CN203546199U - 一种制备单晶用钼制旋压坩埚 - Google Patents
一种制备单晶用钼制旋压坩埚 Download PDFInfo
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Abstract
一种制备单晶用钼制旋压坩埚，包括一体结构且呈圆锥台形的纯钼制坩埚壳体，坩埚壳体下底面的直径小于其上端口的直径，所述坩埚壳体的下底面为弧形结构，且将弧形的中部设置为平底结构，坩埚壳体侧壁的顶端设有直径大于上端口部直径的外沿，外沿的上表面与其壳体外壁之间形成夹角。本实用新型的坩埚为一整体结构，避免因采用焊接存在焊缝、或是铆接造成其整体质量下降的缺陷，延长了坩埚的使用寿命；坩埚壳体的下底面为弧形结构，且将弧形的中部设置为平底结构，在单晶制备时用于将籽晶放置在下底面的中部，利于籽晶的引晶生长。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种坩埚，具体的说是一种制备单晶用钼制旋压坩埚。
背景技术
目前在制备单晶时使用的坩埚一般为石墨坩埚和石英坩埚等，其规格较大，在单晶锭生产完成后，石墨坩埚或石英坩埚均会产生裂纹等缺陷，耐用度较低，使用寿命较短，造成生产成本增加；也有采用焊接成形的金属坩埚，因存在焊缝易引起整体质量下降。而钼制旋压坩埚有着高温强度好，抗摩耐腐蚀，热传导率大，热膨胀系数小的特性，被广泛应用于石英玻璃、电子喷涂、晶体生长等行业，传统的钼坩埚均为平底状，在进行晶体生长时多是先进行高温熔化，然后通过籽晶旋转引晶使其冷却结晶，但采用这种方式的结晶效果较差，且难以形成很好的结晶体。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术中制备单晶时使用的坩埚耐用度低、使用寿命短暂、效果差等问题，提供一种制备单晶用钼制旋压坩埚。
本实用新型为解决上述问题所采用的技术方案为：一种制备单晶用钼制旋压坩埚，包括一体结构且呈圆锥台形的纯钼制坩埚壳体，坩埚壳体下底面的直径小于其上端口的直径，所述坩埚壳体的下底面为弧形结构，且将弧形的中部设置为平底结构，坩埚壳体侧壁的顶端设有直径大于上端口部直径的外沿，外沿的上表面与其壳体外壁之间形成夹角。
所述坩埚壳体侧壁顶端的外沿与侧壁之间倒圆角过渡；坩埚壳体的内底面与其壳体内壁之间倒圆角过渡。优选的，所述坩埚壳体侧壁顶端的外沿与侧壁之间的过渡圆角半径，以及坩埚壳体的内底面与其壳体内壁之间的过渡圆角半径均为3-5mm。
本实用新型中，坩埚壳体外沿的上表面与壳体外壁之间的夹角为35-40°，坩埚壳体的中轴线与其内壁之间的夹角为5-20°，优选的，坩埚壳体的中轴线与其内壁之间的夹角10°，避免其倾角过大造成应力外扩，进而影响坩埚壳体壁的强度的问题。
有益效果：本实用新型的坩埚为一整体结构，避免因采用焊接存在焊缝、或是铆接造成其整体质量下降的缺陷，延长了坩埚的使用寿命；坩埚壳体的下底面为弧形结构，且将弧形的中部设置为平底结构，在单晶制备时用于将籽晶放置在下底面的中部，利于籽晶的引晶生长；坩埚壳体侧壁顶端的外沿与侧壁之间、坩埚壳体的内底面与其壳体内壁之间，均采用倒圆角过渡，能够避免各连接的弯折部位较为尖锐造成其耐用度降低的缺陷，提高了其使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记：1、坩埚壳体，2、外沿。
具体实施方式
如图1所示，一种制备单晶用钼制旋压坩埚，包括一体结构且呈圆锥台形的纯钼制坩埚壳体1，坩埚壳体1下底面的直径小于其上端口的直径，所述坩埚壳体1的下底面为弧形结构，且将弧形的中部设置为平底结构，坩埚壳体1侧壁的顶端设有直径大于上端口部直径的外沿2，如图1所示，外沿2的上表面与其壳体外壁之间的夹角α为35-40°，所述坩埚壳体1的中轴线与其内壁之间的夹角为5-20°。
在本实用新型的较佳实施例中，所述的纯钼制旋压坩埚壁口部的外沿2与其壳体外壁之间的夹角为35°，坩埚壳体1的中轴线与其内壁之间的夹角为10°。
本实用新型中，；整体结构设计的旋压坩埚，避免了现有使用的焊接或铆接纯钼制坩埚耐用度低的问题；其中，坩埚壳体1侧壁顶端的外沿2与侧壁之间、坩埚壳体1的内底面与其壳体内壁之间，均采用倒圆角过渡，过渡圆角半径均为3-5mm，能够使各过渡部位形状更为圆滑不尖锐，提高了其使用强度和寿命。
Claims (3)
1.一种制备单晶用钼制旋压坩埚，其特征在于：包括一体结构且呈圆锥台形的纯钼制坩埚壳体（1），坩埚壳体（1）下底面的直径小于其上端口的直径，所述坩埚壳体（1）的下底面为弧形结构，且将弧形的中部设置为平底结构，坩埚壳体（1）侧壁的顶端设有直径大于上端口部直径的外沿（2），外沿（2）的上表面与其壳体外壁之间形成夹角。
2.如权利要求1所述的一种制备单晶用钼制旋压坩埚，其特征在于：所述坩埚壳体（1）侧壁顶端的外沿（2）与侧壁之间倒圆角过渡。
3.如权利要求1所述的一种制备单晶用钼制旋压坩埚，其特征在于：所述坩埚壳体（1）的内底面与其壳体内壁之间倒圆角过渡。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201320568680.8U CN203546199U (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 一种制备单晶用钼制旋压坩埚 |
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| CN201320568680.8U CN203546199U (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 一种制备单晶用钼制旋压坩埚 |
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| CN203546199U true CN203546199U (zh) | 2014-04-16 |
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ID=50464344
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| CN201320568680.8U Expired - Lifetime CN203546199U (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 一种制备单晶用钼制旋压坩埚 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN203546199U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109877208A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-14 | 安泰天龙钨钼科技有限公司 | 一种大长径比钼坩埚及其旋压方法 |
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2013
- 2013-09-13 CN CN201320568680.8U patent/CN203546199U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 471000 Shuang Xiang Road, Luo Xin Industrial Zone, Luoyang, Henan, Xin'an County Patentee after: Achemetal Tungsten AND Molybdenum Co.,Ltd. Address before: 471000 Shuang Xiang Road, Luo Xin Industrial Zone, Luoyang, Henan, Xin'an County Patentee before: Luoyang Achemetal Co.,Ltd. |
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Granted publication date: 20140416 |
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| CX01 | Expiry of patent term |