CN204216083U - 电路基板及光半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及电路基板及光半导体装置。电路基板具备：用于将光半导体元件安装在厚度方向的一侧的含荧光体基板，和，层叠在含荧光体基板的厚度方向的一面、用于与光半导体元件电连接的电极布线。本实用新型的目的在于提供能够以简便的构成低成本地制造厚度方向其他侧的光束增强了的光半导体装置的电路基板及光半导体装置。

Description

电路基板及光半导体装置
技术领域
本实用新型涉及电路基板、光半导体装置及其制造方法，详细而言，涉及光半导体装置的制造方法、该方法中使用的电路基板、以及具备该电路基板的光半导体装置。 
背景技术
光半导体装置具备：在上表面层叠有电极的电路基板、以与电极电连接的方式安装在电路基板上的光半导体元件以及以被覆光半导体元件的方式设置在电路基板上的荧光体层。光半导体装置中，电流从电路基板的电极流向光半导体元件，通过荧光体层对由光半导体元件发出的光进行波长转换，向上方照射经波长转换的光。 
而为了增强相对于光半导体装置的下方的光束，例如提出了一种发光装置，其具备透光性陶瓷基板、安装在其上的LED以及设置在透光性陶瓷基板下的含有黄色荧光体颗粒的第3波长转换材料(例如参见下述专利文献1)。 
专利文献1中记载的发光装置通过第3波长转换材料对LED发出的光中透过透光性陶瓷基板且朝向下方的光的波长进行转换，向下方照射波长转换后的光。 
现有技术文献 
专利文献 
专利文献1：国际公开WO2012/090350号 
实用新型内容
实用新型要解决的问题 
然而，存在将光半导体装置的构成简化、降低制造成本的要求。 
但是，专利文献1的发光装置由于除了具备透光性陶瓷基板以外，还在透光性陶瓷基板的下侧具备第3波长转换材料，因此部件数多，与此相应地光半导体装置的构成复杂化，此外，光半导体装置的制造方法变繁杂，结果存在无法充分满足上述要求的不利情况。 
本实用新型的目的在于提供能够以简便的构成低成本地制造厚度方向其他侧的光束增强了的光半导体装置的电路基板、光半导体装置及其制造方法。 
用于解决问题的方案 
为了达到上述目的，本实用新型的电路基板的特征在于具备：用于将光半导体元件安装在厚度方向的一侧的含荧光体基板，和，层叠在前述含荧光体基板的厚度方向的一面、用于与前述光半导体元件电连接的电极布线。 
由于该电路基板具备含荧光体基板，因此无需另行在含荧光体基板的另一面设置荧光体层即可以通过含荧光体基板对向厚度方向其他侧发出的光进行波长转换。因此，可以在增强光半导体装置的厚度方向其他侧的光束的同时减少光半导体装置中的部件数，将光半导体装置的构成简化。结果，可以减少光半导体装置的制造工序数，简化制造方法，提高光半导体装置的生产率，降低制造成本。 
此外，在本实用新型的电路基板中，优选前述含荧光体基板是透光性的。 
根据该电路基板，由于含荧光体基板是透光性的，因此由光半导体元件向厚度方向其他侧发出的光会透过含荧光体基板并被波长转换。因此，可以防止厚度方向其他侧的发光量降低。 
此外，在本实用新型的电路基板中，优选前述含荧光体基板由陶瓷形成。 
该电路基板由于含荧光体基板由陶瓷形成，因此散热性优异。 
此外，在本实用新型的电路基板中，优选前述含荧光体基板由含有荧光 体和固化性树脂的C阶的荧光体树脂组合物形成。 
该电路基板由于含荧光体基板由C阶的荧光体树脂组合物形成，因此柔软性优异。 
本实用新型的光半导体装置的特征在于，具有下述的电路基板和下述的光半导体元件：所述电路基板具备：用于将光半导体元件安装在厚度方向的一侧的含荧光体基板，和，层叠在所述含荧光体基板的厚度方向的一面、用于与所述光半导体元件电连接的电极布线；以及，所述光半导体元件以与所述电极布线电连接的方式安装在所述电路基板的所述含荧光体基板的厚度方向的一侧。 
该光半导体装置由于电路基板具备含荧光体基板，因此无需设置荧光体层即可以通过含荧光体基板对由光半导体元件向厚度方向其他侧发出的光进行波长转换。因此，可以在厚度方向其他侧的光束优异的同时减少部件数，简化光半导体装置的构成。结果，可以提高光半导体装置的生产率。 
此外，在本实用新型的光半导体装置中，优选还具备设置在前述含荧光体基板的前述厚度方向的一侧的封装层、反射层和荧光体层中的至少一者。 
该光半导体装置可以通过封装层对光半导体元件进行封装来提高可靠性，还可以通过反射层对由光半导体元件发出的光进行反射来提高发光效率，进而还可以通过荧光体层对由光半导体元件向厚度方向的一侧发出的光进行波长转换来提高厚度方向的一侧的光束。 
本实用新型的光半导体装置的制造方法的特征在于，包括下述工序：准备上述电路基板的准备工序；以及，安装工序，以与前述电极布线电连接的方式将光半导体元件安装在前述电路基板的前述含荧光体基板的厚度方向的一侧。 
根据该方法，通过以与电极布线电连接的方式将光半导体元件安装在电路基板的含荧光体基板的厚度方向的一侧来制造光半导体装置。因此，可以减少光半导体装置中的部件数，并与此相应地减少光半导体装置的制造工序 数，简化制造方法，提高光半导体装置的生产率，降低制造成本。 
实用新型的效果 
本实用新型的电路基板可以减少光半导体装置的制造工序数，简化制造方法，提高光半导体装置的生产率，降低制造成本。 
本实用新型的光半导体装置可以减少光半导体装置的制造工序数，简化制造方法，提高光半导体装置的生产率，降低制造成本。 
本实用新型的光半导体装置的制造方法可以减少光半导体装置的制造工序数，简化制造方法，提高光半导体装置的生产率，降低制造成本。 
附图说明
图1A和图1B是本实用新型的电路基板的一个实施方式的制造方法的工序图， 
图1A示出准备含荧光体基板的工序， 
图1B示出将电极布线层叠于含荧光体基板的工序。 
图2A和图2B是通过图1B的电路基板来制造作为本实用新型的光半导体装置的一个实施方式的LED装置的方法的工序图， 
图2A示出将LED安装于电路基板的工序， 
图2B示出通过荧光封装层封装LED的工序。 
图3A、图3B和图3C是制造作为本实用新型的光半导体装置的第2实施方式的LED装置的方法的工序图， 
图3A示出准备电路基板的工序， 
图3B示出将LED安装于电路基板的工序， 
图3C示出通过封装层封装多个LED的工序。 
图4A、图4B和图4C是制造作为本实用新型的光半导体装置的第3实施方式的LED装置的方法的工序图， 
图4A示出准备电路基板的工序、 
图4B示出将LED安装于电路基板的工序， 
图4C示出通过封装层封装多个LED的工序。 
图5示出作为本实用新型的光半导体装置的第4实施方式的LED装置的正剖视图。 
图6示出作为本实用新型的光半导体装置的第5实施方式的LED装置的立体图。 
图7示出作为本实用新型的光半导体装置的第6实施方式的LED装置的立体图。 
图8A和图8B是说明在作为本实用新型的光半导体装置的第7实施方式的LED装置中将LED安装于电路基板的图， 
图8A示出立体图， 
图8B示出正剖视图。 
附图标记说明 
1   电路基板 
2   含荧光体基板 
3   电极布线 
4   LED 
7   LED装置 
9   荧光封装层 
10  散热构件 
19  反射封装层 
29  封装层 
具体实施方式
为了明确示出LED4(后述)与电极5(后述)的相对配置，图3A、图3B和图3C以及图4A、图4B和图4C中省略了端子8(后述)，图6和图7 中省略了布线6(后述)和粘接剂层15(后述)。 
在图1A中，以纸面上下方向为“上下方向”(第1方向或者厚度方向)，以纸面左右方向为“左右方向”(第2方向或者与第1方向正交的方向)，以纸张厚度方向为“前后方向”(第3方向或者与第1方向和第2方向正交的方向)，具体根据图1A中记载的方向箭头。对于图1A以外的附图，也以图1A的方向为基准。 
[第1实施方式] 
如图1B所示，该电路基板1具备含荧光体基板2以及层叠在含荧光体基板2的上表面(厚度方向的一面)的电极布线3。 
含荧光体基板2是用于将后述的LED4(参见图2A)安装在上侧的安装基板，以与电路基板1的外形形状对应的方式形成。此外，含荧光体基板2是含有荧光体的荧光基板，并且是具有透光性的透光基板。含荧光体基板2也是用于将由后述的LED4(参见图2A)发出的一部分蓝色光转换成黄色光并且使其余蓝色光透过的波长转换基板。 
含荧光体基板2形成为沿面方向(相对于厚度方向的正交方向，即左右方向和前后方向)延伸的大致矩形的板状或者片状。含荧光体基板2例如由通过烧结荧光体所形成的陶瓷形成，或者由含有荧光体和固化性树脂的C阶的荧光体树脂组合物形成。 
荧光体吸收作为激发光的波长350～480nm的光的一部分或全部而被激发，发出波长比激发光长的、例如500～650nm的荧光。具体而言，作为荧光体，例如可列举出能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体，能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体。优选列举出黄色荧光体。作为这种荧光体，例如可列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂有例如铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子的荧光体。 
具体而言，作为黄色荧光体，可列举出：例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、(Y，Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si，Ge)3O12:Ce等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体； 例如(Sr，Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体；例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体；例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体；例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce(YAG)。 
作为红色荧光体，例如可列举出CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物荧光体等。 
作为荧光体的形状，例如可列举出球状、板状、针状等颗粒状。从流动性的角度来看，优选列举出球状。 
荧光体的最大长度的平均值(为球状时是指平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，并且例如为200μm以下，优选为100μm以下。 
荧光体的吸收峰波长例如为300nm以上，优选为430nm以上，并且例如为550nm以下，优选为470nm以下。 
荧光体可以单独使用或组合使用两种以上。 
为了由陶瓷形成含荧光体基板2，例如将用于荧光体的原料(荧光体前体材料)烧结直接得到陶瓷，或者制成以上述荧光体为主要成分的陶瓷材料，将该陶瓷材料烧结，从而以荧光体陶瓷的形式得到含荧光体基板2。 
另外，在荧光体前体材料或陶瓷材料中，可以以适当的比例添加粘结剂树脂、分散剂、增塑剂、烧结助剂等添加剂。 
另一方面，为了由C阶的荧光体树脂组合物形成含荧光体基板2，首先通过配混荧光体和固化性树脂来制备荧光体树脂组合物。 
固化性树脂是分散荧光体的基体，例如可列举出：有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等透明树脂等。从耐久性的角度来看，优选列举出有机硅树脂组合物。 
有机硅树脂组合物在分子内主要具有由硅氧烷键(-Si-O-Si-)形成的主链和由与主链的硅素原子(Si)键合的烷基(例如甲基和/或苯基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有机基团形成的侧链。 
具体而言，作为有机硅树脂组合物，例如可列举出：脱水缩合型有机硅树脂、加成反应型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、湿气固化型有机硅树脂、固化型有机硅树脂等。优选举出加成反应型有机硅树脂等。 
固化性树脂以A阶制备，其在25℃下的运动粘度例如为10～30mm2/s。 
对于各成分的配混比例，相对于荧光体树脂组合物，荧光体的配混比例例如为1质量％以上，优选为5质量％以上，并且例如为50质量％以下，优选为30质量％以下。此外，相对于100质量份树脂的荧光体的配混比例例如为1质量份以上，优选为5质量份以上，并且例如为100质量份以下，优选为40质量份以下。 
相对于荧光体树脂组合物，固化性树脂的配混比例例如为50质量％以上，优选为70质量％以上，并且例如为99质量％以下，优选为95质量％以下。 
此外，在荧光体树脂组合物中，可以根据需要而配混填充剂和/或溶剂。 
作为填充剂，可列举出例如有机硅颗粒(具体包括硅橡胶颗粒)等有机微粒，例如二氧化硅(例如气相二氧化硅等)、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒。此外，填充剂的最大长度的平均值(为球状时，是指平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，并且例如为200μm以下，优选为100μm以下。填充剂可以单独使用或组合使用。相对于100质量份固化性树脂，填充剂的配混比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，并且例如为70质量份以下，优选为50质量份以下。 
作为溶剂，可列举出：例如己烷等脂肪族烃，例如二甲苯等芳香族烃，例如乙烯基甲基环状硅氧烷、两末端乙烯基聚二甲基硅氧烷等硅氧烷等。溶剂的配混比例可适当设定。 
荧光体树脂组合物通过按上述配混比例配混荧光体和固化性树脂(以及视需要而定的添加剂)并搅拌混合而以A阶状态制备。 
然后，将A阶的荧光体树脂组合物涂布在未图示的脱模片的表面，形成涂膜，之后，通过加热使涂膜热固化，和/或，通过活性能量射线(具体为紫 外线)的照射进行活性能量射线固化，由此制造由C阶的荧光体树脂组合物形成的含荧光体基板2。 
含荧光体基板2的厚度例如为0.05mm以上，优选为0.1mm以上，并且例如为3mm以下，优选为1mm以下。如果含荧光体基板2的厚度不高于上述上限，即可以确保含荧光体基板2的优异的透光性。此外，如果含荧光体基板2的厚度不低于上述下限，即可以确保含荧光体基板2的强度。 
此外，含荧光体基板2在厚度0.1mm下相对于波长800nm的光的透射率例如为30％以上，优选为40％以上，更优选为55％以上，并且例如为75％以下。如果含荧光体基板2的透射率不低于上述下限，即可以提高含荧光体基板2的透光性。含荧光体基板2的透射率通过日本分光株式会社制造的分光光度计“V670”求出。 
此外，对于含荧光体基板2在25℃下的拉伸模量，在含荧光体基板2由C阶的荧光体树脂组合物形成时，例如为20MPa以下，优选为10MPa以下，更优选为7.5MPa以下，例如为0.2MPa以上。如果含荧光体基板2的拉伸模量不高于上述上限，即可以提高含荧光体基板2的柔软性。含荧光体基板2的拉伸模量通过岛津制作所的拉伸试验器“AGS-J”求出。 
另一方面，对于含荧光体基板2的导热率，在含荧光体基板2由陶瓷形成时，例如为1W/m·K以上，优选为3W/m·K以上，更优选为5W/m·K以上，并且例如为100W/m·K以下。含荧光体基板2的导热率通过NETZSCH公司制造的“LFA 447”求出。 
电极布线3形成为一体化地具备用于与后述的LED4(参见图2A)的端子8电连接的电极5以及连接其的布线6的导体图案。电极布线3例如由金、铜、银、镍等导体形成。 
相对于1个LED4(参见图2A)，设置2个(1对)电极5，具体而言，与在1个LED4上形成的2个端子8对应地设置。 
此外，也可以在电极布线3的表面(上表面和侧面)形成未图示的保护膜。从防止氧化或者引线键合(后述)的连接性的角度来看，保护膜例如以 由Ni和/或Au制成的镀覆层的形式形成。 
电极布线3的尺寸可适当设定，具体而言，电极5的最大长度例如为0.03mm以上，优选为0.05mm以上，并且例如为50mm以下，优选为5mm以下。此外，邻接的电极5间的间隔例如为0.05mm以上，优选为0.1mm以上，并且例如为3mm以下，优选为1mm以下。此外，布线6的宽度例如为20μm以上，优选为30μm以上，并且例如为400μm以下，优选为200μm以下。 
电极布线3的厚度例如为10μm以上，优选为25μm以上，并且例如为200μm以下，优选为100μm以下。此外，未图示的保护膜的厚度例如为100nm以上，优选为300nm以上，并且例如为5μm以下，优选为1μm以下。 
接着，参照图1A和图1B对于该电路基板1的制造方法进行说明。 
在该方法中，首先如图1A所示，准备含荧光体基板2。 
接着，该方法如图1B所示，将电极布线3层叠在含荧光体基板2的上表面。 
作为将电极布线3层叠在含荧光体基板2的上表面的方法，没有特别限定，可使用公知的方法。 
具体而言，在含荧光体基板2由陶瓷形成时，例如可举出如下方法：使得用于形成电极布线3的导体片与含荧光体基板2的上表面整面接触，接着，在例如Ar、N2等非活性气氛中，在800～1200℃的温度下加热，形成由含荧光体基板2和导体片构成的接合基板的方法(加热接合法)。然后，通过对导体片进行蚀刻等来形成电极布线3。 
此外，在含荧光体基板2由陶瓷形成时，例如还可举出如下方法：在含荧光体基板2的上表面将在导体的粉末中混合有机化合物等粘结剂和溶剂所制备的糊剂印刷成上述图案，形成印刷图案，通过点胶机沿着该印刷图案配置导体片，在非活性气氛或真空中，在上述温度下加热进行接合(印刷-加热接合法)。进而，还可举出Mo-Mn法、硫化铜法、铜金属化法等。然后，通过对导体片进行蚀刻等来形成导体图案。 
此外，作为将电极布线3层叠在含荧光体基板2的上表面的方法，还可列举出将含有导体的导体糊剂印刷成上述图案的印刷法。 
或者，还可列举出另行在支撑薄膜或者脱模薄膜等的上表面按上述导体图案形成电极布线3，将电极布线3转印至含荧光体基板2的转印法。 
在含荧光体基板2由C阶的荧光体树脂组合物形成时，由于荧光体树脂组合物的耐热性比陶瓷低，因此优选采用印刷法、转印法。 
另一方面，在含荧光体基板2由陶瓷形成时，从提高含荧光体基板2与电极布线3的接合强度的角度来看，优选采用接合法、印刷-加热接合法。 
由此制造具备含荧光体基板2和电极布线3的电路基板1。 
接着，参照图2A和图2B对使用图1B的电路基板1制造LED装置7的方法进行说明。 
制造LED装置7的方法包括准备电路基板1的准备工序以及以与电极布线3电连接的方式将作为光半导体元件的LED4安装在电路基板1的含荧光体基板2上(厚度方向的一侧)的安装工序。 
在准备工序中准备图1B所示的电路基板1。 
安装工序在准备工序之后实施。 
在安装工序中，如图2A的虚拟线所示，首先准备LED4。 
LED4采用用于后述的倒装芯片安装的倒装芯片结构(所谓的倒装芯片)。LED4是将电能转换成光能的光半导体元件，例如形成为厚度比面方向长度小的剖视大致矩形。 
作为LED4，例如可举出发出蓝色光的蓝色LED(发光二极管元件)。LED4的尺寸根据用途和目的而适当设定，具体而言，厚度例如为10μm以上、1000μm以下，最大长度例如为0.05mm以上，优选为0.1mm以上，并且例如为5mm以下，优选为2mm以下。 
LED4的发光峰波长例如为400nm以上，优选为430nm以上，并且例如为500nm以下，优选为470nm以下。 
此外，在LED4的下部形成有端子8。端子8在左右方向上隔开间隔地 形成有2个，各端子8以与电极5对应的方式设置。 
在安装工序中，接着如图2A的箭头所示，相对于电路基板1倒装芯片安装LED4。具体而言，将LED4安装于含荧光体基板2，并且将端子8与电极5电连接。 
详细而言，如图2A的虚拟线所示，以端子8朝下的方式将LED4配置在电路基板1上，接着如图2A的实线所示，根据需要而通过焊料(未图示)等连接构件将端子8与电极5连接。 
由此制造具备电路基板1和安装在电路基板1上的LED4的LED装置7。 
然后，根据需要而实施封装工序。 
在封装工序中，如图2B所示，通过由含有荧光体和封装树脂的荧光封装树脂组合物形成的荧光封装层9对LED4进行封装。 
荧光封装层9是将自LED4向上方和侧方发出的一部分蓝色光转换成黄色光、并且使其余蓝色光透过的荧光体层，而且也是封装LED4的封装层。 
对于荧光体，可列举出与在含荧光体基板2中例示的荧光体同样的荧光体。荧光体在荧光封装层9中的含有比例与在含荧光体基板2中例示的配混比例同样。 
作为封装树脂，例如可列举出在含荧光体基板2中例示的透明树脂，具体而言，可列举出两阶段固化型树脂、一阶段固化型树脂等固化性树脂。 
两阶段固化型树脂具有两阶段的反应机理，是在第一阶段的反应中B阶化(半固化)、在第二阶段的反应中C阶化(完全固化)的固化性树脂。另一方面，一阶段固化型有机硅树脂具有一阶段的反应机理，是在第一阶段的反应中C阶化(完全固化)的热固化性树脂。 
另外，B阶是两阶段固化型树脂处于液态的A阶与完全固化的C阶之间的状态，是固化和凝胶化仅稍微进行、拉伸模量比C阶的弹性模量小的状态。 
相对于荧光封装树脂组合物，封装树脂的配混比率例如为30质量％以上，优选为50质量％以上，并且例如为99质量％以下，优选为95质量％以 下。 
另外，在荧光封装树脂组合物中，可以根据需要而以适当比例配混上述填充剂和/或溶剂。 
为了通过荧光封装层9封装LED4，例如预先形成片状的荧光封装层9，接着通过该荧光封装层9埋设LED4。 
在封装树脂为两阶段固化型树脂时，首先将上述各成分配混来制备A阶的荧光封装树脂组合物。接着将A阶的荧光封装树脂组合物涂布在未图示的脱模片的表面，形成涂膜，接着将涂膜B阶化，形成B阶的荧光封装层9。然后，将B阶的荧光封装层9转印至安装有LED4的电路基板1。 
在转印荧光封装层9时，相对于电路基板1压接涂膜。此外，根据需要而进行热压接。由此，通过B阶的荧光封装层9埋设LED4，对LED4进行封装。 
或者，也可以以被覆LED4的方式将A阶的荧光封装树脂组合物涂布到电路基板1上，由此通过荧光封装层9封装LED4。 
然后，对荧光封装层9进行C阶化。 
荧光封装层9被覆LED4的上表面和侧面。 
由此具备电路基板1、安装在电路基板1上的LED4以及在电路基板1上封装LED4的荧光封装层9。 
[作用效果] 
该电路基板1由于具备含荧光体基板2，因此无需另行在含荧光体基板2的下表面设置如专利文献1中记载的那种荧光体层，可以通过含荧光体基板2对向下方发出的光进行波长转换。因此，可以在增强LED装置7的下方的光束的同时，减少LED装置7中的部件数，简化LED装置7的构成。结果，可以减少LED装置7的制造工序数，简化制造方法，提高LED装置7的生产率，降低制造成本。 
根据该电路基板1，由于含荧光体基板2是透光性的，因此由LED4向下侧发出的光一边透过含荧光体基板2一边被波长转换。因此，可以防止向 下侧的发光量降低。 
如果该电路基板1的含荧光体基板2由陶瓷形成，则散热性优异。 
如果该电路基板1的含荧光体基板2由C阶的荧光体树脂组合物形成，则柔软性优异。 
此外，该LED装置7由于电路基板1具备含荧光体基板2，因此无需另行在含荧光体基板2的下侧设置如专利文献1中记载的那种荧光体层，可以通过含荧光体基板2对由LED4向下方发出的光进行波长转换。因此，可以在下方的光束优异的同时减少部件数，简化LED装置7的构成。结果，可以提高LED装置7的生产率。 
进而，在该LED装置7中，通过荧光封装层9封装LED4，可以提高可靠性，并且通过荧光封装层9对由LED4向上方和侧方发出的光进行波长转换，可以增强这些光的光束。因此，可以将LED装置7制成能够自上下两面发光的两面发光类型。 
此外，根据上述方法，通过以与电极布线3电连接的方式将LED4安装在电路基板1的含荧光体基板2的厚度方向的一侧来制造LED装置7。因此，可以减少LED装置7中的部件数，相应地减少LED装置7的制造工序数，简化制造方法，提高LED装置7的生产率，降低制造成本。 
<变形例> 
在图3A之后的各附图中，对于与上述各部对应的构件，标以相同的附图标记，省略其详细说明。 
如图2B的虚拟线所示，可以在第1实施方式的荧光封装层9上进一步设置散热构件10。 
散热构件10例如由金属、导热性树脂等导热性材料形成为沿面方向延伸的大致矩形的板状。散热构件10的下表面与荧光封装层9的上表面的整面接触，此外，散热构件10以在俯视下包括荧光封装层9的方式配置，散热构件10形成得比荧光封装层9大。 
通过在LED装置7中设置散热构件10，可以借助于荧光封装层9使自 LED4产生的热量向散热构件10散热。 
如图2B所示，可以代替第1实施方式的荧光封装层9，通过作为反射层的反射封装层19对LED4进行封装。 
反射封装层19由不含荧光体但含有光反射成分和封装树脂的反射封装树脂组合物所形成。 
光反射成分例如为白色的化合物，作为这种白色的化合物，具体可列举出白色颜料。 
对于白色颜料，例如可列举出白色无机颜料、白色有机颜料(例如散射用珠等)，优选列举出白色无机颜料。 
作为白色无机颜料，可列举出：例如氧化钛、氧化锌、氧化锆等氧化物，例如铅白(碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐，例如高岭土(高岭石)等粘土矿物等。 
作为白色无机颜料，优选列举出氧化物，进一步优选列举出氧化钛。 
这种氧化钛具体为TiO2、(氧化钛(IV)、二氧化钛)。 
对氧化钛的晶体结构没有特别限定，例如为金红石、板钛矿(板钛石)、锐钛矿(锐钛石)等，优选为金红石。 
此外，对氧化钛的晶系没有特别限定，例如为正方晶系、斜方晶系等，优选为正方晶系。 
光反射成分为颗粒状，对其形状没有限定，例如可列举出球状、板状、针状等。光反射成分的最大长度的平均值(为球状时，是指其平均粒径)例如为1nm以上且1000nm以下。 
相对于100质量份封装树脂，光反射成分的配混比例例如为0.5质量份以上，优选为1.5质量份以上，并且例如为90质量份以下，优选为70质量份以下。 
此外，光反射成分也可以采用空孔(泡)。空孔通过与封装树脂的界面来反射由LED4发出的光。空孔的形状例如为球状，其平均直径例如为1nm以上且1000nm以下。按体积比计，相对于100体积份封装树脂，空孔的存 在比例例如为3体积份以上，优选为5体积份以上，并且例如为80体积份以下，优选为60体积份以下。 
上述光反射成分在封装树脂中均匀分散混合。 
此外，在反射树脂组合物中，还可以添加上述的填充剂。即，可以将填充剂与光反射成分组合使用。 
反射封装层19通过与上述荧光封装层9同样的方法形成，对LED4进行封装。 
接着，该LED装置7通过反射封装层19封装LED4，可以提高可靠性，同时通过反射封装层19将由LED4向上方和侧方发出的光朝下方反射，可以提高下方的发光效率。 
此外，如图2B的虚拟线所示，可以在反射封装层19上进一步设置散热构件10。 
通过在LED装置7中设置散热构件10，可以借助于反射封装层19使自LED4产生的热量向散热构件10散热。 
此外，可以代替第1实施方式的荧光封装层9，通过封装层29对LED4进行封装。 
封装层29由不含荧光体和光反射成分但含有封装树脂的封装树脂组合物形成。 
封装层29通过与上述荧光封装层9同样的方法形成，对LED4进行封装。 
接着，该LED装置7通过封装层29封装LED4，可以提高可靠性。 
此外，如图2B的虚拟线所示，可以在封装层29上进一步设置散热构件10。 
通过在LED装置7中设置散热构件10，可以借助于封装层29使自LED4产生的热量向散热构件10散热。 
[第2实施方式] 
第1实施方式如图1B所示，相对于1个含荧光体基板2设置有1对电 极5，而第2实施方式如图3A所示，可以设置多对电极5(具体为4对)。多对电极5沿面方向相互隔开间隔地整列配置。 
此外，电极布线3具备与各电极5电连接的输入电极5a。输入电极5a在左侧端部的电极5的左侧隔开间隔地设置。 
布线6(参见图1B)在图3A中虽未图示，但其形成为一端与电极5连接、另一端与输入电极5a连接。 
参照图3A、图3B和图3C对使用该电路基板1制造LED装置7的方法进行说明。 
该方法具备准备工序、安装工序和封装工序。 
准备工序如图3A所示，准备具备上述图案的电极布线3的电路基板1。 
安装工序如图3B所示，相对于电路基板1倒装芯片安装多个LED4。具体而言，将多个LED4的端子8(参见图2A)与多对电极5电连接。 
封装工序首先将封装层29层叠在散热构件10下。 
封装层29以露出散热构件10的周端部的下表面的方式层叠在散热构件10的中央部的下表面。 
封装层29的厚度例如为100μm以上，优选为400μm以上，并且例如为2mm以下，优选为1.2mm以下。 
此外，在散热构件10的下表面设置有输入端子11。输入端子11在封装层29的外侧隔开间隔地形成。输入端子11与未图示的电源电连接。此外，在输入端子11的下表面设置有焊料13。 
接着如图3C所示，相对于安装LED4的电路基板1，按压层叠有封装层29的散热构件10。由此，通过1个封装层29对多个LED4一起进行埋设和封装。另外，封装层29被覆各LED4的上表面。由此，散热构件10与多个LED4在厚度方向上隔着封装层29配置。 
此外，在利用封装层29封装多个LED4的同时，使焊料13与输入电极5a的上表面接触。 
接着，对封装层29和焊料13进行加热。由此，在封装层29含有热固 化性树脂时使封装层29固化，并且使焊料13熔融将输入端子11与输入电极5a电连接。 
由此制造具备电路基板1、多个LED4、封装层29和散热构件10的LED装置7。 
根据该LED装置7，可以借助于封装层29使自多个LED4产生的热量向散热构件10散热。 
[第3实施方式] 
在第2实施方式中，如图3C所示，散热构件10与多个LED4在上下方向(厚度方向)上隔开间隔，而第3实施方式如图4C所示那样使它们接触。 
如图4B所示，在相对于散热构件10的电路基板1按压封装层29时，封装层29调整为从散热构件10与多个LED4之间排除且不与输入端子11接触的厚度。具体而言，封装层29的厚度例如为100μm以上，优选为400μm以上，并且例如为2mm以下，优选为1.2mm以下。 
相对于安装LED4的电路基板1，按压层叠有封装层29的散热构件10，使得封装层29从散热构件10与多个LED4之间排除。 
由此使得散热构件10与多个LED4接触。 
该LED装置7可以无需借助于封装层29而使自多个LED4产生的热量直接向散热构件10散热。 
详细而言，可以使自多个LED4产生的热量朝着散热构件10向上方散热，另一方面，使由LED4发出的光借助于含荧光体基板2向下方照射。进而，由未图示的电源借助输入端子11、焊料13和电极布线3(输入电极5a、布线6(参见图1B)和电极5)将电流输入LED4。即，电流向侧方流动。如此，热量的通路自LED4向上方形成，光的通路自LED4向下方形成，电流的通路相对于LED4向侧方形成。因此，可以将热、光和电流各自的通路分离成3个方向。结果，可以简化LED装置7的设计，并且形成考虑了散热性的设计。 
[第4实施方式] 
第1实施方式如图2A和图2B所示，在LED4的下表面形成端子8，通过该端子8与电极5电连接，相对于电路基板1倒装芯片安装LED4，而第4实施方式如图5所示，相对于电极5引线键合连接LED4。 
电极布线3形成为可确保含荧光体基板2中的LED4所安装的安装区域14的图案。即，电极布线3在安装区域14的外侧隔开间隔地形成。 
此外，LED4相对于电极5采用用于引线键合连接的面朝上结构(所谓的面朝上芯片)。LED4形成为在主视图中左右方向的长度越往上越大的大致锥台形状。在LED4的上表面形成有1对端子8。 
此外，LED装置7在LED4与含荧光体基板2的安装区域14之间设置有粘接剂层15。 
粘接剂层15由透光性或透明的粘接剂形成。作为粘接剂，例如可列举出有机硅类、环氧类、丙烯酸类、含有上述树脂和填充剂的糊剂等。 
粘接剂层15将LED4的下表面与含荧光体基板2的上表面粘接。 
粘接剂层15的厚度例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且例如为500μm以下，优选为100μm以下。 
为了将LED4安装在电路基板1上，借助粘接剂层15将LED4安装在安装区域14，并且通过引线12将端子8与电极5电连接。 
引线12形成为线状，其一端与LED4的端子8电连接，另一端与电极5电连接。 
作为引线12的材料，例如可列举出金、银、铜等可用作LED4的引线键合材料的金属材料，从耐腐蚀性的角度来看，优选列举出金。 
引线12的线径(粗细)例如为10μm以上，优选为20μm以上，并且例如为100μm以下，优选为50μm以下。 
此外，引线12为在端子8与电极5连接的状态下弯曲或屈曲而形成为大致弧形(例如三角弧形、四角弧形、圆弧形等)。 
根据第4实施方式，可以发挥与第1实施方式同样的作用效果。 
此外，如果是现有的引线键合连接，由LED4向上方和侧方发出的光的 一部分会被引线12遮挡而导致发光量减少。然而，在该第4实施方式中，如图5所示，由于自LED4发出的光借助于含荧光体基板2而朝向下方，因此可以确实地防止上述发光量的减少。因此，可以在为能够容易实现与布线6的电连接的引线键合连接的同时，确实地防止LED装置7的发光量的减少。 
[第5实施方式] 
第4实施方式如图5所示，将LED4形成为前视大致锥台形状，但对LED4的主视形状没有特别限定，在第5实施方式中，也可以如图6所示那样形成为例如主视大致矩形。 
通过第5实施方式也可以发挥与第4实施方式同样的作用效果。 
[第6实施方式] 
第4实施方式和第5实施方式如图5和图6所示，将用于引线键合连接的LED4(所谓的面朝上芯片)安装于电路基板1，但对LED4的结构(类型)、安装方法和连接方法没有特别限定，第6实施方式如图7所示，还可以相对于电路基板1，将用于第1实施方式～第3实施方式的倒装芯片安装的LED4(所谓的倒装芯片、参见图1A、图1B、图2A、图2B、图3A、图3B和图3C以及图4A、图4B和图4C)引线键合连接。 
即，使图2A所示的LED4上下翻转，如图7所示，将该LED4借助于粘接剂层15安装在含荧光体基板2上。 
另一方面，在LED4的端子8电连接引线12。 
根据第6实施方式，可以发挥与第1实施方式同样的作用效果。 
一方面，第1实施方式的LED装置7如图2B所示，由LED4向下方发出的光的一部分被端子8、电极5和在LED4的下侧相对配置的布线6遮挡而导致发光量减少。 
然而，另一方面，第6实施方式的LED装置7如图7所示，端子8设置在LED4的上表面，且电极布线3在LED4的外侧隔开间隔地配置，因此可以确实地防止图2B的LED装置7这种发光量的减少。 
[第7实施方式] 
第5实施方式如图6所示，将LED4作为面朝上芯片，使端子8朝上侧与电极5进行引线键合连接，而在第7实施方式中，如图8A的箭头所示，也可以使图6的LED4上下翻转，使端子8朝下侧，如图8B的箭头所示，直接或者借助于未图示的焊料与布线6进行电连接。 
第7实施方式将图8A所示的面朝上芯片的LED4上下翻转而安装于电路基板1，图8B的端子8的平面面积设计得比图2A的倒装芯片的LED4的端子8的平面面积小。 
因此，根据第7实施方式，与第1实施方式的图2B的LED4相比，可以抑制由LED4向下方发出的光中被端子8遮挡的光量。 
[变形例] 
上述各实施方式中，作为本实用新型中的光半导体元件和光半导体装置，分别以LED4和LED装置7作为一例进行了说明，而例如也可以分别采用LD(激光二极管)4和激光二极管装置7。 
需要说明的是，虽然作为本实用新型的例示实施方式给出了上述技术方案，但这仅仅是单纯的例示，不应做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本实用新型的变形例是包括在本实用新型的保护范围内的。 
产业上的可利用性 
电路基板用于光半导体装置。 

Claims (6)

1.一种电路基板，其特征在于，具备：用于将光半导体元件安装在厚度方向的一侧的含荧光体基板，和，层叠在所述含荧光体基板的厚度方向的一面、用于与所述光半导体元件电连接的电极布线。
2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述含荧光体基板是透光性的。
3.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述含荧光体基板由陶瓷形成。
4.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述含荧光体基板由含有荧光体和固化性树脂的C阶的荧光体树脂组合物形成。
5.一种光半导体装置，其特征在于，具有下述的电路基板和下述的光半导体元件：
所述电路基板具备：用于将光半导体元件安装在厚度方向的一侧的含荧光体基板，和，层叠在所述含荧光体基板的厚度方向的一面、用于与所述光半导体元件电连接的电极布线；以及，
所述光半导体元件以与所述电极布线电连接的方式安装在所述电路基板的所述含荧光体基板的厚度方向的一侧。
6.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，还具备设置在所述含荧光体基板的厚度方向的一侧的封装层、反射层和荧光体层中的至少一者。
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