CN111223793B - 分析方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及一种分析方法。所述方法包含：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。

Description

分析方法
技术领域
本发明实施例涉及分析方法。
背景技术
随着电子技术发展，半导体装置大小正变得越来越小，同时具有更大功能性以及更大数量的集成电路。归因于半导体装置的微型化规模，许多半导体组件装配于半导体装置上。此外，大量制造操作实施于此类小型半导体装置内。
在制造半导体装置之前，执行对制造设备的校准。出于制造稳定性及可重复性的目的，制造设备的组件必须经历调谐或调整。制造操作可反复地实施于半导体装置中的每一个上，且半导体组件可准确地装配于半导体装置上。然而，制造设备的校准取决于与制造设备的各组件的物理特性(即，尺寸、热膨胀系数、生命期、硬度等)相关联的数据的准确性。因而，制造设备的稳定性及半导体装置的制造可重复性可能会遭遇挑战。
因此，不断地需要修改且改进对半导体装置及半导体装置的制造设备的制造。
发明内容
本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。
本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的溅镀靶材；界定围绕所述预定中心的所述夹具的第一区域；测量所述夹具的所述第一区域内的多个第一深度；导出所述多个第一深度当中的最大第一深度；界定围绕所述夹具的所述最大第一深度的所述夹具的第二区域；测量所述夹具的所述第二区域内的多个第二深度；导出所述多个第二深度当中的最大第二深度；比较所述最大第一深度与所述最大第二深度；以及基于所述比较而执行操作。
本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：提供具有估计中心的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述估计中心处的测得第一磁通量密度；界定围绕所述估计中心的所述磁控管的区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而界定所述磁控管的中心。
附图说明
当结合随附图式阅读时，从以下具体实施方式最佳地理解本公开的方面。应强调，根据本行业中的标准惯例，各种装置未按比例绘制。实际上，为论述清楚起见，可任意地增大或减小各种装置的尺寸。
图1是根据本公开的一些实施例的制造设备的示意性剖面图。
图2是根据本公开的一些实施例的分析制造设备的方法的流程图。
图3到4是根据本公开的一些实施例的通过图2的方法分析制造设备的示意性剖面图。
图5是根据本公开的一些实施例的分析制造设备的方法的流程图。
图6是根据本公开的一些实施例的通过图5的方法分析制造设备的示意性剖面图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同装置的许多不同实施例或实例。以下描述组件及布置的特定实例以简化本公开。当然，这些组件及布置仅为实例且不希望是限制性的。举例来说，在以下描述中，第一装置形成于第二装置上方或上可包含第一装置与第二装置直接接触地形成的实施例，且还可包含额外装置可在第一装置与第二装置之间形成使得第一装置与第二装置可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复附图标记及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且自身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
此外，为易于描述，可使用例如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…上方”、“上部”等空间相对术语，以描述如诸图中所说明的一个元件或装置相对于另一元件或装置的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，空间相对术语还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。
通过数个操作制造半导体结构。所述操作由制造设备执行。在执行所述操作之前执行制造设备的校准。基于与制造设备的各组件的物理特性(即，尺寸、热膨胀系数、生命期、硬度等)相关联的数据而执行校准。然而，对那些物理特性的测量可能不准确。那些数据可能具有一些偏离。举例来说，可能无法准确地导出溅镀中的磁控管及溅镀靶材的剖面，且因此可能无法反复且稳定地实施对半导体结构的溅镀。
在本公开中，公开一种分析制造设备的方法。所述方法包含提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。可基于所述方法而准确地获得所述磁控管的用于溅镀中的中心的位置。
在本公开中，公开另一种分析制造设备的方法。所述方法包含提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的溅镀靶材；界定围绕所述预定中心的所述夹具的第一区域；测量所述夹具的所述第一区域内的多个第一深度；导出所述多个第一深度当中的最大第一深度；界定围绕所述夹具的所述最大第一深度的所述夹具的第二区域；测量所述夹具的所述第二区域内的多个第二深度；导出所述多个第二深度当中的最大第二深度；比较所述最大第一深度与所述最大第二深度；以及基于所述比较而执行操作。可基于所述方法而准确地获得所述溅镀靶材的用于溅镀中的中心的位置。
因此，可改进通过溅镀制造半导体结构的可重复性及稳定性。还可改进半导体结构的可靠性。
图1是根据本公开的各种实施例的设备100的示意图。在一些实施例中，设备100包含磁控管101、溅镀靶材102、载物台103及衬底104。在一些实施例中，设备100经配置以执行溅镀操作。在一些实施例中，设备100经配置以执行物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)操作。在一些实施例中，设备100经配置以执行涂层102a在衬底104上方的沉积。在一些实施例中，设备100是溅镀机。
在一些实施例中，磁控管101设置于溅镀靶材102上方。在一些实施例中，磁控管101安置于溅镀靶材102上。在一些实施例中，磁控管101极为接近溅镀靶材102而布置。在一些实施例中，磁控管101物理上与溅镀靶材102接触或与溅镀靶材102隔开。在一些实施例中，磁控管101经配置以提供磁场。在一些实施例中，磁控管101经配置以在溅镀靶材102周围提供磁场。
在一些实施例中，磁控管101是永久磁体或可旋转磁体。在一些实施例中，磁控管101可围绕其中心旋转。在一些实施例中，磁控管101电连接到电压。在一些实施例中，磁控管101呈圆形、椭圆形、环形、螺旋形、不规则或任何其它适合形状。
在一些实施例中，溅镀靶材102邻近于磁控管101而安置。在一些实施例中，在溅镀操作之后即刻消耗溅镀靶材102的至少一部分。在一些实施例中，在溅镀操作之后即刻通过供能离子敲除溅镀靶材102的原子。在一些实施例中，溅镀靶材102是将形成衬底104上方的涂层102a的材料件。
在一些实施例中，溅镀靶材102包含导电或绝缘材料。在一些实施例中，溅镀靶材102包含前体材料，所述前体材料可与气体反应以形成制造沉积于衬底104上方的涂层102a的分子。在一些实施例中，溅镀靶材102包含铜、铜氧化物、硅、铝、锰、氮化铝、氧化铝等。在一些实施例中，溅镀靶材102电连接到阴极。在一些实施例中，溅镀靶材102呈圆形形状。
在一些实施例中，载物台103经配置以固持衬底104。在一些实施例中，衬底104附接到载物台103。在一些实施例中，载物台103可围绕其中心旋转。
在一些实施例中，衬底104安置于载物台103上。在一些实施例中，衬底104可通过载物台103围绕其中心旋转。在一些实施例中，衬底104是晶片。在一些实施例中，衬底104在其上方包含电路系统。在一些实施例中，衬底104包含电组件及连接电组件的导电线。在一些实施例中，衬底104电连接到阳极。
在溅镀操作之后，磁控管101即刻在靶材102周围提供磁场，且由磁控管产生的磁场为离子(例如氩气离子等)供能，且导引经供能离子以敲除靶材102的原子。接着使靶材102的原子朝向衬底104位移，且因此，在衬底104的表面上方溅镀靶材102的原子以在衬底104的表面上形成涂层102a。
在本公开中，公开一种分析制造设备的方法。在一些实施例中，通过方法200分析制造设备的组件。方法200包含数个操作，且描述内容及图示并不被视为对操作序列的限制。图2是分析制造设备的组件的方法200的一实施例。方法200包含数个操作(201、202、203、204、205、206及207)。在一些实施例中，可自动执行方法200。在一些实施例中，自动实施方法200。在一些实施例中，整合且通过编程控制涉及方法200的制造设备的所有组件以便自动执行磁控管101的中心的测量。
在操作201中，如图3中所展示而提供第一夹具105及磁控管101。在一些实施例中，第一夹具105经配置以固持磁控管101。在一些实施例中，第一夹具105包含用于收纳磁控管101的一部分的第一凹槽105a，使得磁控管101可暂时固定在第一夹具105上。
在一些实施例中，第一夹具105包含第一预定中心105b。在一些实施例中，第一预定中心105b是第一夹具105的粗略或估计中心，且因此从第一夹具105的精确中心偏离。在一些实施例中，第一预定中心105b大体上相当于第一夹具105的精确中心。在一些实施例中，探针朝向第一预定中心105b且在磁控管101上方位移以供后续测量。
在操作202中，使磁控管101旋转，且获得第一夹具105的第一预定中心105b处的测得第一磁通量密度。在一些实施例中，使磁控管101围绕第一预定中心105b旋转。在一些实施例中，磁控管101如图4中所展示的箭头A而旋转。在一些实施例中，通过探针测量第一预定中心105b处的第一磁通量密度。在一些实施例中，在磁控管101旋转之后即刻测量若干第一磁通量密度，且从第一磁通量密度当中获得第一最大磁通量密度及第一最小磁通量密度。在一些实施例中，测得第一磁通量密度是第一最大磁通量密度与第一最小磁通量密度之间的差。在一些实施例中，测得第一磁通量密度是从第一磁通量密度、第一最大磁通量密度及第一最小磁通量密度导出的标准偏差。在一些实施例中，记录测得第一磁通量密度。
在操作203中，基于测得第一磁通量密度而界定磁控管101的第一区域。在一些实施例中，界定围绕第一预定中心105b的磁控管101的第一区域。在一些实施例中，通过从第一预定中心105b朝外扩张来界定磁控管101的第一区域。在一些实施例中，磁控管101的第一区域的尺寸或大小基于在操作202中所获得的测得第一磁通量密度的量值。在一些实施例中，磁控管101的第一区域的尺寸大体上与测得第一磁通量密度的量值成比例。举例来说，如果获得相对大测得第一磁通量密度(例如，50高斯或更大)，那么界定磁控管101的相对大的区域(例如，5cm×5cm)。
在操作204中，使磁控管101旋转，且测量磁控管101的第一区域内的若干第二磁通量密度。在一些实施例中，使磁控管101围绕第一预定中心105b旋转。在一些实施例中，通过探针测量磁控管101的第一区域内的第二磁通量密度。通过探测磁控管101的第一区域内的若干点来获得第二磁通量密度。在一些实施例中，记录第二磁通量密度。
在操作205中，导出测得第二磁通量密度。在一些实施例中，在磁控管101旋转之后即刻测量若干第二磁通量密度，且从第二磁通量密度当中获得第二最大磁通量密度及第二最小磁通量密度。在一些实施例中，测得第二磁通量密度是第二最大磁通量密度与第二最小磁通量密度之间的差。在一些实施例中，测得第二磁通量密度是从第二磁通量密度、第二最大磁通量密度及第二最小磁通量密度导出的标准偏差。在一些实施例中，记录测得第二磁通量密度。
在操作206中，比较测得第二磁通量密度与预定阈值。在一些实施例中，预定阈值是磁通量密度的量值，例如零高斯、0.3高斯、1高斯、2高斯、5高斯、10高斯、20高斯等。在一些实施例中，可自动或手动定义预定阈值。
在操作207中，基于比较(操作206)而执行操作。在一些实施例中，如果测得第二磁通量密度根据比较(操作206)而等于或大体上小于预定阈值，那么将磁控管101的具有最小第二磁通量密度的位置界定为磁控管101的中心。举例来说，如果测得第二磁通量密度等于或小于0.2高斯，那么将磁控管101的具有最小第二磁通量密度的位置界定为磁控管101的中心。在一些实施例中，磁控管101的具有最小第二磁通量密度的中心是磁控管101的精确中心。在一些实施例中，磁控管101的中心与夹具105的第一预定中心105b竖直对准或从所述预定中心偏离。
在一些实施例中，导出磁控管101的经界定为磁控管101的中心的位置。在一些实施例中，获得且记录磁控管101的中心的位置的坐标。在一些实施例中，在获得磁控管101的中心的位置的坐标之后，将探针移动到磁控管101的中心的位置。
在一些实施例中，如果测得第二磁通量密度根据比较(操作206)而大体上小于预定阈值，那么重复操作203、204、205及206。在一些实施例中，在比较(操作206)之后，界定在操作205中基于测得第二磁通量密度而获得的磁控管101的第二区域。在一些实施例中，磁控管101的第二区域大体上大于磁控管101的在操作203中界定的第一区域。
在一些实施例中，通过扩张磁控管101的第一区域来界定磁控管101的第二区域。在一些实施例中，磁控管101的第二区域的尺寸或大小基于测得第二磁通量密度的量值。在一些实施例中，磁控管101的第二区域的尺寸大体上与测得第二磁通量密度的量值成比例。在一些实施例中，使磁控管101的第一区域扩张或收缩成磁控管101的第二区域。在一些实施例中，磁控管101的第一区域与磁控管101的第二区域相同。举例来说，如果测得第二磁通量密度与预定阈值之间的差相对大(例如，50高斯或更大)，那么第一区域的扩张变得更大(例如，从5cm×5cm的第一区域扩张成10cm×10cm的第二区域)。举例来说，如果测得第二磁通量密度与预定阈值之间的差相对小(例如，小于10高斯)，那么第一区域的扩张变得更小(例如，从5cm×5cm的第一区域扩张成7cm×7cm的第二区域)。在一些实施例中，界定磁控管101的第二区域类似于操作203。
在一些实施例中，在界定磁控管101的第二区域之后，使磁控管101旋转，且测量磁控管101的第二区域内的若干第三磁通量密度。在一些实施例中，使磁控管101围绕第一预定中心105b旋转。在一些实施例中，通过探针测量磁控管101的第二区域内的第三磁通量密度。通过探测磁控管101的第二区域内的若干点来获得第三磁通量密度。在一些实施例中，记录第三磁通量密度。在一些实施例中，测量第三磁通量密度类似于操作204。
在一些实施例中，在测量第三磁通量密度之后，获得测得第三磁通量密度。在一些实施例中，在磁控管101旋转之后即刻测量若干第三磁通量密度，且从第三磁通量密度当中获得第三最大磁通量密度及第三最小磁通量密度。在一些实施例中，测得第三磁通量密度是第三最大磁通量密度与第三最小磁通量密度之间的差。在一些实施例中，测得第三磁通量密度是从第三磁通量密度、第三最大磁通量密度及第三最小磁通量密度导出的标准偏差。在一些实施例中，导出测得第三磁通量密度类似于操作205。在一些实施例中，记录测得第三磁通量密度。
在一些实施例中，在导出测得第三磁通量密度之后，比较测得第三磁通量密度与预定阈值。在一些实施例中，比较类似于操作206。
在一些实施例中，如果测得第三磁通量密度等于或大体上小于预定阈值，那么将磁控管101的具有最小第三磁通量密度的位置界定为磁控管101的中心。在一些实施例中，磁控管101的具有最小第三磁通量密度的中心是磁控管101的精确中心。在一些实施例中，磁控管101的中心与夹具105的第一预定中心105b竖直对准或从所述预定中心偏离。
在一些实施例中，导出磁控管101的经界定为磁控管101的中心的位置。在一些实施例中，获得且记录磁控管101的中心的位置的坐标。在一些实施例中，在获得磁控管101的中心的位置的坐标之后，将探针移动到磁控管101的中心的位置。
在一些实施例中，如果测得第三磁通量密度大体上大于预定阈值，那么再次重复操作203、204、205及206。当得到磁控管101的精确中心时，终止操作。
在本公开中，公开一种分析制造设备的方法。在一些实施例中，通过方法300分析制造设备的组件。方法300包含数个操作，且描述内容及图示并不被视为对操作序列的限制。图5是分析制造设备的组件的方法300的一实施例。方法300包含数个操作(301、302、303、304、305、306、307、308及309)。在一些实施例中，可自动执行方法300。在一些实施例中，自动实施方法300。在一些实施例中，整合且通过编程控制涉及方法300的制造设备的所有组件以便自动执行溅镀靶材102的中心的测量。
在操作301中，如图6中所展示而提供第二夹具106及溅镀靶材102。在一些实施例中，第二夹具106经配置以固持溅镀靶材102。在一些实施例中，第二夹具106包含用于收纳溅镀靶材102的一部分的第二凹槽106a，使得溅镀靶材可暂时固定在第二夹具106上。
在一些实施例中，第二夹具106包含第二预定中心106b。在一些实施例中，第二预定中心106b是第二夹具106的粗略中心，且因此从第二夹具106的精确中心偏离。在一些实施例中，第二预定中心106b大体上相当于第二夹具106的精确中心。在一些实施例中，探针朝向第二预定中心106b位移以供后续测量。
在操作302中，界定第二夹具106的第一区域。在一些实施例中，界定围绕第二预定中心106b的第二夹具106的第一区域。在一些实施例中，通过从第二预定中心106b朝外扩张来界定第二夹具106的第一区域。
在操作303中，测量第二夹具106的第一区域内的若干第一深度。在一些实施例中，通过探针测量第一深度。通过第二夹具106的第一区域内的若干点来获得第一深度。在一些实施例中，记录第一深度。
在操作304中，导出第一深度当中的最大第一深度。在一些实施例中，在测量第一深度之后确定最大第一深度。在一些实施例中，还导出第二夹具106的具有最大第一深度的位置。在一些实施例中，记录最大第一深度。
在操作305中，界定第二夹具106的第二区域。在一些实施例中，界定围绕第二夹具106的最大第一深度的第二夹具106的第二区域。在一些实施例中，第二夹具106的第一区域大体上大于、小于或等于第二夹具106的第二区域。在一些实施例中，通过收缩第二夹具106的第一区域来界定夹具106的第二区域。在一些实施例中，第二夹具106的第一区域与第二区域至少部分地彼此重叠。在一些实施例中，第一区域扩张或收缩成第二区域是基于最大第一深度的量值。
在操作306中，测量第二夹具106的第二区域内的若干第二深度。在一些实施例中，通过探针测量第二深度。通过用探针探测第二夹具106的第二区域内的若干点来获得第二深度。在一些实施例中，记录第二深度。
在操作307中，导出所述第二深度当中的最大第二深度。在一些实施例中，在测量第二深度之后确定最大第二深度。在一些实施例中，还导出第二夹具106的具有最大第二深度的位置。在一些实施例中，记录最大第二深度。
在操作308中，比较最大第一深度与最大第二深度。在一些实施例中，比较可确定是否找到第二夹具106的最大深度。
在操作309中，基于比较(操作308)而执行操作。在一些实施例中，如果最大第一深度根据比较(操作308)而大体上大于最大第二深度，那么将第二夹具106的具有最大第一深度的位置界定为第二夹具106的中心106c。在一些实施例中，第二夹具106的具有最大第一深度的中心106c是第二夹具106的精确中心。
在一些实施例中，可基于第二夹具106的具有最大第一深度的中心106c而确定溅镀靶材102的中心。溅镀靶材102的中心与第二夹具106的中心106c竖直对准。在一些实施例中，记录第二夹具106的具有最大第一深度的位置。在一些实施例中，获得且记录第二夹具106的位置的坐标。在一些实施例中，溅镀靶材102的中心的位置与第二夹具106的位置竖直对准。在一些实施例中，获得且记录溅镀靶材102的中心的位置的坐标。
在一些实施例中，如果最大第一深度根据比较(操作308)而大体上小于最大第二深度，那么重复操作305、306、307及308。在一些实施例中，在比较(操作308)之后，界定第二夹具106的第三区域。在一些实施例中，界定围绕第二夹具106的最大第二深度的第二夹具106的第三区域。在一些实施例中，第二夹具106的第一区域与第二夹具106的第二区域大体上彼此相同。在一些实施例中，第二夹具106的第二区域大体上大于第二夹具106的第一区域。在一些实施例中，界定第二夹具106的第三区域类似于操作305。
在一些实施例中，在界定第二夹具106的第三区域之后，测量第二夹具106的第三区域内的若干第三深度。在一些实施例中，通过探针测量第三深度。通过探测第二夹具106的第三区域内的若干点来获得第三深度。在一些实施例中，记录第三深度。在一些实施例中，测量第三深度类似于操作306。
在一些实施例中，在测量第三深度之后，导出第三深度当中的最大第三深度。在一些实施例中，在测量第三深度之后确定最大第三深度。在一些实施例中，还导出第二夹具106的具有最大第三深度的位置。在一些实施例中，记录最大第三深度。在一些实施例中，导出最大第三深度类似于操作307。
在一些实施例中，在导出最大第三深度之后，比较最大第三深度与最大第二深度。在一些实施例中，比较可确定是否找到第二夹具106的最大深度。在一些实施例中，比较类似于操作308。
在一些实施例中，如果最大第三深度根据比较而大体上小于最大第二深度，那么将第二夹具106的具有最大第二深度的位置界定为第二夹具106的中心106c。在一些实施例中，第二夹具106的具有最大第二深度的中心106c是第二夹具106的精确中心。
在一些实施例中，可基于第二夹具106的具有最大第二深度的中心106c而确定溅镀靶材102的中心。溅镀靶材102的中心与第二夹具106的中心106c竖直对准。在一些实施例中，记录第二夹具106的具有最大第二深度的位置。在一些实施例中，获得且记录第二夹具106的位置的坐标。在一些实施例中，溅镀靶材102的中心的位置与第二夹具106的位置竖直对准。在一些实施例中，获得且记录溅镀靶材102的中心的位置的坐标。
在一些实施例中，如果最大第三深度根据比较而大体上大于最大第二深度，那么再次重复操作305、306、307及308。在一些实施例中，如果得到第二夹具106的最大深度，那么终止操作。
在一些实施例中，一种方法包含：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。
在一些实施例中，执行所述操作包含：界定所述磁控管的具有最小第二磁通量密度的中心；导出所述磁控管的所述中心的位置；将探针移动到所述磁控管的所述中心的所述位置。在一些实施例中，所述测得第二磁通量密度等于或大体上小于所述预定阈值。在一些实施例中，所述磁控管的所述中心与所述夹具的所述预定中心竖直对准或从所述预定中心偏离。在一些实施例中，所述磁控管的所述第一区域的尺寸大体上与所述测得第一磁通量密度的量值成比例。
在一些实施例中，执行所述操作包含：基于所述测得第二磁通量密度而界定所述磁控管的第二区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第二区域内的多个第三磁通量密度；导出所述多个第三磁通量密度当中的测得第三磁通量密度；比较所述测得第三磁通量密度与所述预定阈值。在一些实施例中，执行所述操作进一步包含界定所述磁控管的具有最小第三磁通量密度的中心；导出所述磁控管的所述中心的位置；将探针移动到所述磁控管的所述中心的所述位置。
在一些实施例中，所述测得第三磁通量密度等于或大体上小于所述预定阈值。在一些实施例中，所述磁控管的所述中心与所述夹具的所述预定中心竖直对准或从所述预定中心偏离。在一些实施例中，所述磁控管的所述第二区域的尺寸大体上与所述测得第二磁通量密度的量值成比例。在一些实施例中，所述磁控管的所述第二区域大体上大于、小于或等于所述磁控管的所述第一区域。
在一些实施例中，一种方法包含：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的溅镀靶材；界定围绕所述预定中心的所述夹具的第一区域；测量所述夹具的所述第一区域内的多个第一深度；导出所述多个第一深度当中的最大第一深度；界定围绕所述夹具的所述最大第一深度的所述夹具的第二区域；测量所述夹具的所述第二区域内的多个第二深度；导出所述多个第二深度当中的最大第二深度；比较所述最大第一深度与所述最大第二深度；以及基于所述比较而执行操作。
在一些实施例中，所述夹具的所述第一区域大体上大于所述夹具的所述第二区域。在一些实施例中，所述最大第一深度大体上大于所述最大第二深度。在一些实施例中，执行所述操作包含记录所述夹具的具有所述最大第一深度的位置；界定所述溅镀靶材的中心，所述中心与所述夹具的具有所述最大第一深度的所述位置竖直对准。在一些实施例中，所述最大第一深度大体上小于所述最大第二深度。
在一些实施例中，执行所述操作包含：界定围绕所述夹具的所述最大第二深度的所述夹具的第三区域；测量所述夹具的所述第三区域内的多个第三深度；导出所述多个第三深度当中的最大第三深度；比较所述最大第三深度与所述最大第二深度；记录所述夹具的具有所述最大第二深度的位置；界定所述溅镀靶材的中心，所述中心与所述夹具的具有所述最大第二深度的所述位置竖直对准。在一些实施例中，所述最大第三深度大体上小于所述最大第二深度。
在一些实施例中，一种方法包含：提供具有估计中心的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述估计中心处的测得第一磁通量密度；界定围绕所述估计中心的所述磁控管的区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而界定所述磁控管的中心。
在一些实施例中，所述方法进一步包含：扩张所述磁控管的所述区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述经扩张区域内的多个第三磁通量密度；导出所述多个第三磁通量密度当中的测得第三磁通量密度；比较所述测得第三磁通量密度与所述预定阈值。
前文概述若干实施例的特征，从而使得所属领域的技术人员可较好地理解本公开的各方面。所属领域的技术人员应理解，其可易于使用本公开作为设计或修改用于实现本文中所引入的实施例的相同目的及/或达成相同优势的其它工艺及结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离本公开的精神及范围，且所属领域的技术人员可在不脱离本公开的精神及范围的情况下在本文中作出各种改变、替代及更改。
符号说明
100 设备
101 磁控管
102 溅镀靶材
102a 涂层
103 载物台
104 衬底
105 第一夹具
105a 第一凹槽
105b 第一预定中心
106 第二夹具
106a 第二凹槽
106b 第二预定中心
106c 中心
200 方法
201 操作
202 操作
203 操作
204 操作
205 操作
206 操作
207 操作
300 方法
301 操作
302 操作
303 操作
304 操作
305 操作
306 操作
307 操作
308 操作
309 操作
A 箭头。

Claims (20)

1.一种分析制造设备的方法，其包括：
提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；
使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；
基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；
使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；
导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；
比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及
基于所述比较而执行操作，其中所述执行所述操作包含：
基于所述测得第二磁通量密度而界定所述磁控管的第二区域；
使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第二区域内的多个第三磁通量密度；
导出所述多个第三磁通量密度当中的测得第三磁通量密度；
比较所述测得第三磁通量密度与所述预定阈值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述操作包含：
界定所述磁控管的具有最小第二磁通量密度的第二中心；
导出所述磁控管的所述第二中心的位置；
将探针移动到所述磁控管的所述第二中心的所述位置。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述测得第二磁通量密度等于或小于所述预定阈值。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述磁控管的所述第二中心与所述夹具的所述预定中心竖直对准或从所述预定中心偏离。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁控管的所述第一区域的尺寸与所述测得第一磁通量密度的量值成比例。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基于所述测得第一磁通量密度而界定所述第一区域包含通过从所述预定中心朝外扩张来界定所述第一区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述操作进一步包含：
界定所述磁控管的具有最小第三磁通量密度的第三中心；
导出所述磁控管的所述第三中心的位置；
将探针移动到所述磁控管的所述第三中心的所述位置。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述测得第三磁通量密度等于或小于所述预定阈值。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述磁控管的所述第三中心与所述夹具的所述预定中心竖直对准或从所述预定中心偏离。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁控管的所述第二区域的尺寸与所述测得第二磁通量密度的量值成比例。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁控管的所述第二区域大于、小于或等于所述磁控管的所述第一区域。
12.一种分析制造设备的方法，其包括：
提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；
使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；
通过从所述预定中心朝外扩张及基于所述测得第一磁通量密度来界定第一区域；
使所述磁控管旋转，且量测所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；
导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；
比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；
通过从所述第一区域朝外扩张及基于所述测得第二磁通量密度来界定第二区域；
使所述磁控管旋转，且量测所述磁控管的所述第二区域内的多个第三磁通量密度；
导出所述多个第三磁通量密度当中的测得第三磁通量密度；以及
比较所述测得第三磁通量密度与所述预定阈值。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
界定所述磁控管的具有最小第三磁通量密度的第三中心；
导出所述磁控管的所述第三中心的位置。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括将探针移动至所述磁控管的所述第三中心的所述位置。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述测得第三磁通量密度等于或小于所述预定阈值。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述磁控管的所述第一区域的尺寸与所述测得第一磁通量密度的量值成比例。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述磁控管的所述第二区域的尺寸与所述测得第二磁通量密度的量值成比例。
18.根据权利要求12所述的方法，其中所述磁控管的所述第二区域大于所述磁控管的所述第一区域。
19.一种分析制造设备的方法，其包括：
提供具有估计中心的磁控管；
使所述磁控管旋转且获得所述估计中心处的测得第一磁通量密度；
界定围绕所述估计中心的所述磁控管的区域；
使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述区域内的多个第二磁通量密度；
导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；
比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；
基于所述比较而界定所述磁控管的第二中心；
扩张所述磁控管的所述区域；
使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的经扩张区域内的多个第三磁通量密度；
导出所述多个第三磁通量密度当中的测得第三磁通量密度；以及
比较所述测得第三磁通量密度与所述预定阈值。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述估计中心从所述第二中心偏离。
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