CN204539294U - 成像电路和系统 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及成像电路和系统。本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。一种成像电路可以包括图像传感器管芯，该图像传感器管芯包括:衬底；在所述衬底内形成的多个感光元件；在所述感光元件之上形成的多个微透镜；外部焊盘结构；和直接在所述多个微透镜上和所述外部焊盘结构上形成的钝化层。根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果是：提供了可以使用数目减少了的步骤形成的图像传感器管芯。

Description

成像电路和系统
本申请要求提交于2014年5月5日的美国专利申请No.14/270,233的优先权，通过引用将其完全结合在此。
技术领域
本申请一般地涉及成像系统，并且更具体地，涉及具有穿氧化物通孔(through-oxide via，TOV)的成像系统。
背景技术
现代电子设备诸如蜂窝电话、照相机和计算机通常使用数字图像传感器。成像系统(即,图像传感器)通常包括图像感测像素的二维阵列。每一个像素一般包括感光元件，诸如接收入射光子(光)并且将光子转换为电信号的光电二极管。成像系统包含具有图像传感器集成电路和光电二极管阵列的图像传感器管芯。图像传感器管芯安装在数字信号处理器(DSP)管芯上。
图像传感器管芯内的电路可以使用穿氧化物通孔(即，穿过图像传感器管芯内的至少第一氧化物层并且穿过DSP管芯内的至少第二氧化物层形成的金属通孔结构)耦连到数字信号处理器管芯内的电路。随后在图像传感器管芯上形成焊盘。焊盘可以耦连到穿氧化物通孔。在焊盘之上形成第一钝化层以便钝化焊盘。然后给该钝化层开口以便允许引线键合。在给钝化层开口之后，在图像传感器管芯上形成滤色器元件阵列。然后在滤色器元件阵列上形成微透镜阵列。
在该微透镜阵列上形成第二钝化层。该钝化层作为微透镜上的抗反射涂层。随后在焊盘之上给该钝化层开口以便允许引线键合。以这种方式形成图像传感器管芯需要大量的步骤，并且可能成本高昂。
因此希望提供制造图像传感器管芯的改进的方案。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。
根据本实用新型的一个方面，提供一种成像电路，包括图像传感器管芯，该图像传感器管芯包括:衬底；在所述衬底内形成的多个感光元件；在所述感光元件之上形成的多个微透镜；外部焊盘结构；和直接在所述多个微透镜上和所述外部焊盘结构上形成的钝化层。
根据一个实施例，所述成像电路还包括:数字信号处理器管芯，所述图像传感器管芯被堆叠在所述数字信号处理器管芯之上。
根据一个实施例，所述钝化层包括防反射涂层(ARC)材料。
根据一个实施例，所述图像传感器管芯还包括:穿氧化物通孔结构，所述穿氧化物通孔结构至少部分地延伸到所述数字信号处理器管芯内，并且被电耦连到所述外部焊盘结构。
根据一个实施例，所述穿氧化物通孔结构和所述外部焊盘结构由不同的导电材料形成。
根据一个实施例，所述图像传感器管芯还包括:置于所述外部焊盘结构和所述穿氧化物通孔之间的导电接合盘结构。
根据一个实施例，所述图像传感器管芯还包括:遮光结构，所述遮光结构、所述导电接合盘结构和所述穿氧化物通孔被同时形成。
根据本实用新型的另一个方面，提供一种系统，该系统包括:信号处理单元；存储器；透镜；输入/输出电路；和堆叠在所述信号处理单元上的成像设备。所述成像设备包括:具有正面和背面的衬底；在所述衬底的正面内形成的多个成像像素；在所述成像像素之上以及在所述衬底的背面之上形成的微透镜阵列；在所述衬底的背面之上形成的焊盘；和在所述微透镜阵列上和所述焊盘上形成的钝化层。
根据一个实施例，所述成像设备还包括:置于所述衬底的背面和所述微透镜阵列之间的滤色器阵列。
根据一个实施例，所述成像设备还包括:具有衬层的穿氧化物通孔，所述滤色器阵列包括在滤色器收容结构内形成的多个滤色器元件，并且所述滤色器收容结构具有与所述穿氧化物通孔的衬同时形成的壁。
根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果是：提供了可以使用数目减少了的步骤形成的图像传感器管芯。
附图说明
图1是根据本实用新型的实施例，可以包括具有图像传感器的照相机模块的说明性成像系统的图。
图2是根据本实用新型的实施例，包括堆叠在信号处理管芯上面的背侧照明(BSI)图像传感器管芯的说明性成像系统的图。
图3是根据本实用新型的实施例,具有微透镜结构和外部焊盘结构的说明性成像系统的截面侧视图，在微透镜结构和外部焊盘结构上形成有公共钝化层。
图4是根据本实用新型的实施例，具有直接形成在穿氧化物通孔结构上的外部焊盘结构的说明性成像系统的截面侧视图。
图5是根据本实用新型的实施例，形成图2-4所示类型的成像系统所涉及的说明性步骤的流程图。
图6是根据本实用新型的实施例，采用图1-6的至少某些实施例的系统的框图。
具体实施方式
电子设备(诸如数字照相机、计算机、蜂窝电话以及其它电子设备)包括收集进入的图像光以便俘获图像的图像传感器。图像传感器可以包括图像像素的阵列。图像传感器内的像素可以包括感光元件，诸如将进入的图像光转换为图像信号的光电二极管。图像传感器可以具有任意数目的像素(例如，数百或者数千或更多)。典型的图像传感器可以，例如，具有几十万或几百万像素(例如，兆像素)。图像传感器可以包括控制电路，诸如用于操作图像像素的电路和用于读出对应于感光元件所产生的电荷的图像信号的读出电路。
图1是使用图像传感器俘获图像的说明性电子设备的图。图1的电子设备10可以是便携电子设备，诸如照相机、蜂窝电话、摄像机或者俘获数字图像数据的其它成像设备。照相机模块12可被用于将进入光转换为数字图像数据。照相机模块12可包括一个或多个透镜14和一个或多个对应的图像传感器16。在图像俘获操作过程中，来自一个场景的光被使用透镜14聚焦在图像传感器16上。图像传感器16可以给处理电路18提供对应的数字图像数据。图像传感器16可以是，例如，背侧照明(BSI)图像传感器。如果希望，照相机模块12可以设置有透镜14的阵列和对应图像传感器16的阵列。图像传感器16可以包括图像传感器像素的阵列(诸如，图像传感器像素15的阵列)和滤色器元件的对应阵列。
处理电路18可以包括一个或多个集成电路(例如，图像处理电路，微处理器，存储设备，诸如随机存取存储器和非易失存储器等等)并且可以被使用与照相机模块12分离和/或形成照相机模块12的一部分的组件实现(例如，形成包括图像传感器16的集成电路或者模块12内的与图像传感器16相关联的集成电路的一部分的电路)。由照相机模块12俘获的图像数据可被使用处理电路18处理和存储。如果希望，处理后的图像数据可以被使用耦连到处理电路18的有线和/或无线通信路径提供到外部设备(例如，计算机或者其它设备)。
图2示出了成像系统100，成像系统100包括堆叠在信号处理管芯104之上的图像传感器管芯102。图像传感器管芯102可以是背侧照明(BSI)图像传感器(作为一个例子)。以这样的方式配置，图像传感器管芯102可以包括图像传感器像素阵列，该图像传感器像素阵列可以操作以便产生图像数据(即，静态或者视频数据)。由图像传感器管芯102产生的图像数据然后可以被送到信号处理管芯以便进一步处理。管芯104有时可被称为数字信号处理器(DSP)。图2的例子仅仅是说明性的。如果希望，图像传感器管芯102可以是前侧照明(FSI)图像传感器管芯。
如图2所示，堆叠的管芯可被安装在衬底(诸如印刷电路板(PCB)衬底80)上。可以在图像传感器管芯102上形成焊盘200。焊盘200可被通过焊线84耦连到迹线82或者印刷电路板80上的其它导电结构。一般地，可以通过焊线84在堆叠的管芯与衬底80上的其它组件之间传送数据和控制信号。
在常规的成像系统中，DSP管芯内的电路可以使用穿氧化物通孔与堆叠在DSP管芯之上的图像传感器管芯内的电路通信。穿氧化物通孔被在第一处理步骤中形成。然后在第一处理步骤之后的第二处理步骤中，在穿氧化物通孔之上形成遮光结构。然后在第三处理步骤中形成焊盘和焊盘之上的钝化层。然后在第三处理步骤之后的第四处理步骤中，在图像传感器内的对应图像传感器像素之上形成滤色器元件和微透镜结构。以这种方式形成图像传感器结构需要许多处理步骤，并且会低效并且成本高。
根据本实用新型的实施例，提供了可以使用数目减少了的步骤形成的图像传感器管芯。图3是堆叠在信号处理管芯104之上的图像传感器管芯102的截面侧视图。管芯102和104堆叠处的界面被以箭头103标记。
如图3所示，图像传感器管芯102可以包括具有正面和背面的衬底110，以及形成在衬底110的正面上的互连传递层112。层112可以包括交错的金属传递层和通孔层(例如，在电介质材料内形成的传递结构)，并且有时可被总地称为电介质叠层或者再分布层(redistributionlayer)。
可以在衬底110的正面形成感光元件诸如光电二极管116。形成在图像传感器管芯102的“有源(active)”部分内的光电二极管116可以接收进入光，并且将进入光转换为对应的像素信号，而形成在图像传感器102的外围部分内的光电二极管116'可以不接收任意进入光，并且可以作为用于噪声消除目的的基准光电二极管(作为一个例子)。可以在衬底110的正面在每一对相邻的光电二极管之间形成浅沟槽隔离(STI)结构，诸如STI结构118。STI结构118可以用来确保相邻光电二极管彼此电隔离。
可以在衬底110的背面形成防反射涂层(ARC)诸如ARC层120。可由氧化铪形成该层(作为一个例子)。ARC层120可以用来确保从背侧进入衬底110的光不被反射回它来的方向。
可以在层120上形成第一电介质层122(例如，第一氧化物层)。可以在第一电介质层122上形成第一钝化层130。可以在第一钝化层130上形成第二电介质层132(例如，第二氧化物层)。可以在第二电介质层132上形成第二钝化层134。可由氮化物材料形成钝化层130和134(作为一个例子)。
仍然参考图3，可以在图像传感器管芯102的有源部分内形成滤色器元件117。在图3的例子中，在滤色器收容结构(即，滤色器阵列收容结构，其具有由层132中的相同电介质材料形成的壁，并且用来提供将光定向到所希望的图像传感器像素的改进的光导能力)中的槽内形成滤色器元件，诸如红滤色器元件117R、绿滤色器元件117G和蓝滤色器元件117B。滤色器元件被固定在滤色器收容结构内的这种布置有时被称为盒内滤色器阵列(CFA)(CFA-in-a-box，缩写为“CIAB”)。滤色器元件117R、117G和117B的使用和顺序仅仅是说明性的。如果希望，可以使用其它类型的滤色器元件，诸如青滤色器元件、品红滤色器元件、黄滤色器元件、黑滤色器元件、透明滤色器元件和红外线滤波元件。
如图3所示，管芯间通孔结构(诸如通孔结构204)可以穿过管芯104和管芯102的至少一部分。通孔结构204可以用来将管芯102内的电路连接到管芯104内的电路。例如，通孔204可以将管芯102的电介质叠层112内的金属传递结构114连接到管芯104内的电介质叠层106内的对应金属传递结构108。通孔204可被形成为穿过层132、122、112和106内的氧化物材料，并且因此在本文中有时可以被称为穿氧化物通孔(TOV)。通孔204还可以被形成为穿过衬底110正面的STI结构118。
在图3的例子中，可以在电介质层132的形成过程中构造TOV结构204。例如，在已经在电介质层122上形成钝化层130之后，可以穿过层130、122、120和衬底110形成第一孔。此后，氧化物材料132可以被沉积在层130之上，并且可以覆盖第一孔的侧壁和底部(见，TOV 204的氧化物衬层206)。一旦形成了用于层132的氧化物材料，可以穿过层132、层130、层122、衬底110、层112，并且穿过管芯104内的互连传递层106的至少一部分，穿过第一孔的中心形成小于第一孔的第二孔。
然后可以在剩余的孔中沉积导电材料(例如，铜、铝、钨、银、金、这些材料的组合或者其它适合的导电材料)，以便形成TOV结构204。在图3中，侧壁衬层206和层132可以表示相同的电介质层。
在这种布置中，可以与TOV结构204同时形成遮光结构，诸如遮光罩结构201(例如，可以同时形成结构204和201)。在这些布置中，结构204和201可被形成在至少相同的电介质层内(例如，在第二氧化物层132内)。通孔204可以便于管芯102和管芯104之间的通信。遮光罩201可以防止光到达基准光电二极管116’或者图像传感器管芯102的外围/非有源部分内的其它结构。
结构204和201可由相同的导电并且不透明的材料形成。在图3的例子中，滤色器阵列收容结构的壁由层132内的氧化物材料形成。因此可以与衬在TOV 204内的氧化物材料206同时形成该CIAB氧化物壁。以这种方式形成的CFA收容结构(或者CIAB结构)有时被称为被与穿氧化物通孔204集成在一起。在相同处理步骤内形成结构204和201，并且将滤色器收容结构与TOV结构集成在一起可以帮助以更少的步骤和更少的掩模简化处理流程，可以潜在地帮助减少叠层高度(即，管芯102的厚度)以便获得更好的光学性能，并且还可以帮助提供管芯102上更均匀的厚度(即，帮助确保有源像素成像区域内的叠层高度大体上类似于外围非有源区域内的叠层高度)。
然后在图像传感器102上(例如，在层134上)形成外部焊盘结构，诸如外部焊盘200。焊盘200可由铝、铜、银、金、这些材料的组合或者其它适合的导电材料形成。特别地，焊盘200可被使用附加通孔或者穿过层134形成的"塞(plug)"202耦连到穿氧化物通孔结构204。塞202也可使用与焊盘200相同的材料形成。一般地，焊盘200和TOV结构204可由不同材料形成。如果希望，可以在焊盘结构的底部形成薄的附着和阻挡层，诸如氮化钽的薄层，以便防止TOV结构内的导电材料扩散到图像传感器102的电敏感区域内。
仍然参考图3，可以在层134上形成微透镜结构，诸如微透镜结构212。特别地，可以在图像传感器102之上形成微透镜阵列，其中该微透镜阵列中的每一个微透镜用来通过滤色器元件117中的一个将光会聚并且定向到对应的光电二极管116。一般地，微透镜212可以由某些类型的聚合物、硅、多晶硅和/或其它适合类型的透明材料形成。
一旦已经构造了CFA和微透镜结构，可以在微透镜结构212和焊盘200之上形成最终的钝化层，诸如钝化层214。可以使用防反射涂层(ARC)材料形成钝化层214，以便防止进入微透镜212的光反射回环境中(作为一个例子)。因此在结构212和200两者之上形成层214起到双重目的:(i)作为微透镜阵列上的防反射衬，和(ii)作为用于焊盘200的钝化层。因此，使用微透镜ARC衬214钝化焊盘200可以消除先前所需的钝化焊盘200的步骤，从而减少了处理步骤，并且使得CFA和微透镜构造过程中的叠层高度最小化。减小CFA和微透镜形成过程中的叠层高度是重要的，因为它减少了涂层划线(streak)，并且改进了产量。
如图3所示，可以去除在焊盘200之上形成的层214的一部分，以便暴露焊盘200。焊线84可被使用焊料85或者其它导电粘合材料耦连到焊盘200的暴露部分。图3的示例性配置仅仅是说明性的，并且不用来限制本实用新型的范围。如果希望，焊盘200可被耦连到管芯102和/或管芯104内的其它信号传递电路。
图4示出了堆叠的管芯成像系统的另一种适合的布置，其中焊盘被直接形成在最高电介质层132内的图案化的接合盘上。如图4所示，可以在穿氧化物通孔结构204的形成过程中构造导电接合盘，诸如接合盘结构203。作为一个例子，可以通过首先在层132中形成矩形沟槽的图案，并且然后以导电材料填充该沟槽形成接合盘203。可以在形成用于遮光罩结构201的腔的图案时形成接合盘沟槽(作为一个例子)。可以在形成用于TOV结构的孔之前或者在形成用于TOV结构的孔之后形成接合盘沟槽。接合盘沟槽可被与遮光结构201和TOV结构同时填充。换言之，结构201、204和203可被以相同材料(例如，铜)填充。
这种通过在填充TOV之前蚀刻出沟槽，结合TOV结构204形成接合盘203的工艺有时被称为“双镶嵌”工艺。铜接合盘的形成(作为一个例子)允许直接在铜接合盘203之上形成焊盘200’(即，不必使用图4中的附加焊盘塞202)。因此，在金属接合盘结构203上直接制造焊盘结构200’而不使用任何置于其间的塞也可以帮助减小叠层高度。
图5是用于制造结合图4所述类型的成像系统的说明性步骤的流程图。在步骤300，可以在图像传感器衬底110的背侧上形成ARC衬120。在步骤300之前，可能已经在图像传感器衬底100的正面形成了光电二极管、浅沟槽隔离结构以及其它成像电路。
在步骤302，可以在ARC衬120上形成第一氧化物层122。在步骤304，可以在层122上形成第一钝化层130(例如，第一氮化物层)。在步骤306，可以穿过层130、122、120和衬底110蚀刻第一孔。在步骤308，可以在层130之上沉积氧化物材料，以便形成第二氧化物层132，并且还覆盖第一孔的侧壁和底部。
在步骤310，可以对层132上的附加区域图案化，以便形成用于TOV结构、遮光结构201和接合盘203的凹陷。例如，至少一个附加的第二孔可被穿过第一孔的中心形成，并且可以延伸到DSP管芯104内，同时可以蚀刻出用于接合盘和遮光结构的腔。在步骤314期间，这些孔和腔可被同时填充不透明的导电材料(例如，铜)，以便形成结构201、204和203(见，例如，图4)。
在步骤316，可以在第二氧化物层132上形成第二钝化层(例如，第二氮化物衬)。在步骤318，可以在接合盘203(例如，铜接合盘结构)上直接形成外部焊盘结构，诸如焊盘200’(例如，铝焊盘结构)。在步骤320，可以在CFA收容结构内的各个槽内形成滤色器元件，其中每一个滤色器元件被定位在管芯102的有源成像区域内的对应光电二极管之上。
在步骤322，可以在滤色器阵列之上的第二钝化层134上形成微透镜阵列212。在步骤324，可以在微透镜阵列和铝焊盘200’之上同时形成微透镜ARC衬214，以便帮助钝化焊盘结构。
这些步骤仅仅是说明性，并且不用来限制本实用新型的范围。如果希望，可以改变这些步骤的顺序，并且可以插入附加处理步骤而不脱离本实用新型的精神。
图6以简化形式示出了典型的处理器系统500，诸如数字照相机，其包括成像设备400。成像设备400可以包括具有图1所示类型的像素的像素阵列402(例如，像素阵列402可以是在图像传感器SOC上形成的图像像素阵列)。处理器系统500是可以包括成像设备400的具有数字电路的系统的示例。不是作为限制，这种系统可以包括计算机系统、静态照相机或者摄像机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动聚焦系统、天体跟踪器系统、运动检测系统、图像稳定性系统、以及采用成像设备的其它系统。
处理器系统500，其可以是数字静态照相机系统或者摄像机系统，可以包括透镜诸如透镜596，用于当快门释放按钮597被按压时，将图像聚焦到像素阵列，诸如像素阵列30。处理器系统500可以包括中央处理单元，诸如中央处理单元(CPU)595。CPU 595可以是微处理器，其控制照相机功能和一个或多个图像流功能，并且在总线诸如总线593上与一个或多个输入/输出(I/O)设备591通信。成像设备400还可以在总线593上与CPU 595通信。系统500可以包括随机访问存储器(RAM)592和可移动存储器594。可移动存储器594可以包括在总线593上与CPU 595通信的闪速存储器。成像设备400可被与CPU595组合、具有或没有存储器存储设备、在单个集成电路上或者在不同芯片上。虽然作为单总线示出了总线593，其可以是一个或多个总线或桥，或者用于互连系统组件的其它通信路径。
已经描述了各种实施例，说明了包括成像系统和主机子系统的电子设备(见，例如，图1的设备10)。成像系统可以包括一个或多个图像传感器。每一个图像传感器可以包括在半导体衬底上形成的图像像素阵列。每一个图像像素可以包括配置为将进入光转换为电荷的一个或多个感光元件。
特别地，成像电路可以包括堆叠在数字信号处理器(DSP)管芯之上的图像传感器管芯。图像传感器管芯可以包括具有正面和背面的衬底，多个成像像素和在衬底的正面形成的浅沟槽隔离(STI)结构，在衬底的正面形成的互连传递层，在衬底背面形成的防反射涂层(ARC)材料层，在ARC层上形成的第一电介质层，在第一电介质层上形成的第一钝化层，在第一钝化层上形成的第二电介质层，以及在第二电介质层上形成的第二钝化层。第一和第二电介质层可以由氧化物形成，而第一和第二钝化层可以由氮化物形成(作为例子)。
在一个适合的布置中，可以在第二钝化层上形成微透镜阵列。而穿氧化物通孔(TOV)结构可被穿过第一电介质层、第二电介质层、衬底和互连传递层形成，并且可以部分地延伸到DSP管芯内。以这种方式形成的TOV可以用来从图像传感器管芯向DSP管芯传送图像像素信号。
可以在TOV结构之上的图像传感器管芯上形成外部焊盘。外部焊盘可被电耦连到TOV结构。可以直接在微透镜阵列和该焊盘上形成第三钝化层。可以使用防反射涂层(ARC)材料形成第三钝化层。如果希望，可以在该焊盘和TOV结构之间插入接合盘结构。可以在第二电介质层内形成接合盘结构。图像传感器管芯还可以包括在第二电介质层内形成的遮光结构。接合盘结构、遮光结构和TOV结构可被同时形成(例如，这些结构可被同时填充相同的导电材料)。通过以这种方式制造，图像传感器管芯可以展现出减小的叠层高度。
根据一个实施例，提供了一种包括图像传感器管芯的成像电路，所述图像传感器管芯包括衬底，在所述衬底内形成的多个感光元件，在所述感光元件之上形成的多个微透镜，外部焊盘结构，和直接在所述多个微透镜上并且在所述外部焊盘结构上形成的钝化层。
根据另一个实施例，所述成像电路包括数字信号处理器管芯，所述图像传感器管芯被堆叠在所述数字信号处理器管芯之上。
根据另一个实施例，所述钝化层包括防反射涂层(ARC)材料。
根据另一个实施例，所述图像传感器管芯包括穿氧化物通孔结构，所述穿氧化物通孔结构至少部分地延伸到所述数字信号处理器管芯内，并且电耦连到所述外部焊盘结构。
根据另一个实施例，所述穿氧化物通孔结构和所述外部焊盘结构由不同的导电材料形成。
根据另一个实施例，所述图像传感器管芯还包括置于所述外部焊盘结构和所述穿氧化物通孔之间的导电接合盘结构。
根据另一个实施例，所述图像传感器管芯包括遮光结构，所述遮光结构、所述导电接合盘结构和所述穿氧化物通孔被同时形成。
根据一个实施例，提供了一种制造成像系统的方法，包括通过在衬底内形成多个光电二极管，在所述光电二极管之上形成微透镜阵列，在所述衬底之上形成外部焊盘结构，和直接在所述微透镜阵列上和所述外部焊盘结构上同时沉积钝化层，形成图像传感器管芯。
根据另一个实施例，沉积钝化层包括直接在所述微透镜阵列上和所述外部焊盘结构上沉积防反射涂层(ARC)材料。
根据另一个实施例，所述方法包括在数字信号处理器管芯上堆叠所述图像传感器管芯。
根据另一个实施例，形成图像传感器包括形成至少部分地延伸到所述数字信号处理器管芯内的穿氧化物通孔。
根据另一个实施例，形成图像传感器包括在所述衬底之上形成电介质层，穿过至少所述电介质层形成所述穿氧化物通孔，和在所述电介质层内形成遮光结构。
根据另一个实施例，形成图像传感器包括在所述电介质层内形成接合盘结构，所述接合盘结构被耦连到所述穿氧化物通孔。
根据另一个实施例，形成接合盘结构和穿氧化物通孔包括使用双重镶嵌工艺形成所述接合盘结构和所述穿氧化物通孔，并且直接在所述接合盘结构上形成所述外部焊盘结构。
根据一个实施例，提供了一种系统，包括信号处理单元、存储器、透镜、输入/输出电路和堆叠在所述信号处理单元上的成像设备，所述成像设备包括具有正面和背面的衬底，在所述衬底的正面内形成的多个成像像素，在所述成像像素之上和在所述衬底的背面之上形成的微透镜阵列，在所述衬底的背面之上形成的焊盘，和在所述微透镜阵列上和所述焊盘上形成的钝化层。
根据另一个实施例，所述成像设备包括置于所述衬底的背面和所述微透镜阵列之间的滤色器阵列。
根据另一个实施例，所述成像设备包括具有衬层的穿氧化物通孔，所述滤色器阵列包括在滤色器收容结构内形成的多个滤色器元件，并且所述滤色器收容结构具有与所述穿氧化物通孔的衬同时形成的壁。
根据另一个实施例，所述成像设备包括置于所述焊盘和所述穿氧化物通孔之间的导电接合盘结构。
根据另一个实施例，所述成像设备包括在所述衬底的背面和所述微透镜阵列之间形成的电介质层，所述导电接合盘结构和所述穿氧化物通孔的至少一部分被形成在所述电介质层内。
根据另一个实施例，所述成像设备包括在所述电介质层内形成的遮光结构，所述遮光结构、所述导电接合盘结构和所述穿氧化物通孔被同时形成。
上述仅仅是对本实用新型的原理的说明，并且本领域技术人员可以实现各种修改。上述实施例可被单独地或者以任意组合实现。
虽然已经出于清楚的目的详细地描述了本实用新型，显然可以在所附权利要求的范围内做出某些改变和修改。虽然某些所附权利要求仅仅单一地从属于它们前面的权利要求或者仅仅引用它们前面的权利要求中的某些权利要求，它们各自的特征可被与任意其它权利要求的特征组合。

Claims (10)

1.一种成像电路，其特征在于包括:
图像传感器管芯，包括:
衬底；
在所述衬底内形成的多个感光元件；
在所述感光元件之上形成的多个微透镜；
外部焊盘结构；和
直接在所述多个微透镜上和所述外部焊盘结构上形成的钝化层。
2.如权利要求1所述的成像电路，其特征在于还包括:
数字信号处理器管芯，所述图像传感器管芯被堆叠在所述数字信号处理器管芯之上。
3.如权利要求2所述的成像电路，其特征在于所述钝化层包括防反射涂层(ARC)材料。
4.如权利要求2所述的成像电路，其特征在于所述图像传感器管芯还包括:
穿氧化物通孔结构，所述穿氧化物通孔结构至少部分地延伸到所述数字信号处理器管芯内，并且被电耦连到所述外部焊盘结构。
5.如权利要求4所述的成像电路，其特征在于所述穿氧化物通孔结构和所述外部焊盘结构由不同的导电材料形成。
6.如权利要求4所述的成像电路，其特征在于所述图像传感器管芯还包括:
置于所述外部焊盘结构和所述穿氧化物通孔之间的导电接合盘结构。
7.如权利要求6所述的成像电路，其特征在于所述图像传感器管芯还包括:
遮光结构，所述遮光结构、所述导电接合盘结构和所述穿氧化物通孔被同时形成。
8.一种系统，其特征在于包括:
信号处理单元；
存储器；
透镜；
输入/输出电路；和
堆叠在所述信号处理单元上的成像设备，所述成像设备包括:
具有正面和背面的衬底；
在所述衬底的正面内形成的多个成像像素；
在所述成像像素之上以及在所述衬底的背面之上形成的微透镜阵列；
在所述衬底的背面之上形成的焊盘；和
在所述微透镜阵列上和所述焊盘上形成的钝化层。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于所述成像设备还包括:
置于所述衬底的背面和所述微透镜阵列之间的滤色器阵列。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于所述成像设备还包括:
具有衬层的穿氧化物通孔，所述滤色器阵列包括在滤色器收容结构内形成的多个滤色器元件，并且所述滤色器收容结构具有与所述穿氧化物通孔的衬同时形成的壁。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8906320B1 (en) 2012-04-16 2014-12-09 Illumina, Inc. Biosensors for biological or chemical analysis and systems and methods for same
US9691811B1 (en) 2016-06-02 2017-06-27 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor chip scale packages and related methods
EP3258493B1 (en) * 2016-06-16 2021-01-27 ams AG System-on-chip camera with integrated light sensor(s) and method of producing a system-on-chip camera
KR102544782B1 (ko) 2016-08-04 2023-06-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US10602039B2 (en) 2016-09-19 2020-03-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Ultra-compact image sensor assembly for thin profile devices
KR102654485B1 (ko) * 2016-12-30 2024-04-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US10103191B2 (en) * 2017-01-16 2018-10-16 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor die and method of packaging multi-die with image sensor
WO2019132857A1 (en) * 2017-12-26 2019-07-04 Illumina, Inc. Sensor system
CN110211981B (zh) * 2019-06-12 2021-11-30 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
US10991667B2 (en) 2019-08-06 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Isolation structure for bond pad structure
US11217547B2 (en) 2019-09-03 2022-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond pad structure with reduced step height and increased electrical isolation
KR20220003870A (ko) 2020-07-02 2022-01-11 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6221687B1 (en) * 1999-12-23 2001-04-24 Tower Semiconductor Ltd. Color image sensor with embedded microlens array
US7271461B2 (en) * 2004-02-27 2007-09-18 Banpil Photonics Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
US7061106B2 (en) * 2004-04-28 2006-06-13 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package
KR100685881B1 (ko) * 2004-06-22 2007-02-23 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
TW201101476A (en) * 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
KR100670477B1 (ko) 2005-09-08 2007-01-16 매그나칩 반도체 유한회사 Ｌｔｏ 보호막을 생략할 수 있는 이미지센서 제조 방법
US20070235771A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Yan-Hsiu Liu Semiconductor image sensor and method for fabricating the same
US20070284687A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-13 Rantala Juha T Semiconductor optoelectronics devices
US7393477B2 (en) * 2006-08-15 2008-07-01 United Microelectronics Corp. Method of fabricating microlens structure
KR100812078B1 (ko) * 2006-09-26 2008-03-07 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US20080173792A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Image sensor module and the method of the same
KR100871552B1 (ko) * 2007-03-14 2008-12-01 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서의 제조방법
KR100866252B1 (ko) * 2007-05-17 2008-10-30 주식회사 동부하이텍 이미지 센서의 제조방법
US8053279B2 (en) 2007-06-19 2011-11-08 Micron Technology, Inc. Methods and systems for imaging and cutting semiconductor wafers and other semiconductor workpieces
US20090034083A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Micron Technology, Inc. Method of forming a microlens array and imaging device and system containing such a microlens array
KR100868636B1 (ko) * 2007-08-31 2008-11-12 주식회사 동부하이텍 이미지센서의 제조방법
JP4609497B2 (ja) * 2008-01-21 2011-01-12 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ
JP5422914B2 (ja) * 2008-05-12 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US8193555B2 (en) * 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
JP5985136B2 (ja) * 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
US8502335B2 (en) * 2009-07-29 2013-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS image sensor big via bonding pad application for AlCu Process
KR101647779B1 (ko) * 2009-09-09 2016-08-11 삼성전자 주식회사 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치
US8247852B2 (en) 2009-11-17 2012-08-21 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with reinforced pad structure
KR101411800B1 (ko) * 2009-12-26 2014-06-24 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 장치 및 촬상 시스템
US8536044B2 (en) 2010-07-08 2013-09-17 Intersil Americas Inc. Protecting bond pad for subsequent processing
US8476099B2 (en) * 2010-07-22 2013-07-02 International Business Machines Corporation Methods for improved adhesion of protective layers of imager microlens structures by forming an interfacial region
US8907439B1 (en) * 2010-08-30 2014-12-09 Sandia Corporation Focal plane array with modular pixel array components for scalability
JP2012084608A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP6029266B2 (ja) * 2011-08-09 2016-11-24 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび撮像装置の製造方法
US8497536B2 (en) 2011-09-16 2013-07-30 Omnivision Technologies, Inc. Dual-facing camera assembly
US9030583B2 (en) 2011-09-21 2015-05-12 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging system with foveated imaging capabilites
US8890047B2 (en) * 2011-09-21 2014-11-18 Aptina Imaging Corporation Stacked-chip imaging systems
US8569856B2 (en) * 2011-11-03 2013-10-29 Omnivision Technologies, Inc. Pad design for circuit under pad in semiconductor devices
US8981511B2 (en) * 2012-02-29 2015-03-17 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-chip package for imaging systems
US20130328151A1 (en) * 2012-06-07 2013-12-12 Ching-Hung Kao Integrated circuit structure, back side illumination image sensor and integrated circuit process thereof
US9041840B2 (en) * 2012-08-21 2015-05-26 Semiconductor Components Industries, Llc Backside illuminated image sensors with stacked dies
US20140078356A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-20 Aptina Imaging Corporation Imaging systems with high dielectric constant barrier layer
US8779484B2 (en) * 2012-11-29 2014-07-15 United Microelectronics Corp. Image sensor and process thereof
US8773562B1 (en) * 2013-01-31 2014-07-08 Apple Inc. Vertically stacked image sensor
JP2014154662A (ja) * 2013-02-07 2014-08-25 Sony Corp 固体撮像素子、電子機器、および製造方法
US8946784B2 (en) * 2013-02-18 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for image sensor packaging
US9318640B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for image sensor packaging
US9349767B2 (en) * 2014-04-16 2016-05-24 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with through-oxide via structures
US9293495B2 (en) * 2014-05-05 2016-03-22 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging circuitry with robust scribe line structures

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