CN210529042U - 一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极 - Google Patents
一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及圆柱旋转磁控溅射阴极，公开了一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其核心是阴极磁棒，其包括柱形的中空靶材(1)，靶材(1)的内部设有磁路模块，磁路模块包括磁轭(2)和磁钢组(3)，磁钢组(3)由三道呈一定角度的磁钢(4)组成，相邻磁钢(4)极性相反，磁钢组(3)以中心磁钢为几何中心线对称，中间磁钢与两侧磁钢的夹角均为10°‑15°。本实用新型通过对磁钢(4)的位置进行改进，使得中间磁钢与两侧磁钢的夹角缩小，同时调整磁钢的尺寸与牌号，这样磁控溅射阴极产生的等离子体更加集中，溅射方向更加垂直于基片，使得更多喷溅出的靶材可以沉积到基片而不是挡板上，可以有效的提高靶材(1)转化率，节约成本，同时增加溅射速率。
Description
技术领域
本实用新型涉及圆柱旋转磁控溅射阴极，具体涉及一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极。
背景技术
镀膜是在物体表面镀上非常薄的膜层，其具有耐磨、润滑、导电、光学、装饰等功能。随着人们对产品的追求越来越高，越来越多的物品表面都会镀膜。目前膜层质量较高的镀膜方法是真空镀膜，膜层牢靠，洁净，色彩亮丽。其中，使用较多的就是磁控溅射类真空镀膜，可以简单的理解为利用高能离子轰击靶材，使得表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，最终沉积在基片表面，形成薄膜。
目前市场上的圆柱旋转磁控溅射阴极中，磁钢之间的角度偏大，通常为 15度以上，这样产生的等离子体范围较大，溅射出来的靶材发散性强，很多靶材沉积到了挡板上，而不是基片上，造成了材料的浪费，同时，因为更多的靶材可以沉积到基片上，形成有效镀膜，溅射速率也会显著提高。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其包括柱形的中空靶材，靶材的内部设有磁控模块，磁控模块包括磁轭和磁钢组，磁钢组由三道呈一定角度的磁钢组成。
作为优选，磁钢组包括三道磁钢，外端的磁极依次相反
作为优选，磁钢组以中心磁钢为几何中心线对称，中间磁钢与两侧磁钢的夹角均为10°-15°。
作为优选，相邻两道磁钢之间的磁极夹角均为11°。
作为优选，磁轭上设有凹槽，磁钢的一端伸入到凹槽内与磁轭通过磁力连接。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：本实用新型通过对磁钢的位置进行改进，使得中间磁钢与两侧磁钢的夹角缩小，同时调整磁钢的尺寸与牌号，保证阴极可以正常工作，使得更多喷溅出的靶材可以沉积到基片而不是挡板上，可以有效的提高靶材转化率，节约成本，同时增加溅射速率
附图说明
图1为本实用新型的俯视图。
附图中标号对应的部件名如下：1—靶材、2—磁轭、3—磁钢组、4—磁钢。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，如图1所示，一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其包括柱形的中空靶材1，靶材1的内部设有磁路模块，磁路模块包括磁轭2和磁钢组3，磁钢组3由多块磁极呈一定角度的磁钢4组成。
作为优选，磁钢组包括三道磁钢，外端的磁极依次相反。
作为优选，磁钢组以中心磁钢为几何中心线对称，中间磁钢与两侧磁钢的夹角均为10°-15°。
作为优选，相邻磁钢两道之间的磁极夹角均为11°。
作为优选，磁轭上设有凹槽，磁钢的一端伸入到凹槽内与磁轭通过磁力连接。
本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其特征在于：其包括柱形的中空靶材（1），靶材（1）的内部设有磁路模块，磁路模块包括磁轭（2）和磁钢组（3），磁钢组（3）由三道呈一定角度的磁钢（4）组成。
2.根据权利要求1所述的一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其特征在于：磁钢组（3）包括三道磁钢（4），外端的磁极依次相反。
3.根据权利要求1或2所述的一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其特征在于：磁钢组（3）以中心磁钢为几何中心线对称，中间磁钢与两侧磁钢的夹角均为10°-15°。
4.根据权利要求2所述的一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其特征在于：相邻磁钢（4）两道之间的磁极角度均为11°。
5.根据权利要求1所述的一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极，其特征在于：磁轭（2）上设有凹槽，磁钢（4）的一端伸入到凹槽内与磁轭（2）通过磁力连接。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201920349227.5U CN210529042U (zh) | 2019-03-19 | 2019-03-19 | 一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极 |
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| CN201920349227.5U CN210529042U (zh) | 2019-03-19 | 2019-03-19 | 一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极 |
Publications (1)
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ID=70592330
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| CN201920349227.5U Active CN210529042U (zh) | 2019-03-19 | 2019-03-19 | 一种高靶材转化率的圆柱旋转磁控溅射阴极 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN210529042U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115491646A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-20 | 中核四0四有限公司 | 一种管材内壁镀膜的溅射靶及其溅射结构、镀膜方法 |
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2019
- 2019-03-19 CN CN201920349227.5U patent/CN210529042U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115491646A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-20 | 中核四0四有限公司 | 一种管材内壁镀膜的溅射靶及其溅射结构、镀膜方法 |
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