CN202610381U - 直拉硅单晶炉热场提升装置 - Google Patents

直拉硅单晶炉热场提升装置 Download PDF

Info

Publication number
CN202610381U
CN202610381U CN 201220205221 CN201220205221U CN202610381U CN 202610381 U CN202610381 U CN 202610381U CN 201220205221 CN201220205221 CN 201220205221 CN 201220205221 U CN201220205221 U CN 201220205221U CN 202610381 U CN202610381 U CN 202610381U
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermal field
single crystal
silicon single
crystal furnace
expansion link
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201220205221
Other languages
English (en)
Inventor
刘富林
陈雷
陶文元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHANGZHOU SHUNFENG PHOTOVOLTAIC MATERIALS Co Ltd
Original Assignee
CHANGZHOU SHUNFENG PHOTOVOLTAIC MATERIALS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHANGZHOU SHUNFENG PHOTOVOLTAIC MATERIALS Co Ltd filed Critical CHANGZHOU SHUNFENG PHOTOVOLTAIC MATERIALS Co Ltd
Priority to CN 201220205221 priority Critical patent/CN202610381U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202610381U publication Critical patent/CN202610381U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉热场提升装置,包括起吊器、起吊连接部件和起托器,所述的起托器包括底部的托盘,所述的托盘中心垂直设置有转动轴,所述的转动轴上固定连接伸缩杆,伸缩杆与托盘之间连接托板,所述的托板上、与转动轴平行方向上垂直固定有挡杆。本实用新型结构简单,使用方便,能够使热场在高温下完好提升,实现了热场提升的自动化,并允许热场在较高温度下进行拆卸分离,具有降低热场损坏率,提高生产效率的优点;本实用新型提及装置不仅限于硅单晶热场的提升,同时也适用于其他类似材料生长设备的热场提升。

Description

直拉硅单晶炉热场提升装置
技术领域
本实用新型涉及直拉硅单晶炉的配件设计及制造技术领域,特别是一种直拉硅单晶炉热场提升装置。
背景技术
直拉法是制备硅单晶材料的一种主要方法。硅单晶炉设有齿状环形石墨加热器,是加热熔化块状硅原材料的功率来源,又称热场。在单晶炉加热过程中,热场会固定在单晶炉底。当单晶拉制完成时,热场一般需要拆卸并提升清理,然后再固定在单晶炉底以备下一次的单晶制备。目前,热场提升由人工操作进行。对于直径较大的热场,如6英寸以上单晶的热场,需要两人协同操作。而加热器一般由脆性材料石墨制成,人工协调又较为困难,在提升过程中易将热场掰坏。另外,在单晶制备结束时,热场还有较高的温度(一般在500°C以上),从该温度降到人工可操作的温度范围(一般低于100°C)需要很长的时间,影响生产效率。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种直拉硅单晶炉热场提升装置,用以解决高温下热场提升以及人工提升热场协调性差的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种直拉硅单晶炉热场提升装置,包括起吊器、起吊连接部件和起托器,所述的起托器包括底部的托盘,所述的托盘中心垂直设置有转动轴,所述的转动轴上固定连接伸缩杆,伸缩杆与托盘之间连接托板,所述的托板上、与转动轴平行方向上垂直固定有挡杆。
为了节省空间,并且便于收放,本实用新型所述的伸缩杆为多端连接结构,伸缩杆的一端固定在转动轴上,另一端与托板相连接。
本实用新型所述的伸缩杆在收缩状态下,伸缩杆与托板的总长度小于热场的内半径;在伸展状态下,伸缩杆与托板的总长度与热场下沿齐平。这样的结构使得本实用新型能够方便快捷的出入热场并将热场提升。
进一步的说,本实用新型所述的起吊器为吊车或液压机;所述的起吊连接部件为钢丝、绳索或紧固件。
本实用新型的有益效果是,解决了背景技术中存在的缺陷,该装置结构简单,使用方便,能够使热场在高温下完好提升,实现了热场提升的自动化,并允许热场在较高温度下进行拆卸分离,具有降低热场损坏率,提高生产效率的优点;本实用新型提及装置不仅限于硅单晶热场的提升,同时也适用于其他类似材料生长设备的热场提升。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的起托器的结构示意图;
图2是图1的俯视图;
图中:1、托盘,2、托板,3、转动轴,4、伸缩杆,5、档杆。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的一种直拉硅单晶炉热场提升装置的起托器结构,起托器包括底部的托盘1,托盘1中心垂直设置有转动轴3,转动轴3上固定连接伸缩杆4,伸缩杆4与托盘1之间连接托板2,伸缩杆4为多端连接结构,伸缩杆4的一端固定在转动轴3上,另一端与托板2相连接。
伸缩杆4在收缩状态下,伸缩杆与托板的总长度小于热场的内半径;在伸展状态下,伸缩杆与托板的总长度与热场下沿齐平。托板上、与转动轴平行方向上垂直固定有挡杆5。
在热场提升时,将起吊器和起托部件用起吊连接部件牢固连接。起吊器为吊车,起吊连接部件为钢丝。在起吊器的控制下,将伸缩杆处于收缩状态的起托器与热场的圆心对准缓慢放下,当托盘上沿所在平面低于热场下沿所在平面时,旋转转动轴使伸缩杆处于伸展状态,使档杆轻轻抵住热场内径,同时缓慢抬起起托器,使托板与热场牢固接触,此时可以缓慢提升热场。在将热场抬离单晶炉后,将其缓慢放下,将伸缩杆收拢即可。
以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式,各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制,所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形,而不背离实用新型的实质和范围。

Claims (5)

1.一种直拉硅单晶炉热场提升装置,包括起吊器、起吊连接部件和起托器,其特征在于:所述的起托器包括底部的托盘,所述的托盘中心垂直设置有转动轴,所述的转动轴上固定连接伸缩杆,伸缩杆与托盘之间连接托板,所述的托板上、与转动轴平行方向上垂直固定有挡杆。
2.如权利要求1所述的直拉硅单晶炉热场提升装置,其特征在于:所述的伸缩杆为多端连接结构,伸缩杆的一端固定在转动轴上,另一端与托板相连接。
3.如权利要求1所述的直拉硅单晶炉热场提升装置,其特征在于:所述的伸缩杆在收缩状态下,伸缩杆与托板的总长度小于热场的内半径;在伸展状态下,伸缩杆与托板的总长度与热场下沿齐平。
4.如权利要求1所述的直拉硅单晶炉热场提升装置,其特征在于:所述的起吊器为吊车或液压机。
5.如权利要求1所述的直拉硅单晶炉热场提升装置,其特征在于:所述的起吊连接部件为钢丝、绳索或紧固件。
CN 201220205221 2012-05-07 2012-05-07 直拉硅单晶炉热场提升装置 Expired - Fee Related CN202610381U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220205221 CN202610381U (zh) 2012-05-07 2012-05-07 直拉硅单晶炉热场提升装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220205221 CN202610381U (zh) 2012-05-07 2012-05-07 直拉硅单晶炉热场提升装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202610381U true CN202610381U (zh) 2012-12-19

Family

ID=47344093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201220205221 Expired - Fee Related CN202610381U (zh) 2012-05-07 2012-05-07 直拉硅单晶炉热场提升装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202610381U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114717661A (zh) * 2022-03-16 2022-07-08 广东高景太阳能科技有限公司 一种单晶炉热场的主加热器的拆装装置及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114717661A (zh) * 2022-03-16 2022-07-08 广东高景太阳能科技有限公司 一种单晶炉热场的主加热器的拆装装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101338453B (zh) 大尺寸无核心yag系列激光晶体的生长方法
CN101008100B (zh) 温梯法旋转多坩埚晶体生长系统
CN201506846U (zh) 用于单晶炉的二次加料圆棒夹具
CN204251762U (zh) 一种单晶炉热场结构
CN201762481U (zh) 单晶炉籽晶夹头机构
CN201842895U (zh) 单晶硅生长炉的石墨坩埚
CN202610381U (zh) 直拉硅单晶炉热场提升装置
CN205329210U (zh) 一种多晶铸锭炉
CN102433585A (zh) 准单晶铸锭炉热场结构
CN202610380U (zh) 直拉单晶炉热场升降装置
CN102732962A (zh) 一种铸造高效大晶粒硅锭的方法
CN102345164A (zh) 一种高效率制备硅芯的方法和硅芯制备炉
CN202968745U (zh) 一种双提拉腔单晶炉结构
CN202643890U (zh) 单晶炉石墨坩埚提取装置
CN103668455B (zh) 一种lbo晶体的生长装置以及生长方法
CN203602749U (zh) 一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈
CN201801631U (zh) 石英埚吊具
CN102677147B (zh) 一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉
CN202865390U (zh) 用于单晶硅棒加工的二次加料装置
CN202450181U (zh) 一种大尺寸晶体生长的新型装置
CN202482483U (zh) 一种单晶炉用热屏悬挂机构
CN102212872A (zh) 一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法
CN200978306Y (zh) 晶体生长系统中的可旋转多坩埚支撑装置
CN201933204U (zh) 单晶炉
CN202925152U (zh) 一种单晶炉石英加料装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121219

Termination date: 20180507

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee