CN204516768U - 成像电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种成像电路，包括：数字信号处理器管芯；和图像传感器管芯，所述图像传感器管芯安装在所述数字信号处理器管芯上，其中，所述图像传感器管芯包括：氧化物穿孔结构，所述氧化物穿孔结构至少部分延伸到所述数字信号处理器管芯中；和遮光结构，其中所述遮光结构和所述氧化物穿孔结构至少形成在所述图像传感器管芯中的公共介电层中。
Description
本申请要求2014年4月16日提交的美国专利申请No.14/254,196的优先权，该申请的全部内容特此通过引用并入本文。
技术领域
本实用新型总地涉及成像系统，更具体地讲，涉及具有氧化物穿孔(TOV)的成像系统。
背景技术
诸如蜂窝电话、照相机和计算机的现代电子装置通常使用数字图像传感器。成像系统(即，图像传感器)通常包括二维图像感测像素阵列。每个像素通常包括接收入射光子(光)并且将这些光子转换为电信号的感光元件，诸如光电二极管。成像系统包含具有图像传感器集成电路的图像传感器管芯和光电二极管阵列。图像传感器管芯安装在数字信号处理器(DSP)管芯上。
图像传感器管芯内的电路可以使用氧化物穿孔(即，穿过图像传感器管芯中的至少第一氧化物层和DSP管芯中的至少第二氧化物层而形成的金属通孔结构)耦合到数字信号处理器管芯内的电路。然而，用于在集成电路中形成通孔连接的时间量、空间、效率和成本可能是有限的。在常规的成像系统中，用于形成将图像传感器管芯中的电路连接到DSP管芯中的电路的氧化物穿孔结构的步骤的效率低下，而且成本高。
因此将期望的是提供在成像系统中形成通孔连接的改进方式。
实用新型内容
根据本实用新型的一方面，提供了一种成像电路，包括：数字信号处理器管芯；和图像传感器管芯，所述图像传感器管芯安装在所述数字信号处理器管芯上，其中，所述图像传感器管芯包括：氧化物穿孔结构，所述氧化物穿孔结构至少部分延伸到所述数字信号处理器管芯中；和遮光结构，其中所述遮光结构和所述氧化物穿孔结构至少形成在所述图像传感器管芯中的公共介电层中。
根据本实用新型的另一方面，提供了一种成像电路，包括：数字信号处理器管芯；图像传感器管芯，所述图像传感器管芯堆叠在所述数字信号处理器管芯上；介电层，所述介电层形成在所述图像传感器管芯中；和遮光结构和氧化物穿孔结构，所述遮光结构和氧化物穿孔结构形成在所述介电层中，其中，所述氧化物穿孔结构至少部分延伸到所述数字信号处理管芯中。
附图说明
图1是根据本实用新型的实施例的可以包括具有图像传感器的照相机模块的例示性成像系统的示图。
图2是根据本实用新型的实施例的包括堆叠在信号处理管芯顶部上的背照式(BSI)图像传感器管芯的例示性成像系统的示图。
图3是根据本实用新型的实施例的具有滤色器容纳结构并且具有在同一步骤中形成的氧化物穿孔、遮光件和像素内栅格的例示性成像系统的截面侧视图。
图4是根据本实用新型的实施例的具有在相同步骤期间形成的氧化物穿孔和滤色器容纳结构的例示性成像系统的截面侧视图。
图5是根据本实用新型的实施例的没有滤色器容纳结构、具有在同一步骤中形成的氧化物穿孔、遮光件和像素内栅格的例示性成像系统的截面侧视图。
图6是根据本实用新型的实施例的形成具有氧化物穿孔结构的成像系统中所涉及的例示性步骤的流程图。
图7是采用根据本实用新型的实施例的图1-6的实施例中的至少一些的系统的框图。
具体实施方式
诸如数字照相机、计算机、蜂窝电话和其他电子装置的电子装置包括采集传入的图像光以捕捉图像的图像传感器。图像传感器可以包括成像像素阵列。图像传感器中的像素可以包括将传入的图像光转换为图像信号的感光元件，诸如光电二极管。图像传感器可以具有任何数量的像素(例如，数百个或数千个或更多)。典型的图像传感器可以，例如，具有成千上万个或数百万个像素(例如，超百万像素)。图像传感器可以包括控制电路，诸如用于操作成像像素的电路、以及用于读取与感光元件产生的电荷相应的图像信号的读出电路。
图1是使用图像传感器捕捉图像的例示性电子装置的示图。图1的电子装置10可以是捕捉数字图像数据的便携式电子装置，诸如照相机、蜂窝电话、摄像机或其他成像装置。照相机模块12可以用于将传入的光转换为数字图像数据。照相机模块12可以包括一个或多个透镜14以及一个或多个相应的图像传感器16。在图像捕捉操作期间，可以使用透镜14将来自场景的光聚焦到图像传感器16上。图像传感器16可以将相应的数字图像数据提供给处理电路18。图像传感器16可以例如是背照式(BSI)图像传感器。若需要，照相机模块12可以设有透镜14的阵列和相应的图像传感器16的阵列。图像传感器16可以包括图像传感器像素阵列，诸如图像传感器像素阵列15和相应的滤色器元件阵列。
处理电路18可以包括一个或多个集成电路(例如，图像处理电路、微处理器、存储装置(诸如随机存取存储器和非易失性存储)等)，并且可以使用与照相机模块12分离的和/或形成照相机模块12的一部分的组件(例如，形成包括图像传感器16的集成电路或者模块12内的与图像传感器16相关联的集成电路的一部分的电路)来实现。照相机模块12捕捉的图像数据可以使用处理电路18来进行处理和存储。若需要，处理后的图像数据可以使用耦合到处理电路18的有线和/或无线通信路径提供给外部设备(例如，计算机或其他装置)。
图2示出了包括堆叠在信号处理管芯104的顶部上的图像传感器管芯102的成像系统100。图像传感器管芯102可以是背照式(BSI)图像传感器(作为例子)。以这种方式构造，图像传感器管芯102可以包括可操作为生成图像数据(即，静态或视频数据)的图像传感器像素的阵列。图像传感器管芯102生成的图像数据然后可以送给到信号处理管芯以供进行进一步处理。管芯104有时可以被称为数字信号处理器(DSP)。图2的例子仅仅是例示性的。若需要，图形传感器管芯102可以是前侧照射式(FSI)图像传感器管芯。
在常规的成像系统中，DSP管芯内的电路可以与使用氧化物穿孔与堆叠在DSP管芯顶部上的图像传感器管芯内的电路连通。在第一处理步骤中形成氧化物穿孔。然后在第一处理步骤之后的第二处理步骤中，在氧化物穿孔上方形成遮光结构。然后在第二处理步骤之后的第三处理步骤中，在图像传感器中的相应的图像传感器像素的上方形成滤色器容纳结构。以这种方式形成图像传感器结构需要许多处理步骤，并且可能效率低下，而且成本高。
根据本实用新型的实施例，提供可以使用减少数量的步骤形成的图像传感器管芯。图3是堆叠在信号处理管芯104顶部上的图像传感器管芯102的截面侧视图。管芯102和104在其堆叠的界面用箭头103标记。
如图3中所示，图像传感器管芯102可以包括基板110和互连路由层112，基板110具有前表面和后表面，互连路由层112形成在基板110的前表面上。层112可以包括交替的金属路由层和通孔层(例如，形成介电材料中的路由结构)，有时可以统称为介电叠层。
诸如光电二极管116的感光元件可以形成在基板110的前表面。形成在图像传感器管芯102的“活动”部分中的光电二极管116可以接收传入的光，并且将该传入的光转换为相应的像素信号，而形成在图像传感器102的周边部分中的光电二极管116’可以不接收任何传入的光，并且为了噪声消除的目的，可以用作参考光电二极管(作为例子)。浅沟槽隔离(STI)结构(诸如STI结构118)可以形成在基板110的前表面中、每个相邻的光电二极管对之间。STI结构118可以用于确保相邻的光电二极管彼此电隔离。
抗反射涂布(ARC)层(诸如ARC层120)可以形成在基板110的后表面。层可以由二氧化铪(作为例子)形成。ARC层120可以用于确保从后侧进入基板110的光不反射回到它所来自的方向。
第一介电层122(例如，第一氧化物层)可以形成在层120的上方。第一钝化层130可以形成在第一介电层122上。第二介电层(例如，第二氧化物层)可以形成在第一钝化层130上。第二钝化层134可以形成在第二介电层130上。钝化层130和134可以由氮化物材料(作为例子)形成。
仍参照图3，滤色器容纳结构180可以形成在图像传感器管芯102的活动部分中。滤色器容纳结构180可以包括滤色器元件可以插入在其中的狭缝182的阵列。这样类型的容纳结构内所包含的滤色器元件阵列有时被称为CFA-in-a-box(缩写为“CIAB”)。滤色器阵列容纳结构180可以具有由层132中的介电材料形成的壁，并且可以用于提供用于将光引导到期望的图像传感器像素的改进的光引导能力。
在一些实施例中，不透明栅格结构(诸如栅格124)可以形成在活动部分中的图像传感器像素的上方。栅格124可以由金属或其他不透明材料形成，并且还可以帮助将光引导到期望的图像传感器像素。栅格结构124可以是定义矩形像素开口阵列的栅格形状的一系列交叉的不透明线。栅格中的每个开口与相应的滤色器元件阵列中的各个滤色器元件对齐。以这种方式形成的栅格结构124有时被称为像素内栅格或像素内矩阵。在这样的实施例中，额外的介电侧壁涂层(诸如氧化物衬里125)可以沉积在狭缝182内，以使得侧壁涂层覆盖金属像素内栅格的侧面。以这种方式形成的衬里125可以用于减小来自栅格结构124的反射量。
如图3中所示，管芯间通孔结构(诸如通孔结构128)可以横越管芯102和管芯104的至少一部分。通孔结构128可以用于将管芯102内的电路连接到管芯104内的电路。例如，通孔128可以将管芯102的介电叠层112中的金属路由结构114连接到管芯104内的介电叠层106中的相应的金属路由结构108。通孔128可以穿过层122、112和106中的氧化物材料形成，因此在本文中有时可以被称为氧化物穿孔(TOV)。通孔128还可以穿过基板110的前表面处的STI结构118形成。
在图3的例子中，TOV 128可以在形成介电层122期间构造。例如，在ARC层120形成在基板110的后表面上之后，可以穿过层120和基板110(例如，穿过形成在基板110的后表面的浅沟槽隔离结构118)形成第一孔。其后，氧化物材料122可以沉积在层120的顶部上，并且可以涂布第一孔的侧壁和底部(参见图3中的氧化物材料123)。一旦形成了用于层122的氧化物材料，就可以通过第一孔的中心穿过层122、基板110、层112并且穿过管芯104中的互连路由层106的至少一部分形成小于第一孔的第二孔。
导电材料(例如，铜、铝、钨、银、金、这些材料的组合、或其他合适的导电材料)然后可以沉积到剩余的孔中以形成TOV结构。在图3中，侧壁衬里123和层122可以表示同一介电层。
在一种合适的布置中，遮光结构(诸如遮光结构126和像素内栅格结构124)可以与TOV结构128同时地形成(例如，结构124、126和128可以同时形成)。在这样的布置中，结构124、126和128可以至少形成在同一介电层中(例如，氧化物层122中)。如上所述，像素内栅格124可以用于帮助引导传入的光并且减小像素串扰。通孔128可以便利于管芯102与管芯104之间的连通。遮光件126可以防止光到达参考光电二极管116’或图像传感器管芯102的周边/非活动部分中的其他结构。
因为像素内栅格结构124、遮光结构126和TOV结构128同时形成，所以结构124、126和128可以由相同的导电的不透明材料形成。在同一处理步骤中形成这些结构可以帮助减少制造步骤的总数并且降低成本。
在另一合适的布置中，TOV结构154可以与滤色器容纳结构180同时地形成(参见例如图4)。如图4中所示，氧化物穿孔154可以穿过第二氧化物层132、第一钝化层130、第一氧化物层122、图像传感器基板110(例如，穿过形成在基板110的前表面的STI结构118)、管芯102中的路由层112、以及管芯104中的路由层106的至少一部分形成。
例如，在钝化层130形成在介电层122上之后，可以穿过层130、122、120和基板110形成第一孔。其后，氧化物材料132可以沉积在层130的顶部上，并且可以涂布第一孔的侧壁和底部(参见图4中的TOV 154的氧化物衬里156)。一旦形成了用于层132的氧化物材料，就可以通过第一孔的中心穿过层132、层130、层122、基板110、层112并且穿过管芯104中的互连路由层106的至少一部分形成小于第一孔的第二孔。
导电材料(例如，铜、铝、钨、银、金、这些材料的组合、或其他合适的导电材料)然后可以沉积到剩余的孔中以形成TOV结构154。在图4中，侧壁衬里156和层132可以表示同一介电层。
在该布置中，遮光结构152和像素内栅格结构150可以与TOV结构154同时地形成(例如，结构150、152和154可以同时形成)。在这样的布置中，结构150、152和154可以至少形成在同一介电层中(例如，第二氧化物层132中)。像素内矩阵150可以用于帮助引导传入的光并且减小像素串扰。在这样的实施例中，可以在CIAB狭缝内沉积额外的介电侧壁涂层，诸如氧化物衬里125，以使得侧壁涂层覆盖金属像素内栅格150的侧面。以这种方式形成的衬里125可以用于减小来自栅格结构150的反射量。通孔154可以便利于管芯102与管芯104之间的连通。遮光件152可以防止光到达参考光电二极管116’或图像传感器管芯102的周边/非活动部分中的其它结构。
结构150、152和154可以由相同的导电的不透明材料形成。在图4的例子中，滤色器阵列容纳结构180的壁由层132中的氧化物材料形成。CIAB氧化物壁因此可以与用作TOV 154的衬里的氧化物材料156同时地形成。以这种方式形成，CFA容纳结构(或CIAB结构)有时被称为与氧化物穿孔154集成。在同一处理步骤中形成结构150、152和154并且将滤色器容纳结构与TOV结构集成可以帮助用更少的步骤和更少的掩模简化处理流程，可以潜在地帮助缩小叠层高度(即，管芯102的厚度)以使得光学性能更好，并且还可以帮助在整个管芯102上提供更均匀的厚度(即，帮助确保活动像素成像区域中的叠层高度基本上类似于周边非活动区域中的叠层高度)。
图5示出了又一合适的实施例。图5的布置类似于图3的构造，除了图5中的布置不包括滤色器阵列容纳结构之外。如图5中所示，图像传感器管芯102可以包括形成在相应的活动图像传感器像素上方的像素内栅格结构170、遮光结构172、以及至少形成在介电层122中的TOV 174。结构170、172和174可以同时形成(例如，通过将铜沉积到在层122的表面中构图的相应的腔体中)。即使CIAB结构不直接集成在管芯102上，也可以在管芯102上方形成单独的滤色器阵列结构(未示出)以过滤传入的光。
图6是用于制造结合图4描述的类型的成像系统的例示性步骤的流程图。在步骤200，可以在信号处理管芯104的前侧直接堆叠图像传感器管芯102的前侧。每个管芯的前侧一般可以是指在其处形成互连路由层的侧面。
在步骤202，可以使图像传感器102的基板110的后侧变薄以帮助缩小叠层高度。在该步骤之前，可能已经形成了光电二极管116、浅沟槽隔离结构118、其他像素控制电路、以及叠层112中的相关联的路由电路。
在步骤204，可以在基板110的后侧上形成ARC衬里120。在步骤206，可以在ARC衬里120上形成第一氧化物层122。在步骤208，可以在第一氧化物层上形成第一钝化层130(例如，第一氮化物衬里)。
在步骤210，可以穿过层130、122、120和基板110蚀刻出第一孔。在步骤212，可以在层130的顶部上沉积氧化物材料以形成第二氧化物层132并且还涂布第一孔的侧壁和底部。在步骤214，在层132中构图额外的孔以形成用于TOV结构、像素内栅格结构和遮光结构的凹槽。例如，至少可以穿过第一孔的中心形成额外的第二孔，在用于像素内栅格结构和遮光结构的腔体可以被蚀刻掉的同时，该第二孔可以延伸到DSP管芯104中。在步骤214期间，可以用不透明的导电材料(例如，铜)同时填充这些孔和腔体以形成结构150、152和154(参见例如图4)。
在步骤214，可以在第二氧化物层132上形成第二钝化层(例如，第二氧化物衬里)。在步骤218，可以在管芯102的活动成像区域中的相应的光电二极管上方形成CFA容纳结构180(例如，通过至少穿过层134和132形成狭缝，其中，这些狭缝被构造为接纳滤色器元件)。
图7以简化的形式示出了典型的包括成像装置400的处理器系统500，诸如数字照相机。成像装置400可以包括具有图1中所示的类型的像素的像素阵列402(例如，像素阵列402可以是形成在图像传感器SOC上的图像像素阵列)。处理器系统500是具有可以包括成像装置400的数字电路的示例性系统。这样的系统可以包括，但不限于，计算机系统、静态照相机或摄像机系统、扫描仪、机器视觉、车载导航、视频电话、监控系统、自动聚焦系统、星体跟踪系统、运动检测系统、图像稳定系统、以及其他利用成像装置的系统。
可以是数字静态照相机或摄像机系统的处理器系统500可以包括用于当快门释放按钮597被按下时使图像聚焦到像素阵列(诸如像素阵列30)上的透镜，诸如透镜596。处理器系统500可以包括中央处理单元，诸如中央处理单元(CPU)595。CPU 595可以是控制照相机功能以及一种或多种图像流程功能的微处理器，并且通过总线(诸如总线593)与一个或多个输入/输出(I/O)装置591进行通信。成像装置400还可以通过总线593与CPU 595进行通信。系统500可以包括随机存取存储器(RAM)592和可移动存储器594。可移动存储器594可以包括通过总线593与CPU 595进行通信的闪存。成像装置400可以与CPU 595组合(与内存储存器组合或者不与内存储存器组合)在单个集成电路上或不同的晶片上。尽管总线593被示为单个总线，但是它可以是用于互连系统组件的一个或多个总线或桥或其他通信路径。
描述了例示包括成像系统和主机子系统的电子装置(参见例如图1的装置10)的各种实施例。成像系统可以包括一个或多个图像传感器。每个图像传感器可以包括形成在半导体基板上的图像像素阵列。每个图像像素可以包括一个或多个被构造为将传入的光转换为电荷的感光元件。
具体地讲，成像电路可以包括堆叠在数字信号处理器(DSP)管芯顶部上的图像传感器管芯。图像传感器管芯可以包括具有前表面和后表面的基板、多个成像像素和形成在基板的前表面中的浅沟槽隔离(STI)结构、形成在基板的前表面上的互连路由层、形成在基板的后表面上的抗反射涂布(ARC)层、形成在ARC层上的第一介电层、形成在第一介电层上的第一钝化层、形成在第一钝化层上的第二介电层、以及形成在第二介电层上的第二钝化层。第一介电层和第二介电层可以由氧化物形成，而第一钝化层和第二钝化层可以由氮化物形成(作为例子)。
在一种合适的布置中，氧化物穿孔(TOV)结构可以穿过第一介电层、第二介电层、基板和互连路由层形成，并且可以部分延伸到DSP管芯中。以这种方式形成的TOV可以用于将来自图像传感器管芯的图像像素信号递送到DSP管芯。图像传感器管芯还可以包括形成在第二介电层中的遮光结构和/或像素内栅格结构。TOV结构、遮光结构和/或像素内栅格结构可以同时使用相同的不透明的导电材料形成。在一些实施例中，图像传感器管芯还可以包括具有在形成TOV结构期间构造的壁的滤色器阵列容纳结构(有时被称为CFA-in-a-box结构)(例如，滤色器阵列容纳结构可以与TOV结构集成)。
根据实施例，提供成像电路，该成像电路包括：数字信号处理器管芯；以及安装在数字信号处理器管芯上的图像传感器管芯，其中，图像传感器管芯包括：至少部分延伸到数字信号处理器管芯中的氧化物穿孔结构；以及遮光结构，其中，遮光结构和氧化物穿孔结构至少形成在图像传感器管芯中的公共介电层中。
根据另一实施例，氧化物穿孔结构将来自图像传感器管芯的图像像素信号递送到数字信号处理器管芯。
根据另一实施例，图像传感器管芯还包括：基板；以及形成在基板中的浅沟槽隔离结构，其中，氧化物穿孔结构穿过浅沟槽隔离结构形成。
根据另一实施例，图像传感器管芯是背照式(BSI)图像传感器管芯。
根据另一实施例，图像传感器管芯还包括：基板；形成在基板中的多个图像传感器像素；以及像素内栅格结构，其包括与所述多个图像传感器像素中的各个图像传感器像素相应的开口，并且形成在其中形成遮光结构的同一介电层中。
根据另一实施例，像素内栅格结构、遮光结构和氧化物穿孔结构同时形成。
根据另一实施例，图像传感器管芯还包括：滤色器阵列容纳结构，其形成在其中形成遮光结构的同一介电层中，其中，氧化物穿孔结构具有介电衬里，并且其中，滤色器阵列容纳结构具有与介电衬里同时形成的壁。
根据另一实施例，图像传感器管芯还包括：形成在滤色器阵列容纳结构正下方的多个成像像素；以及形成在遮光结构正下方的多个参考像素，其中，遮光结构防止所述多个参考像素接收传入的光。
根据另一实施例，提供一种制造成像电路的方法，该方法包括：在数字信号处理器管芯上堆叠图像传感器管芯；在图像传感器管芯上形成介电层；并且在介电层中同时形成遮光结构和氧化物穿孔结构，其中，氧化物穿孔结构至少部分延伸到数字信号处理器管芯中。
根据另一实施例，所述方法还包括：在图像传感器管芯内的基板上形成多个成像像素；并且在基板中形成浅沟槽隔离结构，其中，氧化物穿孔结构穿透浅沟槽隔离结构的至少一部分。
根据另一实施例，所述方法还包括：在图像传感器管芯内的基板中形成多个成像像素；并且在所述多个成像像素上方形成不透明的栅格结构，其中，所述不透明的栅格结构与氧化物穿孔结构同时地形成。
根据另一实施例，在图像传感器管芯内的基板中形成多个成像像素；并且形成具有所述多个成像像素中的各个成像像素相应的开口的滤色器阵列容纳结构，其中，滤色器阵列容纳结构具有在形成氧化物穿孔结构期间形成的壁。
根据另一实施例，所述方法还包括：在图像传感器管芯内的基板的第一表面形成多个成像像素；并且在基板的第二表面上形成抗反射涂布(ARC)材料层。
根据另一实施例，所述方法还包括：形成插入在介电层与抗反射涂布材料层之间的额外的介电层。
根据另一实施例，所述方法还包括：形成插入在介电层与额外的介电层之间的钝化层。
根据另一实施例，提供一种系统，该系统包括：信号处理单元；存储器；透镜；输入-输出电路；以及堆叠在信号处理单元上的成像装置，其中，成像装置包括：具有前表面和后表面的基板；形成在基板的前表面中的多个成像像素；形成在基板的后表面上方的介电层；形成在介电层中的遮光件；以及穿过介电层形成的氧化物穿孔(TOV)，其中，氧化物穿孔至少部分延伸到信号处理单元中。
根据另一实施例，遮光件和氧化物穿孔同时形成。
根据另一实施例，成像装置还包括：具有与所述多个成像像素中的各个成像像素相应的开口的不透明矩阵，其中，不透明矩阵还形成在介电层中。
根据另一实施例，其中，成像装置还包括：具有在形成氧化物穿孔期间构造的壁的滤色器阵列容纳结构。
根据另一实施例，成像装置还包括：形成在基板的后表面上的抗反射衬里；以及插入在抗反射衬里与介电层之间的钝化层。
前面仅仅例示了本实用新型的原理，本领域的技术人员可以进行各种修改。前述实施例可以单个地或者按任何组合实现。
尽管已经为了清晰的目的相当详细地描述了本实用新型，但是将显而易见的是，可以在所附权利要求的范围内实施某些改变和修改。尽管所附权利要求中的一些仅仅是单一从属的或者仅引用它们前面的一些权利要求，但是可以将它们各自的特征(一个或多个)与任一其他的权利要求的特征(一个或多个)组合。
Claims (10)
1.一种成像电路，包括：
数字信号处理器管芯；和
图像传感器管芯，所述图像传感器管芯安装在所述数字信号处理器管芯上，其中，所述图像传感器管芯包括：
氧化物穿孔结构，所述氧化物穿孔结构至少部分延伸到所述数字信号处理器管芯中；和
遮光结构，其中所述遮光结构和所述氧化物穿孔结构至少形成在所述图像传感器管芯中的公共介电层中。
2.根据权利要求1所述的成像电路，其中，所述氧化物穿孔结构将来自所述图像传感器管芯的图像像素信号递送到所述数字信号处理器管芯。
3.根据权利要求1所述的成像电路，其中，所述图像传感器管芯还包括：
基板；
浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成在所述基板中，其中，所述氧化物穿孔结构穿过所述浅沟槽隔离结构形成。
4.根据权利要求1所述的成像电路，其中，所述图像传感器管芯包括背照式BSI图像传感器管芯。
5.根据权利要求1所述的成像电路，其中，所述图像传感器管芯还包括：
基板；
多个图像传感器像素，所述多个图像传感器像素形成在所述基板中；和
像素内栅格结构，所述像素内栅格结构包括与所述多个图像传感器像素中的各个图像传感器像素相应的开口，并且形成在其中形成有所述遮光结构的同一介电层中。
6.根据权利要求5所述的成像电路，其中，所述像素内栅格结构、遮光结构和氧化物穿孔结构同时形成。
7.根据权利要求1所述的成像电路，其中，所述图像传感器管芯还包括：
滤色器阵列容纳结构，所述滤色器阵列容纳结构形成在其中形成有所述遮光结构的同一介电层中，其中，所述氧化物穿孔结构具有介电衬里，并且其中，所述滤色器阵列容纳结构具有与所述介电衬里同时形成的壁。
8.根据权利要求7所述的成像电路，其中，所述图像传感器管芯还包括：
多个成像像素，所述多个成像像素形成在所述滤色器阵列容纳结构的正下方；和
多个参考像素，所述多个参考像素形成在所述遮光结构的正下方，其中，所述遮光结构防止所述多个参考像素接收传入的光。
9.一种成像电路，包括：
数字信号处理器管芯；
图像传感器管芯，所述图像传感器管芯堆叠在所述数字信号处理器管芯上；
介电层，所述介电层形成在所述图像传感器管芯中；和
遮光结构和氧化物穿孔结构，所述遮光结构和氧化物穿孔结构形成在所述介电层中，其中，所述氧化物穿孔结构至少部分延伸到所述数字信号处理管芯中。
10.根据权利要求9所述的成像电路，还包括：
基板，所述基板在所述图像传感器管芯内；
多个成像像素，所述多个成像像素在所述基板中；和
浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述基板中，其中，所述氧化物穿孔结构穿透所述浅沟槽隔离结构的至少一部分。
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