CN203117642U - 光刻胶前烘装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及显示装置生产过程中的光刻胶前烘（Soft Bake）处理技术领域，具体涉及一种光刻胶前烘装置。该前烘装置包括热板、控制机构、分别与所述控制机构通信连接的检测光刻胶涂层上缺陷的缺陷检测机构以及修复所述缺陷的缺陷修复机构；所述控制机构接收所述缺陷检测机构的检测结果并根据所述检测结果启动所述缺陷修复机构进行缺陷修复。本实用新型的一种光刻胶前烘装置能够通过缺陷检测机构检测光刻胶涂布工艺完成之后到光刻胶前烘处理完成之间的过程产生的mura以及其他缺陷，并且通过缺陷修复机构根据检测结果补救检测到的缺陷；因此，本实用新型的一种光刻胶前烘装置能够提高显示装置的产品良率，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示装置生产过程中的光刻胶前烘（Soft Bake）处理技术领域，具体涉及一种光刻胶前烘装置。
背景技术
液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）由于具有画面稳定、图像逼真、消除辐射、节省空间以及节省能耗等优点，现已占据了平面显示领域的主导地位。TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器）是目前主流的液晶显示器，而薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板以及彩膜基板是其显示面板的主要构成部件。阵列基板以及彩膜基板的制备工艺过程往往关系着整个显示装置的良率。
在阵列基板以及彩膜基板的生产工艺中，光刻工艺是非常重要的；其中必用到的光刻胶是指经过紫外光、电子束、离子束、Y射线等照射或辐射后，其溶解度会发生变化的一种耐蚀薄膜材料，也称为光致抗蚀剂，光刻胶由树脂、光敏物质和有机溶剂等成分组成。
在光刻胶涂布工艺完成后，接下来要进行真空减压干燥处理以及光刻胶前烘处理。真空减压干燥装置以及光刻胶前烘装置通常设置在光刻胶涂布机的下游，其主要作用是进一步除去涂布光刻胶中的有机溶剂以及增强光刻胶与基板的粘着力，防止曝光区域在显影时因粘着力不够而发生膜脱落造成不良。
在光刻胶前烘处理完成后，接着进行曝光、后烘以及显影处理等。在显影装置下游通常设置有AOI（Automatic Optic Inspection，自动光学检测）外观检查机，其用以检测mura（不均）、particle（微粒）以及异物等；钠灯检测装置通常也设置在显影装置下游，其用于检测显影mura等。但是，对于光刻胶涂布工艺完成之后到光刻胶前烘处理完成之间的过程产生的mura以及其他缺陷往往很难检测到，并且无法补救，这样就可能会造成产品良率的下降。
实用新型内容
（一）要解决的技术问题
本实用新型的目的在于提供一种对于光刻胶涂布工艺完成之后到光刻胶前烘处理完成之间的过程产生的mura以及其他缺陷进行检测并且补救的光刻胶前烘装置，用于提高显示装置的产品良率。
（二）技术方案
本实用新型技术方案如下：
一种光刻胶前烘装置，包括热板以及控制机构，还包括分别与所述控制机构通信连接的检测光刻胶涂层上缺陷的缺陷检测机构以及修复所述缺陷的缺陷修复机构；所述控制机构接收所述缺陷检测机构的检测结果并根据所述检测结果启动所述缺陷修复机构进行缺陷修复。
优选的，所述缺陷检测机构包括光学增强元件。
优选的，所述光学增强元件包括显微镜和/或监测灯。
优选的，所述监测灯为钠灯。
优选的，所述缺陷检测机构连接驱动机构，所述驱动机构驱动所述缺陷检测机构在所述光刻胶涂层上方运动。
优选的，所述驱动机构包括CDA气缸。
优选的，所述缺陷检测机构与边缘光刻胶去除装置连接并随所述边缘光刻胶去除装置移动。
优选的，所述缺陷修复机构包括真空减压机。
（三）有益效果
本实用新型的一种光刻胶前烘装置通过设置分别与现有技术中光刻胶前烘装置的控制机构连接的缺陷检测机构以及缺陷修复机构，这样就能够通过缺陷检测机构检测光刻胶涂布工艺完成之后到光刻胶前烘处理完成之间的过程产生的mura以及其他缺陷，并且通过缺陷修复机构根据检测结果补救检测到的缺陷；因此，本实用新型的一种光刻胶前烘装置能够在很大程度上提高显示装置的产品良率，具有良好的应用前景。
附图说明
图1是本实用新型实施例中光刻胶前烘装置的机构连接示意图；
图2是本实用新型实施例中光刻胶前烘装置的结构示意图。
图中，1：基板；2：边缘光刻胶去除装置；3：真空减压机；4：监测灯。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式做进一步描述。以下实施例仅用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
现有技术中的光刻胶前烘装置包括热板以及控制机构等，本实用新型所提供的光刻胶前烘装置如图1中所示，其主要改进之处在于还设置了分别与控制机构通信连接的检测光刻胶涂层上缺陷的缺陷检测机构以及修复所述缺陷的缺陷修复机构；缺陷检测机构用来检测光刻胶涂布工艺完成之后到光刻胶前烘处理完成之间的过程产生的mura以及其他缺陷，例如减压干燥过程中因减压气流不均造成气流在光刻胶涂层表面形成的鼓包缺陷等；检测完毕后，缺陷检测机构记录检测结果并发送至控制机构，控制机构接收缺陷检测机构发送的检测结果并根据检测结果启动缺陷修复机构，缺陷修复机构用来修复检测到的缺陷。
为了保证缺陷检测机构检测结果的准确性，本实施例中的缺陷检测机构包括光学增强元件。
进一步地，光学增强元件可以包括显微镜和/或监测灯等，用以放大或者增强缺陷的显示效果。为了便于安装和节省设备空间，显微镜和/或监测灯的尺寸应尽可能小，例如采用微型显微镜和/或微型监测灯等，在此不做限定。
特别的，监测灯可以为钠灯。为进一步便于安装和节省设备空间，以便利于实时监测，优选监测灯为微型钠灯。通过钠灯能够更加清晰地看到色差比较小的物体，因此本实施例中的缺陷检测机构主要为钠灯。
为了方便缺陷检测机构全面的获取光刻胶表面缺陷信息，本实用新型中的缺陷检测机构还连接驱动机构，通过驱动机构驱动缺陷检测机构在光刻胶涂层上方运动，从而精确的获取光刻胶表面各处的缺陷信息。
其中，驱动机构可以为电机驱动也可以为气动驱动；例如，驱动机构可以为压缩干燥空气（Compressed Dry Air，CDA）气缸。
在实际生产线中，在减压干燥过程之后还需要进行边缘光刻胶去除的过程，用于去除光刻胶涂层边缘的大块颗粒，因此，现有的生产线中，在光刻胶前烘装置的上游均设置有边缘光刻胶去除装置（EBR，Edge Bead Removal）；本实用新型中的缺陷检测机构与边缘光刻胶去除装置连接并随边缘光刻胶去除装置移动；这样缺陷检测机构可以随着边缘光刻胶去除装置刮边过程的进行而全面且精确的获取光刻胶表面各处的缺陷信息，同时无需设置新的驱动机构，节省了成本，简化了光刻胶前烘装置的结构。如图2中所示，在涂覆有光刻胶的基板1边缘设置有边缘光刻胶去除装置2，在边缘光刻胶去除装置2上设置有监测灯4，监测灯4可以随着边缘光刻胶去除装置2刮边过程的进行而全面且精确的获取光刻胶表面各处的缺陷信息。
其中，缺陷修复机构包括如图2中所示的真空减压机3；真空减压机可以使光刻胶涂层表面形成的鼓包缺陷由于负压而得到修复；真空减压机可以单独设置，也可以利用现有真空热板系统中的真空减压机，利用现有真空热板系统中的真空减压机不但精简了整个光刻胶前烘装置的结构，而且达到一机多用的效果，节省了成本。
在缺陷修复之后，再通过热板进行正式的光刻胶前烘处理；这样由于没有缺陷或者仅有极少量的缺陷，产品的良率可以得到大大的提升。
以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的保护范畴。
Claims (9)
1.一种光刻胶前烘装置，包括热板以及控制机构，其特征在于，还包括分别与所述控制机构通信连接的检测光刻胶涂层上缺陷的缺陷检测机构以及修复所述缺陷的缺陷修复机构；所述控制机构接收所述缺陷检测机构的检测结果并根据所述检测结果启动所述缺陷修复机构进行缺陷修复。
2.根据权利要求1所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述缺陷检测机构包括光学增强元件。
3.根据权利要求2所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述光学增强元件包括显微镜和/或监测灯。
4.根据权利要求3所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述监测灯为钠灯。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述缺陷检测机构连接驱动机构，所述驱动机构驱动所述缺陷检测机构在所述光刻胶涂层上方运动。
6.根据权利要求5所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述驱动机构包括CDA气缸。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述缺陷检测机构与边缘光刻胶去除装置连接并随所述边缘光刻胶去除装置移动。
8.根据权利要求1-4或6任意一项所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述缺陷修复机构包括真空减压机。
9.根据权利要求7所述的光刻胶前烘装置，其特征在于，所述缺陷修复机构包括真空减压机。
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| CN 201320126343 CN203117642U (zh) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 光刻胶前烘装置 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106125520A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光刻胶前烘方法、装置及光刻设备 |
| CN108732876A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-02 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法 |
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- 2013-03-19 CN CN 201320126343 patent/CN203117642U/zh not_active Expired - Fee Related
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