CN203220893U - 合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及金刚石技术领域，特别涉及高温高压合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，包含：2层或多层压制片；每片压制片为按照重量百分比触媒69%至71%，石墨29%至31%，金刚石成核抑制剂0.3%至1.5%通过球磨均匀混合压制而成而成的片；金刚石晶种位于压制片之间。使用本实用新型合成大颗粒金刚石，可以在一个腔体内同时合成出很多颗毫米级大颗粒金刚石，从而提高了毫米级大颗粒金刚石的产量。由于有规律的排布金刚石晶种，并且互相之间的举例大于其必须的生长尺寸要求，因此有效减少了小颗粒金刚石的生长。
Description
技术领域
本实用新型涉及金刚石技术领域，特别涉及高温高压合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒。
背景技术
粉末触媒合成工艺广泛用于合成金刚石，对于晶种法合成毫米级大颗粒金刚石，目前广泛采用的是在整体式粉末触媒合成棒中放置金刚石晶种，采用此方法，在合成大颗粒金刚石的同时还会产生许多小的金刚石颗粒，而且，每个合成腔体每次只能合成出一颗毫米级大颗粒金刚石，由于其合成周期较长，成本较高，大大限制了产业化开发。
因此，高温高压合成大颗粒金刚石技术领域，急需一种能够提高产量、每个合成腔体可以同时合成多颗毫米级大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒。
实用新型内容
本实用新型提供一种合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，技术方案如下：
合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，包含：
2层或多层压制片；每片压制片为按照重量百分比触媒69%至71%，石墨29%至31%，金刚石成核抑制剂0.3%至1.5%通过球磨均匀混合压制而成而成的片；
金刚石晶种位于压制片之间。
如上的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其中，该金刚石晶种的数量为1颗。
如上的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其中，该金刚石晶种的数量为2颗。
如上的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其中，该金刚石晶种的数量为多颗。
如上的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其中，该金刚石晶种之间的距离大于合成该尺寸的大颗粒金刚石所需的生长尺寸。
如上的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其中，该金刚石晶种呈对称分布。
如上的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其中，该金刚石晶种的数量为20至30。
本实用新型的有益效果是：
1.本实用新型合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，可以在一个腔体内同时合成出大于1颗的毫米级大颗粒金刚石，从而提高了毫米级大颗粒金刚石的产量。
2.本实用新型合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，有效的减少小颗粒金刚石的生长。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型：
图1为本实用新型一个实施例的示意图，表示了一颗金刚石晶种与压制片的摆放位置及排列方式。
图2为本实用新型另一个实施例的示意图，表示了二颗金刚石晶种与压制片的摆放位置及排列方式。
图3为本实用新型另一个实施例的示意图，表示了四颗金刚石晶种与压制片的摆放位置及排列方式。
具体实施方式
为了使本实用新型的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
本实用新型包含：
2层或多层压制片1；每片压制片1为按照重量百分比触媒69%至71%，石墨29%至31%，金刚石成核抑制剂0.3%至1.5%通过球磨均匀混合压制而成而成的片。触媒为Fe70Ni30合金粉末等，金刚石成核抑制剂为含硼的化合物，例如氧化硼等。
金刚石晶种2位于两片压制片1之间。
金刚石晶种2的数量可以为1颗、2颗或者多颗。
当金刚石晶种2为2颗或者多颗时，互相之间的距离大于合成该尺寸的大颗粒金刚石所需的生长尺寸。
当金刚石晶种2为2颗或者多颗时，呈对称分布。
图1为一颗金刚石晶种2位于2片压制片1之间。
图2为2颗金刚石晶种2位于3片压制片1之间，呈对称分布。
图3为4颗金刚石晶种2位于3片压制片1之间，呈对称分布。
虽然如上实施例以1颗、2颗、4颗为例说明了本实用新型，但本领域技术人员应该可以理解，金刚石晶种2可以其他数量，在实际的合成应用中，本实用新型一般是放置20至30颗晶种2。
使用本实用新型合成大颗粒金刚石，可以在一个腔体内同时合成出很多颗毫米级大颗粒金刚石，从而提高了毫米级大颗粒金刚石的产量。由于有规律的排布金刚石晶种，并且互相之间的举例大于其必须的生长尺寸要求，因此有效减少了小颗粒金刚石的生长。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (7)
1.合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，包含：
2层或多层压制片；每片压制片为按照重量百分比触媒69%至71%，石墨29%至31%，金刚石成核抑制剂0.3%至1.5%通过球磨均匀混合压制而成而成的片；
金刚石晶种位于压制片之间。
2.根据权利要求1所述的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，该金刚石晶种的数量为1颗。
3.根据权利要求1所述的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，该金刚石晶种的数量为2颗。
4.根据权利要求1所述的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，该金刚石晶种的数量为多颗。
5.根据权利要求3或4所述的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，该金刚石晶种之间的距离大于合成该尺寸的大颗粒金刚石所需的生长尺寸。
6.根据权利要求3或4所述的合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒，其特征在于，该金刚石晶种呈对称分布。
7.如权利要求4所述的粉末触媒合成棒，其特征在于，该金刚石晶种的数量为20至30。
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| CN 201320260295 CN203220893U (zh) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒 |
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| CN 201320260295 CN203220893U (zh) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 合成大颗粒金刚石的粉末触媒合成棒 |
Publications (1)
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| CN203220893U true CN203220893U (zh) | 2013-10-02 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105603519A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-05-25 | 济南中乌新材料有限公司 | 具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置 |
| CN105648526A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-06-08 | 济南中乌新材料有限公司 | 一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法及装置 |
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2013
- 2013-05-14 CN CN 201320260295 patent/CN203220893U/zh not_active Expired - Lifetime
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