CN203367240U - 硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了属于二极管和晶闸管零部件组装技术范围的一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构。在石墨模的底面中心开有透气孔,将石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片依次叠放,组成一组,平放入石墨模内,3-5组叠放一起,上面再放一片石墨隔离片,最后放置压块。采用本晶闸管烧结组装结构烧结硅-铝-钼圆片的结果达到硅片边缘合金沾润良好,均匀,克服崩边现象发生,提高硅圆片、铝圆片和钼圆片烧结成品率。
Description
技术领域
本实用新型属于晶闸管零部件组装技术范围,特别涉及一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构。
背景技术
传统的二极管和晶闸管烧结模具中将按钼圆片、铝圆片、硅圆片依次放入石墨模内,每个石墨模中放3-5组,最后把与钼片等圆的平整的压块放在上面。组装好放置在真空烧结炉内进行烧结,将硅-铝-钼烧结在一起。
采用该种组装结构烧结时,容易产生硅片边缘合金沾润不均匀,形成边缘崩边,造成烧结成品率降低。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对采用传统的二极管和晶闸管烧结组装结构烧结时,容易产生硅片边缘合金沾润不均匀,形成边缘崩边,造成烧结成品率降低的不足,提供一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,在石墨模的底面中心开有透气孔,将石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片依次叠放,组成一组,平放入石墨模内,3-5组叠放一起,上面再放一石墨隔离片,最后放置压块。
所述石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片的外径相同。
所述压块为不锈钢材料制成,外径小于石墨模内径1-2mm。
所述压块至少进入石墨模内三分之一。
所述石墨模内径大于石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片外径0.1-0.4 mm。
本实用新型的有益效果是保证硅片边缘合金沾润良好,均匀,崩边率降低,提高硅圆片、铝圆片和钼圆片烧结成品率。
附图说明
图1为二极管和晶闸管烧结组装结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构。下面结合附图和实施例予以说明。
在图1所示的二极管和晶闸管烧结组装结构示意图中,在石墨模的底面中心开有透气孔7,将外径相同的石墨隔离片6、硅圆片5(扩散光刻完后)、铝圆片4和钼圆片3进行洁净处理后依次叠放后组成一组,平放入石墨模2内,将4组叠放一起,在上面再放一片石墨隔离片6,最后将不锈钢材料制成压块1放置在上面,进入石墨模内三分之一。其中压块的外径小于石墨模内径约1mm。所述石墨模内径大于石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片外径0.15 mm。
首先将把装好的二极管和晶闸管烧结组装结构多个放置在一个真空烧结炉内,真空达到 3×10-3 Pa时,均匀升温至660~720 ℃,保温15-30 min.将硅-铝-钼烧结在一起。结果达到硅片边缘合金沾润良好,均匀,克服崩边现象发生,提高硅圆片、铝圆片和钼圆片烧结成品率。
Claims (5)
1.一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,在石墨模的底面中心开有透气孔,将石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片依次叠放,组成一组,平放入石墨模内,3-5组叠放一起,上面再放一石墨隔离片,最后放置压块。
2.根据权利要求1所述一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,所述石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片的外径相同。
3.根据权利要求1所述一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,所述压块为不锈钢材料制成,外径小于石墨模内径1-2mm。
4.根据权利要求1或3所述一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,所述压块至少进入石墨模内三分之一。
5.根据权利要求1所述一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,所述石墨模内径大于石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片外径0.1-0.4 mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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CN105118789A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-02 | 宁波芯科电力半导体有限公司 | 一种晶闸管芯片的低温结合方法 |
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