CN203680929U - 一种改性聚四氟乙烯覆铜基板 - Google Patents

一种改性聚四氟乙烯覆铜基板 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供一种改性聚四氟乙烯覆铜基板,包括铜箔层、全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层和介质层。其特征在于:介质层上、下表面分别通过全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层分别连接一层铜箔层。介质层由纯聚四氟乙烯膜、混合浸胶布组成,纯聚四氟乙烯膜和混合浸胶布的层数可根据实际需要设定。本实用新型保留了覆铜基板原有优异特性、又改善其加工及使用的性能。

Description

一种改性聚四氟乙烯覆铜基板
技术领域
本实用新型涉及一种覆铜基板,尤其涉及一种高强度、低损耗的改性聚四氟乙烯覆铜基板。
背景技术
目前,随着通信、电子产品逐渐向高频、高速度化方向发展,传统的基板材料被高速化、高可靠性基板代替,高频高性能聚四氟乙烯覆铜基板市场需求迅速增长。聚四氟乙烯具有优良的电气性能,耐化学腐蚀,耐热,高频率范围内介电常数、介质损耗因子数变化少,适用于作为高速数字化和高频微波线路板的基体树脂。但聚四氟乙烯热膨胀系数大,质地柔软,产品抗弯强度小、机械性能差;其次聚四氟乙烯与铜箔和增强材料的粘接性差,产品剥离强度低。因此有必要设计出新的技术以解决上述问题。
全氟烷氧基乙烯基醚共聚物树脂物理性能、电性能和化学性能均与聚四氟乙烯类似,在力学特性中,全氟烷氧基乙烯基醚共聚物树脂在室温下的机械强度与聚四氟乙烯相仿,而有在高温(250℃)时还主高于聚四氟乙烯,而且柔软和坚韧;在电气特性中,全氟烷氧基乙烯基醚共聚物与聚四氟乙烯电绝缘性能几乎无差别,而且受频率的影响很小,介电特性优良。全氟烷氧基乙烯基醚共聚物与聚四氟乙烯相比,除保持聚四氟乙烯的各种特性外,主要是易于加工,在熔点以上能熔融流动。用全氟烷氧基乙烯基醚共聚物共混聚四氟乙烯改性为是一种新方法,尚未发现其相关应用。
发明内容
针对现有技术的不足,本实用新型在于提供一种保留其原有优异特性、又改善其加工及使用性能的聚四氟乙烯覆铜基板。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种改性聚四氟乙烯覆铜基板,其特征在于:包括铜箔层、全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层和介质层。
介质层上、下表面通过全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层分别连接一层铜箔层。
介质层由若干层交替堆叠的纯聚四氟乙烯膜、混合浸胶布构成,且介质层的最外层均为纯聚四氟乙烯膜。
本实用新型的有益效果是:该改性聚四氟乙烯覆铜基板利用全氟烷氧基乙烯基醚共聚物优良的电气性能,熔点低,与铜箔的粘接能力强的特点,用全氟烷氧基乙烯基醚共聚物共混聚四氟乙烯改性,制备高频高性能覆铜基板,不但提高产品的弯曲强度和剥离强度,而且可以降低介质损耗因子、热压成型温度和压力,具有良好的效果。
附图说明
图1为本实用新型所述的改性聚四氟乙烯覆铜基板的结构示意图。
图中: 1——铜箔层,2——全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层,3——介质层。 
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细地描述。
如图1所示,一种改性聚四氟乙烯覆铜基板,包括铜箔层1、全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层2和介质层3。
介质层3上、下表面通过全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层2分别连接一层铜箔层1。
介质层3由若干层交替堆叠的纯聚四氟乙烯膜、混合浸胶布组成,且介质层3的最外层均为纯聚四氟乙烯膜。
混合浸胶布为电子E玻璃纤维布均匀涂覆聚四氟乙烯浓缩水分散乳液和全氟烷氧基乙烯基醚共聚物浓缩分散液的混合浸渍液制成,其组成按产品实际性能需求,可由质量百分比为: E玻璃纤维布为:17%-35%,混合浸渍液为:83%-65%的溶剂配制。 
上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理和最佳实施例,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。

Claims (3)

1.一种改性聚四氟乙烯覆铜基板,其特征在于:包括铜箔层、全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层和介质层。
2.根据权利要求1所述的改性聚四氟乙烯覆铜基板,其特征在于:介质层上、下表面通过全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜层分别连接一层铜箔层。
3.根据权利要求1或2所述的改性聚四氟乙烯覆铜基板,其特征在于:介质层由若干层交替堆叠的纯聚四氟乙烯膜、混合浸胶布构成,且介质层的最外层均为纯聚四氟乙烯膜。
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