CN203631551U - 图像捕获设备和像素设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及具有背侧照明电子全局快门控制的CMOS传感器。一种包括图像捕获电路的设备以及用于制作其的方法。电子器件形成于衬底的第一侧上，每个电子器件都包括光电探测器。多个不透明护罩形成于对应于在衬底的第一侧上的电子器件的衬底的第二侧上，并且每个不透明护罩都与电子器件的其中之一直接相对。

Description

图像捕获设备和像素设备
技术领域
本实用新型涉及CMOS图像传感器。更具体而言，本实用新型涉及一种用于背侧照明CMOS图像传感器的新颖全局快门控制结构。 
背景技术
相关申请的交叉引用
本申请包含的主题涉及发明名称为"Apparatus Having Coordinated Exposure Period and Illumination Period"的美国专利No.7,909,257的主题，该美国专利被转让给与本申请相同的受让人并且在此处通过引用全文结合于此。
图像传感器或像素为这样的半导体器件，其收集入射的光能量(光子)并且将一定量的所收集的光能量转换为与所收集的光能量的数量或强度成比例的电信号。在具有存储节点的图像传感器中，电容器典型地被用于临时存储与所收集光能量的大小相对应的电荷。全局快门CMOS图像传感器在针对每个像素的控制电路中采用若干晶体管。 
参考图1图示一种传统像素电路。第一晶体管T1被用于将光电探测器(光电二极管)101中光能量的收集而产生的电荷传递到浮动扩散(电容器)或存储节点102。第二晶体管T2被用于将光电探测器节点重置到期望电压电平以用于后续曝光。第三晶体管T3将存储节点重置到期望电压电平。被配置为源极跟随器放大器的第四晶体管T4放大在存储节点收集的电荷。存储节点作为源极跟随器的栅极操作，用于发信号通知附连到像素阵列的图像处理电路系统(未示出)。第五晶体管T5被切换以选择具体像素用于读出其存储的电荷，例如Column Out或Vout。因而，各种波长的光被光电二极管检测，并且随后大量所检测的光生电荷被传递到浮动扩散节点，即驱动晶体管的栅极，并且作为电信号在输出端子Vout或Column Out被输出。 
图像传感器典型地使用半导体制造工艺在硅晶片上制作。通常，CMOS像素电路制造成用于捕获数字图像的数百万个像素的阵列。参考图2，图示现有技术前侧照明(FSI)结构和两个现有技术版本的背侧照明(BSI)CMOS传感器像素结构二者。公知的是，BSI技术通过应用过滤器和微透镜到像素的背侧(硅晶片的背侧)从而收集从那里通过的光而实现更好的灵敏度。如图所示，BSI技术将金属和像素/过滤器/透镜层的布置倒置，使得金属和电介质层位于传感器阵列下方，从而为光行进到像素中提供了最直接的路径，这优化了其填充因子并且因此与FSI像素相比提供更小的像素尺寸。再次参考图2，具有光电探测器(光电二极管)201的像素200是通过将选定的掺杂剂注入在硅衬底203的表面202上而形成。此表面202可以可替换地称为顶表面、前表面或纯粹第一表面。如此处所使用，术语"在衬底上"是指如所示光电二极管在硅衬底中的位置。尽管它可以与光电二极管"在衬底中"或者"在衬底表面处"的状态同义，术语"在…上"将指代如所示的位置，其暗示形成光电二极管的步骤是由冲着顶表面或前表面202的工艺步骤(诸如注入)执行。类似用法意图用于图5C所示的金属层554。术语"在衬底之上"此处将用于指代不在硅衬底内的器件和/或层。例如金属互连层金属1、金属2以及可替换地金属3和金属4(示于BSI像素220、240)的多层金属互连204形成于硅衬底之上并且彼此电连接(未示出)以及电连接到光电二极管。金属化层219典型地称为金属0。这些导电通路将逻辑和数据信号输运到用于处理由像素生成的图像数据的控制电路以及从该控制电路输运所述逻辑和数据信号。金属化层由一层二氧化硅(SiO2)218分离。一些金属线204可以用作用于将电力分布到在衬底上形成的器件的电压传输线。透镜207和可选过滤器208在前侧工艺中形成于最顶部金属层209之上(像素200)，或者可替换地，在背侧工艺中形成于硅衬底的底部或第二侧210之上(像素220和240)。 
在图2的CMOS图像传感器200中，光电二极管形成于硅衬底的前表面上，并且金属互连204使得像素的光电二极管不直接阻挡光205相对于像素的表面以特定角度206的入射。因而，光透射通过透镜、过滤器以及金属化层的电介质211，并且最终到达光电二极管。光通路217被图示为表示在FSI结构中某些光能量不到达光电二极管，但是在BSI设计220、240中将冲击光电二极管。 
如所示的CMOS图像传感器的阵列典型地被实现为数百万个像素的阵列。如果数目超过某一数量，该阵列变得太大并且因此单独像素尺寸必须减小。由于直接撞击在每个光电二极管上的光数量减小的原因，这种减小导致每个像素的捕获光能量(光子)数量减小。由阵列捕获的图像的质量由此下降。 
BSI架构已经被发展以补偿由于减小的像素尺寸造成的这种图像质量劣化。不是捕获行进通过示于像素200的像素设备的层的光能量，而是行进通过像素设备的背侧的光能量被捕获。BSI像素设备220和240图示这种架构。结构220和240是通过在金属化层沉积之后减薄硅衬底203而获得，得到衬底厚度213和214。减薄可以通过毯状蚀刻工艺、研磨或者化学机械抛光技术执行。可选滤光器，诸如滤色器208，随后形成于与光电二极管直接相对的硅衬底的第二侧210之上，从而基本上过滤撞击在光电二极管上的光。微透镜 207随后形成于过滤器之上，也分别与形成于衬底前侧上的光电二极管直接相对。在单色设备中，典型地不包括滤色器。其它类型的过滤器也可以用于过滤各种波长的光。因而，光电二极管捕获通过硅衬底的第二侧撞击在其上的光能量。由于不存在否则将阻挡光电二极管的金属化层，这种结构允许更多光能量215从更宽角度216到达光电二极管201，并且因而有利于减小单独像素尺寸(1.4μm)而不损失图像质量。像素设备240图示使用更小尺度制作工艺而附加减小像素尺寸(1.1μm)。在不使图像质量劣化的情况下BSI像素尺寸的这种减小是可以实现的，因为金属化层不阻碍入射光能量撞击在光电二极管上。BSI架构用于最大化由光电二极管捕获的光的数量，其中光首先通过减薄的硅衬底的第二侧，而不是如FSI架构中那样首先通过第一侧。由于金属互连形成于光电二极管的第一侧之上，背侧像素区域可以增加以改善图像传感器的图像捕获特性以及填充因子。在制作BSI CMOS图像传感器时，硅衬底的背侧从大约700μm减薄到处于从大约1.5μm至大约3μm范围的厚度。背侧可以被减薄、抛光或蚀刻以实现此厚度。 
参考图3，如像素设备200中那样，传统FSI全局快门像素设备300在硅衬底303的前表面302上形成有光电二极管301。电容器318也形成于硅衬底的前表面上并且由在硅衬底之上形成的金属2层中的不透明金属护罩319屏蔽。金属2层包括金属护罩319和电介质317。除了屏蔽之外，金属护罩319可以可选地被用作用于传输电力或数据信号到在衬底上形成的器件的导体。通常，金属化层每个都包括金属导体和电介质材料，其中金属线用作护罩、电力线或信号输运线。不透明护罩有利于全局快门特征，其中成像电路阵列中的所有像素基本上同时被露出以捕获图像并且将相应像素电荷传递到屏蔽电容器(存储节点)。不期望的光能量被防止到达电容器(存储)节点，由此避免扰乱临时存储的电荷。如前文，用于输运数据和控制信号的金属化层布置在光电二极管之上，可选过滤器形成于顶部金属层之上，并且透镜形成于可选过滤器之上。 
传统CMOS全局快门传感器每个像素消耗5至6个晶体管。因而，其需要比较大的像素尺寸来实施。对于CMOS传感器，目标像素尺寸为1.75μm至2.2μm时，几乎不可能每个像素布局5至6个晶体管并且仍然提供足够大的像素填充因子以得到良好的信噪比(SNR)。不调整像素架构则无法进一步减小像素结构的尺寸，这是由于实施其所需的晶体管的数目造成。每个像素晶体管越多，则需要更多的金属来连接它们，这进而减小到达光电二极管的光的数量并且由此使图像质量劣化。 
因而，存在对具有更大密度和更高效填充因子的BSI全局快门CMOS图像传感器以及制作这种CMOS图像传感器的方法的需求。期望发展用于构建CMOS架构的BSI全局快门机制的方法。本实用新型涉及使用BSI制作方法与全局快门像素结构结合来减小像素尺寸。 
实用新型内容
本实用新型满足了对于以高像素分辨率实现可接受填充因子的全局快门架构以及制作方法的需求。优选实施例其中之一是通过在BSI CMOS传感器架构顶部上添加金属层而构建不透明屏蔽(金属层)存储(电容器)区域。本实用新型运用BSI技术并且在BSI像素顶部上添加金属层，从而形成用于电子全局快门像素设计的不透明屏蔽存储区域(电容器)。 
依据本实用新型的优选实施例，提供了一种方法，其包括提供具有第一(前)侧和第二(底)侧的衬底。使用传统处理技术将多个电子器件形成于衬底的第一侧上。包括电介质和导电互连信号线的金属化层电连接到电子器件用于将图像数据传输到毗邻的处理电路，并且也在硅衬底的第一侧之上形成于电子器件之上。多个不透明护罩形成于对应于衬底的第一侧上的电子器件的硅衬底的第二侧上。每个不透明护罩与在衬底的第一侧上的电子器件的其中之一直接相对地布置。电子器件的形成包括在其中形成存储节点，并且不透明护罩中的每一个都在衬底的第二侧上与电子器件的其中之一直接相对地布置。每个电子器件中的存储节点典型地为电容器并且不透明护罩典型地由铝金属层形成。尽管互连信号线传输数据和逻辑信号，但金属层不连接到信号线。光电探测器也形成于每个电子器件中并且电连接到各存储节点中的对应一个存储节点。为了促进光透射通过衬底的第二侧，衬底诸如通过化学机械研磨或者通过蚀刻被减薄。金属层这样形成：蚀刻经减薄衬底的第二侧的一部分并且在其中沉积二氧化物衬层以及接着沉积铝。可选滤光器中的每一个被形成为与在衬底的第一侧上的光电探测器的其中之一直接相对。微透镜随后形成于衬底的第二侧之上以及滤光器(如果它们存在的话)之上，每个微透镜与在衬底的第一侧上的光电探测器的其中之一直接相对。典型地，滤光器包括滤色器但是可以包括其它类型的过滤器。不透明护罩典型地形成于毗邻存储电容器的衬底的第一侧上，并且每一个不透明护罩通常与在衬底的第二侧上的不透明护罩的其中之一的至少一部分直接相对。在衬底的第一侧上形成电子器件典型地包括冲着衬底的第一侧的注入步骤，并且在衬底的第二侧上形成不透明护罩包括蚀刻衬底的第二侧以及随后在被蚀刻部分中沉积铝或另一稳定金属。 
本实用新型在第二方面提供一种诸如数字静物摄像机、数字视频摄像机、桌上型扫描器、手持式扫描器、手机或复印机的图像捕获设备。该设备包括衬底，其具有在衬底的第一侧上用于捕获图像数据的多个像素区域；以及至少一个电子电路，其在多个像素区域之上电连接到像素区域用于传输所捕获图像数据。在衬底的第二侧上的不透明护罩中的每个都与在衬底的第一侧上的像素区域的其中之一的一部分相对地布置。也在衬底的第二侧之上的透镜中的每个都与在衬底的第一侧上的像素区域的其中之一相对地布置。诸如滤色器或其它过滤器的可选滤光器(如果存在)中的每个都布置在衬底的第二侧之上，位于像素区域的其中之一和透镜的其中之一之间。像素区域中的每个都包括：光电探测器，其用于收集光能量以及用于响应于此而生成电荷；以及存储节点，其电连接到光电探测器用于存储电荷。在衬底的第一侧之上的多个不透明护罩中的每个都被布置在像素区域的其中之一的一部分之上，并且每一个都与在衬底的第二侧上的不透明护罩的至少一部分直接相对地布置。不透明护罩中的每个都用于阻拦不期望的光能量撞击在对应像素区域的一部分上。快门控制电路电连接到所有像素区域用于同时激活所有像素区域，从而收集撞击在像素区域上的光能量并且将由此生成的电荷传递到它们对应的存储节点。 
本实用新型在第三方面提供一种像素设备，其包括在衬底的第一侧上形成的光电二极管以及连接到其的存储节点。电子电路形成于衬底的第一侧之上并且电连接到存储节点。不透明护罩形成于衬底的第二侧上并且与在衬底的第一侧上的存储节点直接相对地布置。在衬底的第二侧之上的透镜与光电二极管直接相对地布置。可选过滤器可以形成于衬底的第二侧和透镜之间。 
当结合下述说明书和附图来考虑时，本实用新型的这些以及其它方面、优点、特征和目的将被更好地理解和认识。然而应理解，下述说明书尽管指出本实用新型的优选实施例及其许多特定细节，所述说明书是以说明性而非限制性的方式给出。例如，上文的发明内容描述不是旨在描述其要素不可互换的单独分离的实施例。实际上，结合具体实施例描述的许多要素可以与其它所述实施例中的要素一起被使用，并且有可能与其它所述实施例中的要素互换。可以在本实用新型的范围中进行许多变化和调整而不背离其精神，并且本实用新型包括所有这种调整。下面各图既不是旨在就相对大小、角度关系或相对位置而言按任何精确比例绘制，也不是就实际实施方式的互换性、替换或代表而言按任何组合关系进行绘制。重复的图像要素并未都用重复的要素标记标注以维持图中的清楚性，但是它们的描述从对应列举的要素的描述是显而易见的。 
附图说明
图1描述现有技术像素电路。 
图2图示现有技术FSI和BSI像素结构。 
图3图示现有技术FSI全局快门像素结构。 
图4图示本实用新型的BSI全局快门像素结构的一个实施例。 
图5a-c图示形成图4所示的BSI全局快门像素结构的制作工艺。 
图6a-d图示在像素区域的阵列的一部分之上的不透明护罩的布置。 
具体实施方式
本实用新型的优选实施例包括新颖的添加到用于BSI CMOS工艺顺序的工艺流程的金属沉积步骤。沟槽处理技术被用于在与第一侧上的存储节点(电容器)直接相对的背侧上蚀刻硅衬底的部分。此蚀刻可以被控制到紧密接近在衬底的第一侧上的电容器的深度，这是有利的，因为在沟槽中沉积的金属护罩将阻拦更多的不需要的光到达存储节点，由此要求更少区域用于护罩。在蚀刻工艺之前，硅衬底诸如通过毯状蚀刻或者研磨衬底的第二侧而被减薄。用于制作背侧照明像素的当前已知工艺流程不包括在背侧上的金属沉积处理。 
本实用新型的全局快门像素结构的优选实施例之一示于图4。此新颖结构包括在硅衬底的前表面402上形成的二极管401和电容器418。新颖金属层454制作在硅衬底的背侧410上以形成图4所示不透明护罩，从而屏蔽像素的电容器存储区域以免于不期望光能量撞击在其上。如所示的所制作的像素结构阵列可以用于在当前利用图像传感器阵列的各种器件中的图像捕获。例如，数字静物摄像机、数字视频摄像机、桌上型扫描器、手持式扫描器、手机以及数字复印机都依赖于图像传感器阵列来处理数字捕获的图像。 
参考图5a-5c，图示了图4所示本实用新型的BSI CMOS全局快门像素的新颖金属护罩制作工艺的优选实施例。图5a图示在上文参考图4描述的像素结构，但是具有示为504的多个金属化层：金属0至金属4，在图中为了清楚起见而没有示出层细节。二氧化硅层518将金属化层与硅衬底的顶表面502分离。存在光电二极管501和经减薄的硅衬底514。硅衬底的前侧502、背侧510以及电容器530被图示并且如上所述起作用。背侧处理按下述方式进行：参考图5a，抗蚀剂551沉积在衬底的背侧之上并且根据用于放置不透明护罩的预定位置而被图案化，即与在衬底的前侧上形成的电容器存储节点直接相对。用于通孔和结合垫的对准特征也被用于对准不透明护罩区域。参考图5b，通过抗蚀剂图案化而露出的衬底区域的沟槽处理552在背侧表面中形成经蚀刻区域，接着是在衬底上在沟槽中形成二氧化物层553。在优选实施例中，二氧化物层通过化学气相沉积形成。参考图5c，诸如铝的金属通过蒸发步骤而沉积在经蚀刻区域中，接着使用化学机械工艺进行抛光，得到与在衬底前侧上形成的电容器530直接相对地、在衬底背侧表面上形成的不透明金属护罩554。接着在衬底背侧之上与每个光电二极管区域相对地传统形成如上所述可选滤色器或其它过滤器。微透镜随后如上所述与每个光电二极管区域相对地传统地形成于后侧之上。 
参考图6a-6d，图示通过图5a-5c图示的工艺形成的不透明护罩的俯视图。参考图6a和6b，护罩601在存储电容器603之上形成(在图6a和6b的俯视图中，存储电容器在金属护罩下方)。不透明金属护罩如图6a所示交叉电连接在接地栅格金属化图案602中，或者可以如图6b所示与仅仅水平的地连接604相连接。参考图6c和6d，护罩611在存储电容器613之上形成(在图6c和6d的俯视图中，存储电容器在金属护罩下方)。不透明金属护罩如图6c所示交叉电连接在接地栅格金属化图案612中，或者可以如图6d所示连接成水平金属护罩层。 
图6a-6d所示金属栅格图案601、602、604、611和612还形成水平或交叉连接栅格从而防止一定量像素串扰，其中以锐角行进通过相邻像素的过滤器的光线的一部分被栅格线阻碍而无法撞击在另一像素的光电二极管上。 
在此处阐述的系统、方法和设备中，此处阐述了： 
A1.一种方法，包括：
提供衬底，该衬底具有第一侧和第二侧；
在衬底的第一侧上形成多个电子器件；
形成包括多个电连接到电子器件的电子电路的至少一个层，该至少一个层形成于衬底的第一侧之上；以及
在衬底的第二侧上形成多个不透明护罩，所述多个不透明护罩中的每个都与在衬底的第一侧上形成的电子器件的其中之一直接相对地布置。
A2.根据A1的方法，其中形成多个电子器件的步骤包括在所述多个电子器件的每一个中形成存储节点，并且其中形成多个不透明护罩的步骤包括与该存储节点的其中之一直接相对地布置每个不透明护罩。 
A3.根据A2的方法，其中在所述多个电子器件中的每个中形成存储节点的步骤包括形成电容器，并且其中形成多个不透明护罩的步骤包括形成金属层。 
A4.根据A3的方法，其中电子电路输运数据信号并且其中金属层不连接到电子电路。 
A5.根据A2的方法，其中形成多个电子器件的步骤还包括在所述多个电子器件的每个中形成光电探测器，并且其中每个光电探测器电连接到该存储节点中的对应的一个。 
A6.根据A3的方法，其中形成金属层的步骤包括蚀刻衬底的第二侧的部分以及在经蚀刻的部分中沉积铝。 
A7.根据A1的方法，还包括减薄衬底，其包括在形成多个不透明护罩的步骤之前从衬底的第二侧移除衬底材料。 
A8.根据A7的方法，其中形成多个电子器件的步骤包括在所述多个电子器件的每个中形成光电探测器，并且其中该方法还包括在衬底的第二侧之上形成多个透镜，每个透镜与在衬底的第一侧上的光电探测器的其中之一直接相对。 
A9.根据A8的方法，还包括在形成多个透镜的步骤之前形成多个滤光器，滤光器中的每个都被形成为与在衬底的第一侧上的光电探测器的其中之一直接相对，并且其中形成多个透镜的步骤包括形成每一个都在滤光器的其中之一之上的多个透镜。 
A10.根据A9的方法，其中形成多个滤光器的步骤包括形成滤色器。 
A11.根据A7的方法，其中减薄衬底的步骤还包括选自下述的步骤：研磨衬底的第二侧以及毯状蚀刻衬底的第二侧。 
A12.根据A1的方法，其中在衬底的第一侧上形成多个电子器件的步骤包括冲着衬底的第一侧的注入步骤，并且其中在衬底的第二侧上形成多个不透明护罩的步骤包括蚀刻衬底的第二侧。 
B1.一种图像捕获设备，包括： 
衬底，其包括在衬底的第一侧上用于捕获图像数据的多个像素区域；
至少一个电子电路，其在多个像素区域之上电连接到像素区域用于传输所捕获的图像数据；
在衬底的第二侧上的多个不透明护罩，每个所述不透明护罩都与在衬底的第一侧上的像素区域的其中之一的一部分相对地布置；以及
在衬底的第二侧之上的多个透镜，每个所述透镜都与在衬底的第一侧上的像素区域的其中之一相对地布置。
B2.根据B1的设备，还包括在衬底的第二侧之上的多个滤光器，每个滤光器都布置在像素区域的其中之一和透镜的其中之一之间。 
B3.根据B2的设备，其中滤光器包括滤色器。 
B4.根据B1的设备，其中图像捕获设备选自由下述各项组成的群组：数字静物摄像机、数字视频摄像机、桌上型扫描器、手持式扫描器、手机以及复印机。 
B5.根据B1的设备，其中各像素区域中的每个还包括光电探测器和存储节点，该光电探测器用于收集撞击在光电探测器上的光能量并且用于响应于此而生成电荷，该存储节点电连接到光电探测器用于存储由光电探测器生成的电荷。 
B6.根据B5的设备，还包括快门控制电路，其电连接到所有像素区域用于同时激活所有像素区域从而收集撞击在像素区域上的光能量并且将由此生成的电荷传递到它们对应的存储节点。 
C1.一种像素设备，包括： 
包括光电二极管的衬底，该光电二极管在衬底的第一侧上；
连接到光电二极管的存储节点，该存储节点在衬底的第一侧上；
在衬底的第一侧之上电连接到该存储节点的电子电路；
在衬底的第二侧上的不透明护罩，该衬底的第二侧与衬底的第一侧相对，该不透明护罩与在衬底的第一侧上的存储节点直接相对地布置；以及
在衬底的第二侧之上的透镜，该透镜与在衬底的第一侧上的光电二极管直接相对地布置。
C2.根据C1的像素设备，还包括在衬底的第二侧之上的过滤器，该过滤器位于衬底的第二侧和透镜之间。 
尽管本实用新型的若干方面已经在此处予以描述和说明，可替换的方面可以由本领域技术人员达成以实现相同目的。因此，所附权利要求旨在涵盖落入本发明真正的精神和范围之内的所有这种可替换方面。 

Claims (8)

1.一种图像捕获设备，包括：
衬底，其包括在衬底的第一侧上用于捕获图像数据的多个像素区域；
至少一个电子电路，其在多个像素区域之上电连接到像素区域用于传输所捕获的图像数据；
在衬底的第二侧上的多个不透明护罩，所述多个不透明护罩中的每个都与在衬底的第一侧上的像素区域的其中之一的一部分相对地布置；以及
在衬底的第二侧之上的多个透镜，所述多个透镜中的每个都与在衬底的第一侧的像素区域的其中之一相对地布置。
2.根据权利要求1的设备，还包括在衬底的第二侧之上的多个滤光器，每个滤光器都布置在像素区域的其中之一和透镜的其中之一之间。
3.根据权利要求2的设备，其中该滤光器包括滤色器。
4.根据权利要求1的设备，其中该图像捕获设备选自由下述各项组成的群组：数字静态摄像机、数字视频摄像机、桌上型扫描器、手持式扫描器、手机以及复印机。
5.根据权利要求1的设备，其中所述像素区域中的每个还包括光电探测器和存储节点，该光电探测器用于收集撞击在其上的光能量并且用于响应于此而生成电荷，该存储节点电连接到光电探测器用于存储由光电探测器生成的电荷。
6.根据权利要求5的设备，还包括快门控制电路，其电连接到所有像素区域用于同时激活所有像素区域从而收集撞击在像素区域上的光能量并且将由此生成的电荷传递到它们对应的存储节点。
7.一种像素设备，包括：
包括光电二极管的衬底，该光电二极管在衬底的第一侧上；
连接到光电二极管的存储节点，该存储节点在衬底的第一侧上；
在衬底的第一侧之上电连接到该存储节点的电子电路；
在衬底的第二侧上的不透明护罩，该衬底的第二侧与在衬底的第一侧上的存储节点相对；以及
在衬底的第二侧之上的透镜，该透镜与在衬底的第一侧上的光电二极管直接相对地布置。
8.根据权利要求7的像素设备，还包括在衬底的第二侧之上的过滤器，该过滤器位于衬底的第二侧和透镜之间。
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