CN108732876A - 光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法包括步骤：首先以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层；其次，在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层，通过这样的方式，所述光阻材料层能够形成层叠于所述半导体基底的一光阻层，并保证所述光阻层的各个部分的溶剂含量一致，从而有利于保证后续的光刻工艺的稳定性。

Description

光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法

技术领域

本发明涉及半导体制程，特别涉及一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法。

背景技术

在半导体制程中，光刻技术是各个工序之间的桥梁。具体地说，在半导体制程中，在进行离子注入工序或者蚀刻工序之前，需要通过光刻工艺进行光刻图形的制作，以达到预先设计的待离子注入区域或者待蚀刻区域，从而在后续规范被注入的离子图形或者蚀刻图形，因此，光刻工艺的稳定性在整个半导体制程中起到至关重要的作用。

现有的光刻工艺，以正光阻为例，首先通过旋涂的方式在半导体晶片上形成光刻胶膜层；其次，对该光刻胶膜层进行前烘；接着，通过曝光工艺将掩膜版上的图形转移到该光刻胶膜层上之后，对该光刻胶膜层进行显影作业，该光刻胶膜层被曝光后的区域与显影液发生化学反应而被溶解；最后，通过后烘作业完成整个光刻制程。现有的光刻工艺采用单一的烘烤方式对形成在该半导体晶片上的该光刻胶膜层进行前烘作业，这容易导致该光刻胶膜层中的溶剂含量不均匀而影响整个光刻制程的效果，尤其是对于厚度大于4μm的该光刻胶膜层来说，采用单一的烘烤方式对形成在该半导体晶片上的该光刻胶膜层进行前烘作业，更容易导致该光刻胶膜层中的溶剂含量不均匀而影响整个光刻制程的效果。

具体地说，现有的一种对形成在该半导体晶片上的该光刻胶膜层进行前烘作业的烘烤方式是加热该半导体晶片，通过该半导体晶片将热量传导至层叠于该半导体晶片的该光刻胶膜层，以使该光刻胶膜层内的溶剂挥发而实现对该光刻胶膜层的烘烤，这种烘烤方式对于厚度在4μm以下的该光刻胶膜层是可行的，而一旦该光刻胶膜层的厚度超过4μm，则该光刻胶膜层的远离该半导体晶片的部分的溶剂的挥发量会小于该光刻胶膜层的靠近该半导体晶片的部分的溶剂的挥发量，这会导致该光刻胶膜层的溶剂的含量不均匀，进而影响后续的光刻效果。

现有的另一种对形成在该半导体晶片上的该光刻胶膜层进行前烘作业的烘烤方式是加热层叠有该光刻胶膜层的该半导体晶片的周边环境，以使热量从该光刻胶膜层的外侧部分逐渐地传导至该光刻胶膜层的内部部分，此时，该光刻胶膜层的外侧部分的溶剂被挥发，而内部部分的溶剂容易被锁在该光刻胶膜层的内部，可以理解的是，厚度越厚的该光刻胶膜层的内部部分的溶剂越容易被锁在该光刻胶膜层的内部，这会导致该光刻胶膜层的溶剂的含量不均匀，进而影响后续的光刻效果。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法特别适合烘烤较厚的光阻材料层，以使烘烤后的所述光阻材料层形成层叠于一半导体基底的一光阻层。例如，所述光阻烘烤方法特别适合烘烤厚度大于4μm的所述光阻材料层。

本发明的一个目的在于提供一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中层叠于所述半导体基底的所述光阻层的各个部分的溶剂含量一致，以有利于保证后续的光刻工艺的稳定性。

本发明的一个目的在于提供一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法能够使所述光阻材料层的各个部分的溶剂被均匀地挥发，从而增强后续的光刻工艺的稳定性。

本发明的一个目的在于提供一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法对被层叠有所述光阻材料层的所述半导体基底采用分段烘烤的方式对所述光阻材料层进行烘烤，通过这样的方式，所述光阻材料层的内部部分和外侧部分的溶剂的挥发量能够被保持一致，从而增强后续的光刻工艺的稳定性。

本发明的一个目的在于提供一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法首先使热量自下而上地在所述光阻材料层传导，然后使热量自外而内地在所述光阻材料层传导，以对所述光阻材料层进行烘烤，通过这样的方式，所述光阻材料层的内部部分和外侧部分的溶剂的挥发量能够被保持一致，从而增强后续的光刻工艺的稳定性。

依本发明的一个方面，本发明提供一光阻烘烤方法，其中所述光阻烘烤方法包括如下步骤：

(a)以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层；和

(b)以在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层。

根据本发明的一个实施例，所述步骤(a)进一步包括步骤：

(a.1)以所述半导体基底的下表面贴合一加热板的方式放置被施涂有所述光阻材料层的所述半导体基底于所述加热板；和

(a.2)升高所述加热板的温度，以使所述加热板产生的热量经所述半导体基底自下而上地在所述光阻材料层传导。

根据本发明的一个实施例，所述加热板的加热温度范围为30℃-300℃，烘烤时间范围为5秒-200秒。

根据本发明的一个实施例，所述加热板的加热温度范围为30℃-120℃，烘烤时间范围为20秒-150秒。

根据本发明的一个实施例，所述步骤(b)进一步包括步骤：

(b.1)将被施涂有所述光阻材料层的所述半导体基底放置于一烘烤环境；和(b.2)升高所述烘烤环境的温度，以使热量自外而内地在所述光阻材料层传导。

根据本发明的一个实施例，所述烘烤环境的烘烤温度范围为60℃-300℃，烘烤时间范围为60秒-1800秒。

根据本发明的一个实施例，所述烘烤环境的烘烤温度范围为60℃-180℃，烘烤时间范围为60秒-1200秒。

根据本发明的一个实施例，所述光阻材料层的厚度大于或者等于4μm。

依本发明的另一个方面，本发明进一步提供一在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻层形成方法包括如下步骤：

(A)在一半导体基底上施涂一光阻材料层；

(B)使热量自下而上地在所述光阻材料层传导；以及

(C)使热量自外而内地在所述光阻材料层传导，以使所述光阻材料层内的溶剂挥发而藉由所述光阻材料层形成层叠于所述半导体基底的一光阻层。

根据本发明的一个实施例，所述光阻层形成方法进一步包括步骤：

(D)通过曝光的方式转移一掩膜版的图形于所述光阻层；和

(E)使所述光阻层的被曝光的区域被一显影液溶解而在所述光阻层形成至少一光刻图形。

根据本发明的一个实施例，在所述步骤(A)中，以旋涂的方式在所述半导体基底的上表面施涂所述光阻材料层。

根据本发明的一个实施例，在所述步骤(B)中，将所述半导体基底放置于一加热板，从而所述加热板产生的热量在经所述半导体基板传导至所述光阻材料层后，热量自下而上地在所述光阻材料层传导。

根据本发明的一个实施例，所述加热板的加热温度范围为30℃-300℃，烘烤时间范围为5秒-200秒。

根据本发明的一个实施例，所述加热板的加热温度范围为30℃-120℃，烘烤时间范围为20秒-150秒。

根据本发明的一个实施例，在所述步骤(C)中，将所述半导体基底放置于一烘烤环境，从而所述烘烤环境的热量能够自外而内地在所述半导体基板传导。

根据本发明的一个实施例，所述烘烤环境的烘烤温度范围为60℃-300℃，烘烤时间范围为60秒-1800秒。

根据本发明的一个实施例，所述烘烤环境的烘烤温度范围为60℃-180℃，烘烤时间范围为60秒-1200秒。

根据本发明的一个实施例，所述光阻材料层的厚度大于或者等于4μm。

附图说明

图1是依本发明的一较佳实施例的一在半导体基底上形成光阻层的方法的步骤之一的示意图，其示意了一半导体基底的剖视状态。

图2是依本发明的上述较佳实施例的所述光阻层形成方法的步骤之二的示意图，其示意了在所述半导体基底上施涂一光阻材料层后的剖视状态。

图3是依本发明的上述较佳实施例的所述光阻层的形成方法的步骤之三的示意图，其示意了使热量自下而上地在所述光阻材料层传导的剖视状态。

图4是依本发明的上述较佳实施例的所述光阻层的形成方法的步骤之四的示意图，其示意了使热量自外而内地在所述光阻材料层传导的剖视状态。

图5是依本发明的上述较佳实施例的在所述半导体基底上形成所述光阻层后的剖视示意图。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

参考本发明的说明书附图之附图1至图5，依本发明的一较佳实施例的一在半导体基底上形成光阻层的方法在接下来的描述中被揭露和被阐述，其中为了便于说明和理解，本发明在接下来的描述中将所述在半导体基底上形成光阻层的方法简称为一光阻层形成方法，其中所述光阻层形成方法用于在一半导体基底10上形成层叠于所述半导体基底10的一光阻层20，并且所述光阻层20的内部部分和外侧部分的溶剂含量保持一致，以增强在后续的光刻工艺中的可靠性和稳定性。

附图1至图5示出了藉由所述光阻层形成方法在所述半导体基底10上形成层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20的过程。

具体地说，在附图1示出的阶段，提供所述半导体基底10。值得一提的是，所述半导体基底10的类型在本发明的所述光阻层形成方法中不受限制，例如所述半导体基底10可以是但不限于晶片，更具体地，所述半导体基底10可以是发光二极管的晶片。也就是说，本发明的所述光阻层形成方法能够在被实施为晶片的所述半导体基底10上形成所述光阻层20，从而使得本发明的所述光阻层形成方法能够被应用于发光二极管的制程中。

更具体地说，所述半导体基底10具有一上表面11和对应于所述上表面11的一下表面12，其中所述光阻层20在所述半导体基底10的所述上表面11层叠于所述半导体基底10。值得一提的是，在本发明的所述光阻层形成方法中涉及的所述半导体基底10的所述上表面11是指在附图1至图5中所述半导体基底10朝向上方的表面，相对应地，所述光阻层形成方法中涉及的所述半导体基底10的所述下表面12是指在附图1至图5中所述半导体基底10朝向下方的表面。

在附图2示出的阶段，在所述半导体基底10的所述上表面11施涂一光阻材料层30，以使所述光阻材料层30在所述半导体基底10的所述上表面11层叠于所述半导体基底10。

具体地说，在本发明的所述光阻层形成方法的这个具体的示例中，可以通过旋涂的方式在所述半导体基底10的所述上表面11形成所述光阻材料层30。正如本发明在背景技术中阐述的那样，若层叠于所述半导体基底10的所述上表面11的所述光阻材料层30的厚度较薄，例如当所述光阻材料层30的厚度小于4μm时，则利用传统的单一的烘烤方式能够使所述光阻材料层30的各个部分的溶剂均匀地蒸发而形成层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20，若层叠于所述半导体基底10的所述上表面11的所述光阻材料层30的厚度较厚，例如当层叠于所述半导体基底10的所述上表面11的所述光阻材料层30的厚度大于或者等于4μm时，传统的单一的烘烤方式无法使所述光阻材料层30的各个部分的溶剂均匀地蒸发，可以理解的是，在烘烤的过程中，若所述光阻材料层30的各个部分的溶剂的蒸发量不一致，则在所述光阻材料层30形成所述光阻层20后，所述光阻层20的各个部分的溶剂含量也不一致，这势必会影响后续的光刻工艺而导致光刻稳定性较差。因此，在本发明的所述光阻层形成方法中，为了使得更厚的所述光阻材料层30的各个部分的溶剂能够均匀地蒸发而形成层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20，并保证所述光阻层20的各个部分的溶剂含量一致，本发明的所述光阻层形成方法提供了一种分段式烘烤方式来对所述光阻材料层30进行烘烤，或者说，本发明的所述光阻层形成方法提供了一种复合式烘烤方式来对所述光阻材料层30进行烘烤，这种方式能够使所述光阻材料层30形成的层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20的各个部分的溶剂更为均匀，以保证在后续的光刻工艺时的稳定性。

值得一提的是，参考附图2，所述光阻材料层30具有一近侧部31和对应于所述近侧部31的一远侧部32，其中所述光阻材料层30以所述光阻材料层30的所述近侧部31贴合于所述半导体基底10的所述上表面11的方式层叠于所述半导体基底10。值得一提的是，在本发明的所述光阻层形成方法中所涉及的所述光阻材料层30的所述近侧部31是指所述光阻材料层30的靠近所述半导体基底10的所述上表面11的部分，相对应地，所述光阻材料层30的所述远侧部32是指所述光阻材料层30的远离所述半导体基底10的所述上表面11的部分。

在附图3示出的阶段，使热量自下而上地在所述光阻材料层30传导，以蒸发所述光阻材料层30的溶剂。优选地，在对所述光阻材料层30进行烘烤时，将被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10以所述半导体基底10的所述下表面11贴合于一加热板100的方式放置于所述加热板100。当所述加热板100的温度升高时，所述加热板100产生的热量经由所述半导体基底10传导至所述光阻材料层30，其中热量首先被传导至所述光阻材料层30的所述近侧部31，然后由所述光阻材料层30的所述近侧部31逐渐地传导至所述光阻材料层30的所述远侧部32，从而使得所述光阻材料层30的越是靠近所述半导体基底10的部分的溶剂越容易被蒸发。也就是说，在附图3示出的烘烤阶段，所述光阻材料层30的所述近侧部31的溶剂首先被蒸发，然后所述光阻材料层30的所述远侧部32的溶剂被蒸发。并且在附图3示出的烘烤阶段的烘烤结果为所述光阻材料层30的所述近侧部31的溶剂蒸发量大于所述光阻材料层30的所述远侧部32的溶剂蒸发量。

优选地，在利用所述加热板100对被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基板10进行烘烤时，烘烤温度为30℃-300℃(包括30℃和300℃)，烘烤时间为5秒-200秒(包括20秒和200秒)，这样的烘烤温度和烘烤时间能够使被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10烘烤到预设程度。优选地，在利用所述加热板100对被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基板10进行烘烤时，烘烤温度为30℃-120℃(包括30℃和120℃)，烘烤时间为20秒-150秒(包括20秒和150秒)，这样的烘烤温度和烘烤时间能够使被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10烘烤到预设程度。

值得一提的是，在将被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10烘烤到预设程度时，将被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10从所述加热板100上取下，此时，被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10被中止烘烤，然后，再将所被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10放置于一烤箱200内继续被烘烤，参考附图4和图5，从而使得所述光阻材料层30形成层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20。

具体地说，参考附图4，所述烤箱200具有一烘烤环境201，其中自所述加热板100上取下的被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10被放置于所述烤箱200的所述烘烤环境201中。当所述烤箱200工作而使所述烘烤环境201的热量升高时，热量能够自外而内地在所述光阻材料层30传导，以蒸发所述光阻材料层30的溶剂。可以理解的是，当热量传导至所述光阻材料层30之后，热量首先作用于所述光阻材料层30的外侧部分，然后自所述光阻材料层30的外侧部分向内部部分传导，从而使得所述光阻材料层30的越是靠近外侧的部分的溶剂越容易被蒸发。也就是说，在附图4示出的烘烤阶段，所述光阻材料层30的外侧部分的溶剂首先被蒸发，然后所述光阻材料层30的所述内部部分的溶剂被蒸发。并且在附图4示出的烘烤阶段的烘烤结果为所述光阻材料层30的外侧部分的溶剂蒸发量大于所述光阻材料层30的内部部分的溶剂蒸发量。

优选地，在利用所述烤箱200对自所述加热板100上取下的被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10继续进行烘烤时，所述烤箱200的所述烘烤环境201的温度为60℃-300℃(包括60℃和300℃)，烘烤时间为60秒-1800秒(包括60秒和1800秒)。更优选地，在利用所述烤箱200对自所述加热板100上取下的被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10继续进行烘烤时，所述烤箱200的所述烘烤环境201的温度为60℃-180℃(包括60℃和180℃)，烘烤时间为60秒-1200秒(包括60秒和1200秒)。

在本发明的所述光阻层形成方法中，在附图3示出的阶段，因为热量自下而上地在所述光阻材料层30传导，从而使得所述光阻材料层30的所述近侧部31的部分的溶剂挥发的较多和使得所述光阻材料层30的所述远侧部32的部分的溶剂挥发的较少，在附图4示出的阶段，因为热量自外而内地在所述光阻材料层30传导，从而使得所述光阻材料层30的外侧部分的溶剂挥发的较多和使得所述光阻材料层30的内部部分的溶剂挥发的较少，并且因为所述光阻材料层30的所述近侧部31的绝大部分形成所述光阻材料层30的内部部分，和所述光阻材料层30的所述远侧部32的绝大部分形成所述光阻材料层30的外侧部分，从而本发明的所述光阻层形成方法通过提供分段式烘烤可以使得所述光阻材料层30的格、各个部分的溶剂的蒸发量保持一致，通过这样的方式，使得所述光阻材料层30在被烘烤后形成的层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20的溶剂浓度分布均匀，以有利于后续的光刻工艺的稳定性。

在通过上述方式完成前烘工艺后，接着，通过曝光工艺将一掩膜版上的图形转移到层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20上，然后藉由显影液对所述半导体基底10的所述光阻层20进行显影作业，此时，所述光阻层20的被曝光的区域与显影液发生化学发声而被溶解，以使所述光阻层20形成光刻图形。最后，还可以对层叠有所述光阻层20的所述半导体基底10进行后烘工艺。

也就是说，本发明提供了一在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻层形成方法包括如下步骤：

(A)在所述半导体基底10上施涂所述光阻材料层30；

(B)使热量自下而上地在所述光阻材料层30传导；以及

(C)使热量自外而内地在所述光阻材料层30传导，以使所述光阻材料层30内的溶剂挥发而藉由所述光阻材料层30形成层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20。

进一步地，所述光阻层形成方法还包括步骤：

(D)通过曝光的方式转移一掩膜版的图形于所述光阻层20；和

(E)使所述光阻层20的被曝光的区域被一显影液溶解而在所述光阻层20形成至少一光刻图形。

优选地，在所述步骤(A)中，在所述步骤(A)中，以旋涂的方式在所述半导体基底10的所述上表面11施涂所述光阻材料层30。

优选地，在所述步骤(B)中，将所述半导体基底10放置于所述加热板100，从而所述加热板100产生的热量在经所述半导体基板10传导至所述光阻材料层30后，热量自下而上地在所述光阻材料层30传导。所述加热板100的加热温度范围为30℃-300℃，烘烤时间范围为5秒-200秒。

优选地，在所述步骤(C)中，将所述半导体基底10放置于所述烘烤环境201，从而所述烘烤环境201的热量能够自外而内地在所述半导体基板10传导。所述烘烤环境201的烘烤温度范围为60℃-300℃，烘烤时间范围为60秒-1800秒。

依本发明的另一个方面，本发明进一步提供一光阻烘烤方法，其中所述光阻烘烤方法包括如下步骤：

(a)以所述半导体基底10的下部产生热量的方式烘烤被施涂于所述半导体基底10的所述光阻材料层30；和

(b)以在所述光阻材料层30的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层30。

优选地，所述步骤(a)进一步包括步骤：

(a.1)以所述半导体基底10的所述下表面12贴合所述加热板100的方式放置被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10于所述加热板100；和

(a.2)升高所述加热板100的温度，以使所述加热板100产生的热量经所述半导体基底10自下而上地在所述光阻材料层30传导。

优选地，所述步骤(b)进一步包括步骤：

(b.1)将被施涂有所述光阻材料层30的所述半导体基底10放置于所述烘烤环境201；和

(b.2)升高所述烘烤环境201的温度，以使热量自外而内地在所述光阻材料层30传导。

另外，本发明还提供一光阻烘烤方法，其中所述光阻烘烤方法包括如下步骤：

(α)烘烤被层叠有所述光阻材料层30的所述半导体基底10；

(β)中止烘烤被层叠有所述光阻材料层30的所述半导体基底10，以形成一半成品；以及

(γ)再次烘烤所述半成品，以使所述光阻材料层30形成层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20。

在所述步骤(α)中，将被层叠有所述光阻材料层30的所述半导体基底10放置于所述加热板100，当所述加热板100产生热量时，热量能够经所述半导体基底10传导至所述光阻材料层30，并且热量在所述光阻材料层30自下而上地传导，以使所述光阻材料层30的所述近侧部31的溶剂首先蒸发，然后所述光阻材料层30的所述远侧部32的溶剂挥发。所述加热板100的加热温度范围为30℃-300℃，烘烤时间范围为5秒-200秒。

值得一提的是，在所述步骤(a)中，因为热量在所述光阻材料层30中自下而上地传导，从而所述光阻材料层30的所述近侧部31的溶剂蒸发量大于所述光阻材料层30的所述远侧部32的溶剂蒸发量，从而在所述步骤(β)中，当中止对被层叠有所述光阻材料层30的所述半导体基底10烘烤时，得到的所述半成品的所述光阻材料层30的所述近侧部31的溶剂含量小于所述光阻材料层30的所述远侧部32的溶剂含量。

在所述步骤(γ)中，将所述半成品放置于所述烘烤环境201，当所述烘烤环境201的温度升高且作用于所述半成品时，热量在所述光阻材料层30自外而内地传导，以使所述光阻材料层30的外侧部分的溶剂首先蒸发，然后所述光阻材料层30的内部部分的溶剂挥发。所述烘烤环境201的烘烤温度范围为60℃-300℃，烘烤时间范围为60秒-1800秒。

值得一提的是，因为所述光阻材料层30的所述近侧部31的绝大部分形成所述光阻材料层30的内部部分，和所述光阻材料层30的所述远侧部32的绝大部分形成所述光阻材料层30的外侧部分，从而本发明的所述光阻层形成方法通过提供分段式烘烤可以使得所述光阻材料层30的格、各个部分的溶剂的蒸发量保持一致，通过这样的方式，使得所述光阻材料层30在被烘烤后形成的层叠于所述半导体基底10的所述光阻层20的溶剂浓度分布均匀，以有利于后续的光刻工艺的稳定性。

值得一提的是，在本发明的所述光阻烘烤方法的一个较佳示例中，所述步骤(α)和所述步骤(γ)可以在同一个烘烤设备中进行，即，所述加热板100和所述烤箱200可以是同一个烘烤设备。而在本发明的所述光阻烘烤方法的另一个较佳示例中，所述步骤(α)和所述步骤(γ)分别在不同的烘烤设备中进行。本发明的所述光阻烘烤方法在这些方面不受限制。

本领域的技术人员可以理解的是，以上实施例仅为举例，其中不同实施例的特征可以相互组合，以得到根据本发明揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (15)

1.一光阻烘烤方法，其特征在于，所述光阻烘烤方法包括如下步骤：

(a)以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层；和

(b)以在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层。

2.根据权利要求1所述的光阻烘烤方法，其中所述步骤(a)进一步包括步骤：

(a.1)以所述半导体基底的下表面贴合一加热板的方式放置被施涂有所述光阻材料层的所述半导体基底于所述加热板；和

(a.2)升高所述加热板的温度，以使所述加热板产生的热量经所述半导体基底自下而上地在所述光阻材料层传导。

3.根据权利要求2所述的光阻烘烤方法，其中所述加热板的加热温度范围为30℃-300℃，烘烤时间范围为5秒-200秒。

4.根据权利要求1至3中任一所述的光阻烘烤方法，其中所述步骤(b)进一步包括步骤：

(b.1)将被施涂有所述光阻材料层的所述半导体基底放置于一烘烤环境；和

(b.2)升高所述烘烤环境的温度，以使热量自外而内地在所述光阻材料层传导。

5.根据权利要求4所述的光阻烘烤方法，其中所述烘烤环境的烘烤温度范围为60℃-300℃，烘烤时间范围为60秒-1800秒。

6.根据权利要求1至5中任一所述的光阻烘烤方法，其中所述光阻材料层的厚度大于或者等于4μm。

7.一在半导体基底上形成光阻层的方法，其特征在于，所述光阻层形成方法包括如下步骤：

(A)在一半导体基底上施涂一光阻材料层；

(B)使热量自下而上地在所述光阻材料层传导；以及

(C)使热量自外而内地在所述光阻材料层传导，以使所述光阻材料层内的溶剂挥发而藉由所述光阻材料层形成层叠于所述半导体基底的一光阻层。

8.根据权利要求7所述的光阻层形成方法，进一步包括步骤：

(D)通过曝光的方式转移一掩膜版的图形于所述光阻层；和

(E)使所述光阻层的被曝光的区域被一显影液溶解而在所述光阻层形成至少一光刻图形。

9.根据权利要求7或8所述的光阻层形成方法，其中在所述步骤(A)中，以旋涂的方式在所述半导体基底的上表面施涂所述光阻材料层。

10.根据权利要求7或8所述的光阻层形成方法，其中在所述步骤(B)中，将所述半导体基底放置于一加热板，从而所述加热板产生的热量在经所述半导体基板传导至所述光阻材料层后，热量自下而上地在所述光阻材料层传导。

11.根据权利要求10所述的光阻层形成方法，其中所述加热板的加热温度范围为30℃-300℃，烘烤时间范围为5秒-200秒。

12.根据权利要求7或8所述的光阻层形成方法，其中在所述步骤(C)中，将所述半导体基底放置于一烘烤环境，从而所述烘烤环境的热量能够自外而内地在所述半导体基板传导。

13.根据权利要求10所述的光阻层形成方法，其中在所述步骤(C)中，将所述半导体基底放置于一烘烤环境，从而所述烘烤环境的热量能够自外而内地在所述半导体基板传导。

14.根据权利要求13所述的光阻层形成方法，其中所述烘烤环境的烘烤温度范围为60℃-300℃，烘烤时间范围为60秒-1800秒。

15.根据权利要求7至14中任一所述的光阻层形成方法，其中所述光阻材料层的厚度大于或者等于4μm。