CN203999796U - 用于mb2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置 - Google Patents
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Abstract
一种用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，包括在用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材背面设置有磁通管,在所述的磁通管的背面上设置有第一心形永久磁铁,在第一心形永久磁铁中设置有第二心形永久磁铁,第一心形永久磁铁和第二心形永久磁铁通过相互作用能够在靶材的表面形成均匀的磁力线,另外在所述的磁通管的背面上还设置有旋转轴。这样可有效避免现有技术中的靶材利用率低以及靶材的磁铁磁通量的水平分量的分布均匀性较差的缺陷。
Description
技术领域
本实用新型属于靶材的磁通管技术领域，具体涉及一种用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置,尤其涉及半导体的晶圆级封装WLP技术中的用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置。
背景技术
半导体的晶圆级封装WLP技术中需要使用磁控溅射机台进行针对晶元wafer表面的钛Ti和铜Cu的真空镀膜，其中阴极靶材的磁通水平分量的分布的均匀性的好坏会影响靶材的利用率。而传统的靶材的磁通管只有一个心形的永久磁铁，这样通过对使用过的靶材进行分析，靶材利用率在30%左右，对靶材磁铁磁通量分析，其水平分量的分布均匀性较差。
发明内容
本实用目的提供一种用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，包括在用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材背面设置有磁通管,在所述的磁通管上设置有第一心形永久磁铁,在第一心形永久磁铁中设置有第二心形永久磁铁, 第一心形永久磁铁和第二心形永久磁铁通过相互作用能够在靶材的表面形成均匀的磁力线,另外在所述的磁通管上还设置有旋转轴。这样可有效避免现有技术中的靶材利用率低以及靶材的磁铁磁通量的水平分量的分布均匀性较差的缺陷。
为了克服现有技术中的不足，本实用新型提供了一种用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置的解决方案，具体如下：
一种用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，包括在用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材2背面设置有磁通管1,在所述的磁通管1的上设置有第一心形永久磁铁5,在第一心形永久磁铁5中设置有第二心形永久磁铁6, 第一心形永久磁铁5和第二心形永久磁铁6通过相互作用能够在靶材2的表面形成均匀的磁力线,另外在所述的磁通管1上还设置有旋转轴3。
所述的第一心形永久磁铁5带有第一心形通孔7,所述的第一心形通孔7内设置有带有第二心形通孔8的第二心形永久磁铁6，所述的第一心形永久磁铁5的中心轴线、第一心形通孔7的中心轴线、第二心形通孔8的中心轴线以及第二心形永久磁铁6的中心轴线相重合。
所述的磁通管1为圆柱状，而第一心形永久磁铁5的中心轴线、第一心形通孔7的中心轴线、第二心形通孔8的中心轴线以及第二心形永久磁铁6的中心轴线在竖直方向上的投影均经过磁通管1的圆心。
由这些技术特征，本实用新型通过所述的磁通管1的背面上设置有第一心形永久磁铁5,在第一心形永久磁铁5中设置有第二心形永久磁铁6, 第一心形永久磁铁5和第二心形永久磁铁6通过相互作用能够在靶材2的表面形成均匀的磁力线，这样就能提高磁场水平分量的均匀性，来提高靶材的利用率。
附图说明
图1为本实用新型的结构原理图。
图2为本实用新型的剖视图。
具体实施方式
如图1和图2所示，用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，包括在用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材2背面设置有磁通管1,在所述的磁通管1上设置有第一心形永久磁铁5,在第一心形永久磁铁5中设置有第二心形永久磁铁6, 第一心形永久磁铁5和第二心形永久磁铁6通过相互作用能够在靶材2的表面形成均匀的磁力线,另外在所述的磁通管1上还设置有旋转轴3。所述的第一心形永久磁铁5带有第一心形通孔7,所述的第一心形通孔7内设置有带有第二心形通孔8的第二心形永久磁铁6，所述的第一心形永久磁铁5的中心轴线、第一心形通孔7的中心轴线、第二心形通孔8的中心轴线以及第二心形永久磁铁6的中心轴线相重合，这样的对称结构更能够便于提高磁场水平分量的均匀性。所述的磁通管1为圆柱状，而第一心形永久磁铁5的中心轴线、第一心形通孔7的中心轴线、第二心形通孔8的中心轴线以及第二心形永久磁铁6的中心轴线在竖直方向上的投影均经过磁通管1的圆心，这样的结构更能实现结构上的对称性，由此结构上的对称性更能便于实现磁场水平分量的均匀性。
本实用新型的工作原理为通过靶材2背面安装的第一心形永久磁铁5和第二心形永久磁铁6，在靶材2表面形成均匀的磁力线，通有直流电的靶材2形成的电场与穿过靶材2的磁场交互，通过放电，电子被束缚在磁场中，并沿磁力线运动，电子在运动中撞击氩气Ar释放出Ar+离子和二次电子，Ar+离子在电场作用下向靶材2运动，就能将靶材2的金属原子释放出来，二次电子继续撞击氩气，结合磁通管1通过旋转轴3带动旋转，由于在磁通管1的第二心形永久磁铁6中增加了第一心形永久磁铁5，磁力线分布更加均匀，Ar+离子被电离后均匀的分布在靶材2表面向靶材2高速运动，由此靶材2受轰击的几率几乎相等，从而提高了靶材2的利用率。
以上所述，仅是本实用较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用技术实质，在本实用精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，包括在用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材背面设置有磁通管,在所述的磁通管上设置有第一心形永久磁铁, 其特征在于在第一心形永久磁铁中设置有第二心形永久磁铁, 第一心形永久磁铁和第二心形永久磁铁通过相互作用能够在靶材的表面形成均匀的磁力线,另外在所述的磁通管上还设置有旋转轴。
2.根据权利要求1所述的用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，其特征在于所述的第一心形永久磁铁带有第一心形通孔,所述的第一心形通孔内设置有带有第二心形通孔的第二心形永久磁铁，所述的第一心形永久磁铁的中心轴线、第一心形通孔的中心轴线、第二心形通孔的中心轴线以及第二心形永久磁铁的中心轴线相重合。
3.根据权利要求2所述的用于MB2-830型磁控溅射机台的靶材的磁通管装置，其特征在于所述的磁通管为圆柱状，而第一心形永久磁铁的中心轴线、第一心形通孔的中心轴线、第二心形通孔的中心轴线以及第二心形永久磁铁的中心轴线在竖直方向上的投影均经过磁通管的圆心。
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