CN202482483U - 一种单晶炉用热屏悬挂机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单晶炉用热屏悬挂机构，涉及一种吊装结构，包括重锤，设于重锤上的提升架，若干连接提升架与热屏的抓扣，所述抓扣通过活动扣件连接热屏，所述活动扣件由设在抓扣上的卡口和固定在热屏上的卡块组成，所述卡块为一近L形的弯折件，其弯头与卡口上的开孔配合活动固定，其特征在于：所述提升架置于所述重锤顶端平面并套接于重锤顶端轴上，所述卡块的弯折角度为一钝角。本实用新型是一种结构更加简单合理、使用寿命长的热屏悬挂机构，以提高硅单晶生长的生产效率，降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种吊装结构。
背景技术
太阳能、半导体级硅单晶生长过程中，多数是采用切克劳斯基法制造。这种方法是将高纯度的多晶硅原料按照一定的要求装入石英坩埚内，然后加热石英坩埚使其中多晶原料熔化，最后通过籽晶熔接、引晶、放肩、等直径生长、收尾等一系列步骤生长出高质量的合格单晶。上述生长单晶过程中，提高拉晶效率和降低能耗一直是研究的重点。因此，现有的工艺中多采用在单晶热系统中安装热屏，但是热屏的增设限制了坩埚中的装料量。
在已知的专利文献和实际使用的单晶炉中，多采用专用的热屏悬挂机构，如图1、2所示：此热屏悬挂机构包括重锤、提升架、抓扣、热屏、活动扣件，重锤与提升架通过重锤顶部圆台侧面自由连接，抓扣分别与提升架和热屏连接，活动扣件由设在抓扣上的卡口和设在热屏上的卡块构成。其存在以下几方面的缺陷：
1、重锤与提升架的连接方式为重锤顶部圆台侧面与提升架连接，由于连接面为圆台侧面，加工时的公差影响易引起提升架的摆动，导致热屏移动过程中的晃动，造成事故。
2、抓扣的主体部分为长方体形状，且厚度较小，热屏移动过程中主要通过此3个提升架承受热屏自身的重量，其寿命短，易发生断裂危险，导致热屏掉落石英坩埚中，使整炉硅料和热屏报废。
3、卡块内凹形槽倒角弧度过小，熔料完成后热屏下降至热屏支撑环上时，卡口不容易和卡块分离，导致重锤不能提升，整个拉晶过程无法继续进行，使整炉硅料报废。
实用新型内容
本实用新型的目的在于：针对现有专利和技术的不足，提供了一种结构更加简单合理、使用寿命长的热屏悬挂机构，以提高硅单晶生长的生产效率，降低生产成本。
本实用新型的目的通过下述技术方案来实现：
一种单晶炉用热屏悬挂机构，包括重锤，设于重锤上的提升架，若干连接提升架与热屏的抓扣，所述抓扣通过活动扣件连接热屏，所述活动扣件由设在抓扣上的卡口和固定在热屏上的卡块组成，所述卡块为一近L形的弯折件，其弯头与卡口上的开孔配合活动固定，所述提升架置于所述重锤顶端平面并套接于重锤顶端轴上，所述卡块的弯折角度为一钝角。
作为优选方式，所述抓扣由吊杆与所述卡口构成，所述吊杆形状为圆柱体，下端开槽并由螺钉连接所述卡口。
本实用新型的有益效果：
1、将重锤与提升架的连接方式由重锤顶部圆台侧面与提升架连接改为重锤顶端平面与提升架连接。改进后连接方式更为合理，连接面接触紧密，减少了由于连接面为圆台侧面，加工时的公差影响易引起提升架的摆动，导致热屏移动过程中的晃动，造成事故。
2、设计出新抓扣的主体部分形状，由长方体结构改变为圆棒结构。圆棒结构承重能力大，发生断裂危险的风险系数降低。
3、设计出新卡块的形状，状卡块内凹形槽角度由直角改变为钝角。改造后卡口容易和卡块分离，减少由于不能分离导致的重锤不能提升，整个拉晶过程无法继续进行，整炉硅料报废的风险系数。
4、本实用新型热屏提升机构制作成本与原提升机构制作成本相当，不会增加额外的成本。
5、本实用新型热屏提升机构的使用寿命长，一般可以达到2年以上，而原提升机构使用寿命约为1年。
附图说明
图1是现有技术一种热屏悬挂机构的结构示意图；
图2是图1的俯视图；
图3是本实用新型实施例的结构示意图；
图4是本实用新型实施例的卡块的结构示意图；
图5是图4的俯视图；
图6是本实用新型实施例的吊杆的结构示意图；
图7是本实用新型实施例的卡口的结构示意图；
图中，1重锤、2提升架、3抓扣、4活动扣件、5热屏、6卡块、7卡口、8吊杆。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步的说明。
如图3至图7所示，一种单晶炉用热屏悬挂机构，包括重锤1，设于重锤1上的环状提升架2，提升架2置于重锤1顶端平面并套接于重锤1顶端轴上，以及三根连接提升架2与热屏5的抓扣3。抓扣3通过活动扣件4连接热屏5，活动扣件4由设在抓扣3上的卡口7和固定在热屏5上的卡块6组成，卡块6为一近L形的弯折件，其弯头与卡口7上的开孔配合活动固定，其弯头朝下并朝热屏5内侧固定于热屏5上，卡块6的弯折角度为一钝角。抓扣3由吊杆8与卡口7构成，吊杆8形状为圆柱体，下端开槽并由钼螺钉连接所述卡口7。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种单晶炉用热屏悬挂机构，包括重锤，设于重锤上的提升架，若干连接提升架与热屏的抓扣，所述抓扣通过活动扣件连接热屏，所述活动扣件由设在抓扣上的卡口和固定在热屏上的卡块组成，所述卡块为一近L形的弯折件，其弯头与卡口上的开孔配合活动固定，其特征在于：所述提升架置于所述重锤顶端平面并套接于重锤顶端轴上，所述卡块的弯折角度为一钝角。
2.如权利要求1所述的单晶炉用热屏悬挂机构，其特征在于：所述抓扣由吊杆与所述卡口构成，所述吊杆形状为圆柱体，下端开槽并由螺钉连接所述卡口。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011205464610U CN202482483U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 一种单晶炉用热屏悬挂机构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011205464610U CN202482483U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 一种单晶炉用热屏悬挂机构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202482483U true CN202482483U (zh) | 2012-10-10 |
Family
ID=46956920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011205464610U Expired - Lifetime CN202482483U (zh) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 一种单晶炉用热屏悬挂机构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202482483U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103572377A (zh) * | 2013-11-04 | 2014-02-12 | 上海申和热磁电子有限公司 | 单晶炉热屏提取装置 |
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2011
- 2011-12-23 CN CN2011205464610U patent/CN202482483U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ERMEI INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL Free format text: FORMER OWNER: DONGFANG ELECTRIC EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL CO., LTD. Effective date: 20131121 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20131121 Address after: 614200 No. 88 Fu Bei Road, Mount Emei, Sichuan, Leshan Patentee after: Emei Semiconductor Material Institute Address before: 614200 No. 88 Fu Bei Road, Mount Emei, Sichuan, Leshan Patentee before: Dongfang Electric EMEI Semiconductor Material Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20121010 |