆盖触控信号引出线的区域连接。本实用新型的技术方案,通过在触控信号引出线下方设置一导电桥,且触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,同时钝化层上的过孔对应于导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此在通过刻蚀工艺形成该过孔时,即使出现过刻蚀现象,也不会刻蚀到触控信号引出线。此外,由于该触控显示基板中的导电桥可与像素电极同层设置,触控信号引出线与数据线、源极和漏极同层设置,因此可在制备像素电极的同时以制备出导电桥,在制备数据线、源极和漏极的同时以制备出触控信号引出线,所以本实用新型的技术方案可有效简化触控显示基板的制备流程。
实施例三
本实用新型实施例三提供了一种触控显示装置,该触控显示装置包括:触控显示基板,该触控显示基板可采用上述实施例一或实施例二中提供的触控显示基板,具体内容可参见上述实施例一或实施例二中的描述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种触控显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板的上方形成有导电桥,所述导电桥的上方形成有触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域,所述触控信号引出线的上方形成有钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔,所述钝化层上形成有触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。
2.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线包括:由下至上依次层叠的第二金属图案和第三金属图案,所述第二金属图案由至少一种低电阻导电材料构成,所述第三金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。
3.根据权利要求2所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线还包括:位于所述第二金属图案下方的第一金属图案,所述第一金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。
4.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方。
5.根据权利要求4所述的触控显示基板,其特征在于,所述导电桥与所述像素电极同层设置。
6.根据权利要求5所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和所述薄膜晶体管的漏极同层设置。
7.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,所述导电桥为条状,所述导电桥与所述触控信号引出线平行设置。
8.一种触控显示装置,其特征在于,包括:如上述权利要求1-7中任一所述的触控显示基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420779604.6U CN204242147U (zh) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | 触控显示基板和触控显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420779604.6U CN204242147U (zh) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | 触控显示基板和触控显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204242147U true CN204242147U (zh) | 2015-04-01 |
Family
ID=52771615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420779604.6U Withdrawn - After Issue CN204242147U (zh) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | 触控显示基板和触控显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204242147U (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20150401 Effective date of abandoning: 20170630 |
|
AV01 | Patent right actively abandoned |