CN203529943U - 多晶硅还原炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅生产装置，特别是多晶硅还原炉，包括炉架，安装在炉架上的炉体以及安装在炉架与炉体之间的底盘，所述炉体与底盘配合构成一中空的腔室，在底盘上安装有若干电极，电极上安装有石墨件，硅芯棒位于上述腔室内且与所述石墨件连接，在底盘上还贯穿有若干进气分管和一出气管，上述的进气分管的一端口和出气管的一端口均延伸进入上述腔室，上述的进气分管的另一端口连接一个共同容纳腔，该共同容纳腔的一侧连接有进气总管。其解决了多晶硅还原炉生产中均匀、缓和的向炉体内进气的技术问题，从而有效避免因还原炉内气体分布不均而出现还原炉倒棒情况的发生，提高了企业生产多晶硅的品质和效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅生产设备，特别是多晶硅还原炉。
背景技术
目前国际上多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷法,其中70%以上采用改良西门子法。改良西门子法能兼容电子级和太阳能级多晶硅的生产，具有技术成熟、适合产业化生产等特点，是目前多晶硅生产普遍采用的首选工艺技术。西门子法通过气相沉积法生产棒状多晶硅。为提高原料利用率和保护环境， 改良西门子法在西门子法的基础上采用了闭环式生产工艺，该工艺将工业硅合成SiHCl3，通过提纯SiHCl3去除杂质元素,，再让SiHCl3在H2气氛下于还原炉中沉积得到高纯多晶硅，多晶硅还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4和HCl经过分离后可再循环利用。国内多晶硅生产基本都实现了闭环工艺、生产多晶硅能耗和成本大幅度降低，加之太阳能电池产业化，使多晶硅产业迅速火爆发展起来。
多晶硅还原炉是西门子法生产多晶硅的核心设备之一，如图1所示，现有的多晶硅还原炉包括炉架1，炉架1上安装有炉体2，炉架1与炉体2之间安装有底盘3，炉体2与底盘3配合构成一中空的腔室4，底盘3中与炉体2中均盛放有冷却水，底盘3上安装有若干电极5，各个电极5上安装有石墨件6，硅芯棒7位于腔室4内且与石墨件6连接，石墨件6用以连接电极5与硅芯棒7，底盘3上还安装有进气管与出气管11，且进气管及出气管11与腔室4连通。上述多晶硅还原炉中的进气管由一条进气总管9以及多条独立与进气总管9连接的进气分管8组成，由于各条进气分管8到进气总管9一端进气孔的距离有长有短，因此从进气总管9进来的一定摩尔比的H2和高纯三氯氢硅气体的混合气体在一定压力下进入各条进气风管的流速会有快有慢，导致炉体2内的混合气体分布不均，从而使得多晶硅还原炉生产中容易发生“倒棒现象”，影响企业的产品产量和效益、损坏生产设备。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种能够均匀、缓和的向炉体内进气的多晶硅还原炉。
为了实现上述目的，本实用新型所设计的多晶硅还原炉，包括炉架，安装在炉架上的炉体以及安装在炉架与炉体之间的底盘，所述炉体与底盘配合构成一中空的腔室，在底盘上安装有电极，电极可以根据需要设置若干支，电极上安装有石墨件，硅芯棒位于上述腔室内且与所述石墨件连接，在底盘上还贯穿有两路以上的进气分管和一出气管，上述的进气分管的一端口和出气管的一端口均延伸进入上述腔室，上述的进气分管的另一端口连接一个共同容纳腔，该共同容纳腔的一侧连接有进气总管。
本实用新型得到的多晶硅还原炉，其结构中还原炉的进气系统包括了进气主管、进气分管和共同容纳腔，在实际使用中一定摩尔比的H2和高纯三氯氢硅气体组成的混合气体在一定压力下通过进气总管进入共同容纳腔内，上述的共同容纳腔内的混合气体中有一部分会直接从各进气分管进入由炉体与底盘配合形成的中空腔室，还有部分则被暂存在共同容纳腔，由于进气总管的不断连续进气，在一段时间后上述的共同容纳腔内就会暂存满混合气体，此时从共同容纳腔内再流向各进气分管的气体流速就能基本保持一致，从而使得从各进气分管进入上述腔室的气体流速也能基本实现一致，从而有效避免因还原炉内气体分布不均而出现还原炉倒棒情况的发生，提高了企业生产多晶硅的品质和效率。
附图说明
图1是现有多晶硅还原炉的结构示意图；
图2是本实用新型所提供多晶硅还原炉的结构示意图。
图中：炉架1、炉体2、底盘3、腔室4、电极5、石墨件6、硅芯棒7、进气分管8、进气总管9、共同容纳腔10、出气管11。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例：
如图2所示，本实施例提供的多晶硅还原炉，包括炉架1，安装在炉架1上的炉体2以及安装在炉架1与炉体2之间的底盘3，所述炉体2与底盘3配合构成一中空的腔室4，在底盘3上安装有若干电极5，电极5的数量可根据需要确定，这也是现有技术的常规选择，在此不作说明，电极5上安装有石墨件6，硅芯棒7位于上述腔室4内且与所述石墨件6连接，在底盘3上还贯穿有两路以上的进气分管8和一出气管11，所述两路以上的进气分管8也是现有技术的常规选择，在此不作限定和说明，上述的进气分管8的一端口和出气管11的一端口均延伸进入上述腔室4，上述的进气分管8的另一端口连接一个共同容纳腔10，该共同容纳腔10的一侧连接有进气总管9。
Claims (1)
1.一种多晶硅还原炉，包括炉架（1），安装在炉架（1）上的炉体（2）以及安装在炉架（1）与炉体（2）之间的底盘（3），所述炉体（2）与底盘（3）配合构成一中空的腔室（4），在底盘（3）上安装有电极（5），电极（5）上安装有石墨件（6），硅芯棒（7）位于上述腔室（4）内且与所述石墨件（6）连接，在底盘（3）上还贯穿有两路以上的进气分管（8）和一出气管（11），上述的进气分管（8）的一端口和出气管（11）的一端口均延伸进入上述腔室（4），其特征在于：上述的进气分管（8）的另一端口连接一个共同容纳腔（10），该共同容纳腔（10）的一侧连接有进气总管（9）。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105274616A (zh) * | 2014-06-18 | 2016-01-27 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 一种提高硅芯母料利用率的方法 |
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2013
- 2013-11-13 CN CN201320721251.XU patent/CN203529943U/zh not_active Expired - Fee Related
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140409 Termination date: 20171113 |