CN203631601U - 发光二极体的承载座 - Google Patents

Abstract

一种发光二极体的承载座，包括：设有功能区的绝缘体；以及局部埋入绝缘体内且包含有凹杯和弯折结构的导线架，凹杯具有杯底面并经由功能区露出于绝缘体，导线架界定有水平参考面，弯折结构包含第一弯折段和连接于凹杯周缘与第一弯折段的一边之间的第二弯折段，第一弯折段和第二弯折段彼此阶梯状连接而与水平参考面之间分别具有相异的第一高度和第二高度。藉此，以在生产时不会发生弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，进而提高量产良率。

Description

发光二极体的承载座

技术领域

本实用新型关于一种承载座，特别是指一种发光二极体的承载座。

背景技术

关于发光二极体的承载座，包括一导线架1以及局部包覆导线架1的一胶体2，其中的胶体2设有一功能区21。至于导线架1为由一金属料片(图1中未示)经冲压制成，也就是在金属料片上冲制出彼此相对凹凸的一凹杯11和一弯折段12，换言之，导线架1包含凹杯11和弯折段12。

详细而言，弯折段12为藉由冲压而相对于金属料片所上折成型，位于弯折段12中间的金属料片则相对于上折而形成下凹状的凹杯11，弯折段12的底面121与对应于凹杯11的底面111之间则因为上折而产生一距离DP。其中，凹杯11经由功能区21而露出于胶体2，以能在凹杯11内设置一发光晶片3。

惟由于习知承载座为冲压成型，因此其弯折段12必须一次上折足够的距离，才能制出适当凹凸的凹杯11和弯折段12，如此将造成前述因为上折所产生的距离DP系大于导线架1的一半厚度TP，而会在生产上发生：金属料片在弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，进而导致量产的良率过低，早为人所垢病已久。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极体的承载座，其克服金属料片弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，进而提高量产的良率。

为达上述目的，本实用新型公开了一种发光二极体的承载座，其特征在于包括：

一绝缘体，设有一功能区；以及

一导线架，局部埋入于该绝缘体内，该导线架包含一弯折结构和经由该功能区露出于该绝缘体的一凹杯，该凹杯具有一杯底面，该导线架并界定有一水平参考面，该弯折结构包含一第一弯折段和连接于该凹杯周缘与该第一弯折段的一边之间的一第二弯折段，该第一弯折段和该第二弯折段为阶梯状连接而与该水平参考面之间分别具有相异的一第一高度和一第二高度。

其中，该第二弯折段的该第二高度大于该第一弯折段的该第一高度。

其中，该凹杯还具有一凹部，该凹部具有一凹入深度，该凹入深度相同于该第二高度。

其中，该凹部连通于该绝缘体的该功能区。

其中，该水平参考面与该杯底面等高。

其中，该第一弯折段具有一第一弯折底面，该第二弯折段具有一第二弯折底面，该导线架并界定有与该第一弯折底面等高的另一水平参考面，该第一弯折底面与该水平参考面之间具有一第一距离，该第二弯折底面与该另一水平参考面之间具有一第二距离，该第一距离小于该导线架的厚度的一半，该第二距离亦小于该导线架的厚度的一半。

其中，该第一距离和该第二距离的加小于该导线架的厚度。

其中，该导线架还包含有一外围部，该外围部阶梯状连接于该第一弯折段的另一边，且该外围部具有与该杯底面等高的一外围底面。

其中，该导线架还包含有一外围部，该外围部阶梯状连接于该第一弯折段的另一边，且该外围部具有一外围底面，该水平参考面则与该外围底面等高。

相较于先前技术，本实用新型具有以下功效：使第一弯折段和第二弯折段的个别往上弯折距离皆小于导线架的厚度的一半，从而保证不会发生弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，因此而能提高产品量产的良率。

附图说明

图1：为习知承载座的剖视图。

图2：为本实用新型承载座中的导线架的剖视图。

图3：为本实用新型承载座的剖视图。

具体实施方式

为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，惟所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。

本实用新型提供一种发光二极体的承载座，图2所示为冲压成型后的导线架4剖视图，图3所示为包括绝缘体3和导线架4的本实用新型承载座的剖视图。如图，绝缘体3设有一功能区31，导线架4则局部埋入于绝缘体3内。

如图2和图3所示，导线架4透过对一金属料片(图未示)的冲压而成型出包含一凹杯41和一弯折结构42，较佳者，导线架4还包含一外围部43。

凹杯41具有一杯底面411和一凹部412，下凹状的凹部412则具有一凹入深度D3。凹杯41经由功能区31而露出于绝缘体3，使凹部412与功能区31连通。

弯折结构42包含依次冲压而成的一第一弯折段42a和一第二弯折段42b，第二弯折段42b连接于凹杯41的周缘与第一弯折段42a的一边422之间，于本实施例中，前述外围部43并连接于第一弯折段42a的另一边423。其中，第一弯折段42a具有一第一弯折底面421a，第二弯折段42b具有一第二弯折底面421b，外围部43则具有一外围底面431。导线架4则界定有一水平参考面R和另一水平参考面S，其中，水平参考面R系与杯底面411等高或与外围底面431等高，另一水平参考面S则与第一弯折底面421a等高。

第一弯折段42a和第二弯折段42b彼此阶梯状连接，以使第一弯折段42a与水平参考面R之间具有一第一高度H1，并使第二弯折段42b与水平参考面R之间具有一第二高度H2。其中，第二高度H2大于第一高度H1。

具体而言，在冲压前述金属料片时，先冲压成型出第一弯折段42a，使第一弯折底面421a与水平参考面R之间形成有一第一距离D1(也就是从水平参考面R往上弯折后的第一次弯折距离)；接着冲压成型出第二弯折段42b，使第二弯折底面421b与另一水平参考面S之间形成有一第二距离D2(也就是从另一水平参考面S往上弯折后的第二次弯折距离)；至于位于弯折结构42中间的金属料片则相对于往上弯折而形成下凹状的前述凹杯41，位于弯折结构42外围的金属料片亦相对于往上弯折而形成最低一级阶梯的前述外围部43，外围部43亦阶梯状连接于第一弯折段42a的另一边423，外围底面431则可平行于杯底面411(即：外围底面431高于或低于杯底面411，图中未示)或可与杯底面411位在相同的高度上(即：外围底面431与杯底面411等高，如图所示)。

其中，因为第一次往上弯折所形成的第一距离D1小于导线架4的厚度T的一半，因此不会有弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题；因为第二次往上弯折所形成的第二距离D2亦小于导线架4的厚度T的一半，因此亦不会有弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题；且这两次往上弯折的第一距离D1和第二距离D2的加总即等于前述凹部412的凹入深度D3(下凹的总深度)，也等于前述的第二高度H2(往上弯折的总高度)，换言之，凹入深度D3等于第二高度H2。

具体而言，导线架4分次且分段依序往上弯折出第一弯折段42a和第二弯折段42b(因此而使第二高度H2大于第一高度H1)，每一弯折段的弯折皆不超过导线架4的厚度T的一半而不会有变形和变异性过大的问题，再加上彼此阶梯状连接的第二弯折段42b基于第一弯折段42a再往上弯折，因此两次弯折所产生的第一距离D1和第二距离D2的加总，将被设计为等于凹杯41的凹部412所需的凹入深度D3(第一距离D1和第二距离D2的加总系可小于导线架4的厚度T，但本实用新型并未限定)，从而既能冲压出所需的导线架4并制成发光二极体的承载座产品，又能保证不会发生弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，以在量产时能提高产品良率。

再如图3所示，所制成的成品：发光二极体的承载座即能在凹杯41的凹部412内设置至少一发光晶片5，并在进行打线、封装等后续制程后，制出图未示的一发光二极体。

综上所述，本实用新型相较于先前技术系具有以下功效：由于导线架4的弯折结构42分次且分段依序弯折，因此每一次弯折所产生的第一距离D1和第二距离D2都不超过导线架4的厚度T的一半，但又能在两次弯折后达到对应形成凹杯41所需的凹入深度D3，换言之，第一距离D1和第二距离D2的加总系可大于或等于凹入深度D3，从而不会发生弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，以在量产时能提高产品良率。

此外，本实用新型还具有其它功效：还能因为第一弯折段42a、第二弯折段42b和外围部43之间系彼此阶梯状连接，以提升导线架4与绝缘体3之间的结合强度，整个承载座的结构性更佳。

以上所述者，仅为本实用新型的较佳可行实施例而已，非因此即局限本实用新型的专利范围，举凡运用本实用新型说明书及图式内容所为的等效结构变化，均理同包含于本实用新型的权利范围内，合予陈明。

Claims (9)

1.一种发光二极体的承载座，其特征在于包括：

一绝缘体，设有一功能区；以及

一导线架，局部埋入于该绝缘体内，该导线架包含一弯折结构和经由该功能区露出于该绝缘体的一凹杯，该凹杯具有一杯底面，该导线架并界定有一水平参考面，该弯折结构包含一第一弯折段和连接于该凹杯周缘与该第一弯折段的一边之间的一第二弯折段，该第一弯折段和该第二弯折段为阶梯状连接而与该水平参考面之间分别具有相异的一第一高度和一第二高度。

2.如权利要求1所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该第二弯折段的该第二高度大于该第一弯折段的该第一高度。

3.如权利要求2所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该凹杯还具有一凹部，该凹部具有一凹入深度，该凹入深度相同于该第二高度。

4.如权利要求3所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该凹部连通于该绝缘体的该功能区。

5.如权利要求1所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该水平参考面与该杯底面等高。

6.如权利要求5所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该第一弯折段具有一第一弯折底面，该第二弯折段具有一第二弯折底面，该导线架并界定有与该第一弯折底面等高的另一水平参考面，该第一弯折底面与该水平参考面之间具有一第一距离，该第二弯折底面与该另一水平参考面之间具有一第二距离，该第一距离小于该导线架的厚度的一半，该第二距离亦小于该导线架的厚度的一半。

7.如权利要求6所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该第一距离和该第二距离的加小于该导线架的厚度。

8.如权利要求1所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该导线架还包含有一外围部，该外围部阶梯状连接于该第一弯折段的另一边，且该外围部具有与该杯底面等高的一外围底面。

9.如权利要求1所述的发光二极体的承载座，其特征在于，该导线架还包含有一外围部，该外围部阶梯状连接于该第一弯折段的另一边，且该外围部具有一外围底面，该水平参考面则与该外围底面等高。

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