CN202762404U - 一种金刚石合成块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种金刚石合成块，包括：石墨柱、石墨柱两端的导电钢圈和石墨柱与导电钢圈外围的叶蜡石块，在导电钢圈和石墨柱之间设有加热片，其中，所述石墨柱是包含有完形石墨颗粒杂质的石墨柱。本实用新型采取了上述方案以后，由于完形石墨颗粒杂质大大降低金刚石成核条件，致使金刚石生长环境能够更加接近相变线，使得合成压力及温度大大降低，同时金刚石质量也大大提高。
Description
技术领域
本实用新型属于超硬材料合成技术领域，特别涉及一种金刚石合成块。
背景技术
人工合成金刚石是由高纯石墨材料，通过金属合金触媒的催化作用，在高温高压的环境下转变而成的。在石墨及合金触媒日益完善的今天，合成过程中的温度和压力的控制成为至关重要的技术难题。
合成金刚石压力由硬质合金钉锤从四周向合成棒中心进行传导，压力从外向内递减，造成合成棒内部合成压力逐渐变小，致使合成棒中心部分石墨难以转化成为金刚石，从而直接影响的金刚石合成棒的产量，此外，合成金刚石的时候对温度和压力较高，也给生产带来了很大的问题。
实用新型内容
针对上述技术缺点，本实用新型目的在于提供一种金刚石合成块。
本实用新型解决上述技术问题所采取的技术方案如下：一种金刚石合成块，包括：石墨柱、石墨柱两端的导电钢圈和石墨柱与导电钢圈外围的叶蜡石块，在导电钢圈和石墨柱之间设有加热片，其中，所述石墨柱是包含有完形石墨颗粒杂质的石墨柱。
优选的结构是，在所述石墨柱的圆柱侧设有加热管，在所述加热管、加热片和石墨柱之间还设有绝缘层。
优选的结构是，在所述加热管的外部也设有叶蜡石块。
本实用新型采取了上述方案以后，由于完形石墨颗粒杂质大大降低金刚石成核条件，致使金刚石生长环境能够更加接近相变线，使得合成压力及温度大大降低，同时金刚石质量也大大提高。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进行详细的描述，以使得本实用新型的上述优点更加明确。
图1是本实用新型金刚石合成块的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细的说明。
目前，合成金刚石的时候对温度和压力较高，也给生产带来了很大的问题。申请人在生成中，发现如果在石墨柱内含有少量的完形石墨颗粒杂质，则可以大大提高金刚石的成核率。
因此，申请人根据上述发现原理，利用包含有完形石墨颗粒杂质的石墨柱来进行金刚石制备，从而提高金刚石的产率和降低生成金刚石对温度、压力的要求。
其中，图1是本实用新型金刚石合成块的结构示意图。
如图1所示，所述金刚石合成块，包括：石墨柱1、石墨柱两端的导电钢圈3和石墨柱与导电钢圈外围的叶蜡石块4，在导电钢圈3和石墨柱1之间设有加热片2，其中，所述石墨柱是包含有完形石墨颗粒杂质101的石墨柱。
其中，所述石墨柱的圆柱侧设有加热管6，在所述加热管6、加热片2和石墨柱1之间还设有绝缘层7。
其中，所述加热管的外部也设有叶蜡石块5。
上述包含有完形石墨颗粒杂质的石墨柱可以在石墨材料中加入一定的完形石墨颗粒，也可以通过其他方式获取，在此不进行详细说明。
本实用新型采取了上述方案以后，由于完形石墨颗粒杂质大大降低金刚石成核条件，致使金刚石生长环境能够更加接近相变线，使得合成压力及温度大大降低，同时金刚石质量也大大提高。
需要注意的是，上述具体实施例仅仅是示例性的，在本实用新型的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本实用新型的保护范围内。
本领域技术人员应该明白，上面的具体描述只是为了解释本实用新型的目的，并非用于限制本实用新型。本实用新型的保护范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种金刚石合成块，包括：石墨柱、石墨柱两端的导电钢圈和石墨柱与导电钢圈外围的叶蜡石块，在导电钢圈和石墨柱之间设有加热片，其特征在于，所述石墨柱是包含有完形石墨颗粒杂质的石墨柱。
2.根据权利要求1所述的金刚石合成块，其特征在于，在所述石墨柱的圆柱侧设有加热管，在所述加热管、加热片和石墨柱之间还设有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的金刚石合成块，其特征在于，在所述加热管的外部设有叶蜡石块。
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| CN 201220457768 CN202762404U (zh) | 2012-09-10 | 2012-09-10 | 一种金刚石合成块 |
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Publications (1)
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| CN202762404U true CN202762404U (zh) | 2013-03-06 |
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Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105603519A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-05-25 | 济南中乌新材料有限公司 | 具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置 |
| CN105648526A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-06-08 | 济南中乌新材料有限公司 | 一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法及装置 |
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2012
- 2012-09-10 CN CN 201220457768 patent/CN202762404U/zh not_active Expired - Fee Related
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Assignee: Hunan Bohai New Material Co., Ltd. Assignor: Bohai new material (Changsha) Co., Ltd. Contract record no.: 2013430000021 Denomination of utility model: Device for knocking and splitting diamond synthetic block Granted publication date: 20130306 License type: Exclusive License Record date: 20130408 |
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