CN203071395U - 一种新型高功率半导体激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其是一种新型高功率半导体激光器。它包括金属底座、一体化陶瓷封盖，所述一体化陶瓷封盖的前侧面设有安装槽；所述一体化陶瓷封盖的开口朝下，倒扣在金属底座上；所述金属底座上设有激光芯片和表面金属化陶瓷电极片；激光芯片和表面金属化陶瓷电极片焊接在金属底座上。本实用新型将原来的金属外壳的环框与底座分离，用陶瓷封盖将环框与顶盖进行一体化设计，用表面金属化陶瓷电极代替金属引线和绝缘玻璃；加以高强度密封剂，取代电阻平行封焊；在保证可靠性的同时，显著降低了生产成本，有利于半导体激光器在更多行业的广泛推广及应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其是一种新型高功率半导体激光器。
背景技术
随着科学技术地不断发展，半导体激光器已广泛用于通讯、材料加工等众多领域；半导体激光芯片是高功率激光器的核心关键元件；为使半导体激光芯片能够长时间且稳定的工作，必须将其设置在一个完全密闭的腔体中，以避免灰尘、水汽或者机械撞击对元件的损害。传统的是采用金属底座、金属环框、电极引线加封盖组合而成的结构；金属底座与金属环框焊接在一起形成金属壳体，激光出光口开在金属环框的前壁上，电极引线穿过金属壳体的后壁，用绝缘玻璃固定与激光芯片进行连接；最后将金属封盖焊接在金属壳体上完成密封；由于金属壳体本身涉及到精密机械加工、电镀及绝缘玻璃熔封等，故成本很高；加之所须平行封焊机也是一种复杂且昂贵的设备，使得生产难度和生产成本大大增加。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够显著降低生产成本的新型高功率半导体激光器。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种新型高功率半导体激光器，它包括金属底座、一体化陶瓷封盖，所述一体化陶瓷封盖的前侧面设有安装槽；所述一体化陶瓷封盖的开口朝下， 倒扣在金属底座上；所述金属底座上设有激光芯片和表面金属化陶瓷电极片；所述激光芯片和表面金属化陶瓷电极片焊接在金属底座上。
优选地，所述表面金属化陶瓷电极片的正面设置有第一电极和第二电极，所述第一电极的前部分与激光芯片的负极连接，后部分与一根普通导线连接；所述第二电极前部分与激光芯片的正极连接，后部分与另一根普通导线连接。
优选地，所述金属底座上设有四个通孔。
优选地，所述金属底座上还设有光纤固定套管，所述光纤固定套管固定在金属底座上、且与激光芯片的发光方向对应。
由于采用了上述方案，本实用新型将原来的金属外壳的环框与底座分离，用陶瓷封盖将环框与顶盖进行一体化设计，用表面金属化陶瓷电极片代替金属引线和绝缘玻璃；加以高强度密封剂，取代电阻平行封焊；在保证可靠性的同时，显著降低了生产成本，有利于半导体激光器在更多行业的广泛推广及应用。
附图说明
图1为本实用新型实施例的带光纤输出模块的结构示意图；
图2为本实用新型实施例的非光纤输出模块的结构侧视图；
图3为本实用新型实施例的非光纤输出模块的结构后视图；
其中：1、金属底座；2、一体化陶瓷封盖；3、第一电极；4、第二电极；5、通孔；6、光纤固定套管；7、表面金属化陶瓷电极片；8、光学窗口。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
如图1所示，本实用新型提供的一种新型高功率半导体激光器，它包括金属底座1、一体化陶瓷封盖2，一体化陶瓷封盖2的前侧面设有安装槽；一体化陶瓷封盖2的开口朝下，倒扣在金属底座1上；金属底座1上设有激光芯片(设在一体化陶瓷封盖2内部，图中未示出)和表面金属化陶瓷电极片7；激光芯片和表面金属化陶瓷电极片7焊接在金属底座1上；表面金属化陶瓷电极片7的正面设置有第一电极3和第二电极4；第一电极3的前部分与激光芯片的负极连接，后部分与一根普通导线连接，第二电极4的前部分与激光芯片的正极连接，后部分与另一根普通导线连接。金属底座1上设有四个通孔5，起安装固定的作用；金属底座1上还设有光纤固定套管6，光纤固定套管6固定在金属底座1上、且与激光芯片的发光方向对应。
具体实施中，分为两种情况：
1)非光纤输出模块
一体化陶瓷封盖2开口朝下，集成了原有环框、顶盖及光学窗口8安装槽的功能，完成与光学窗口8装配后形成装配体A(图中未示出)；金属底座1上设定四个通孔5用于整个激光器的安装固定；表面金属化陶瓷电极片7的正面设置两个电极，第一电极3的前部分与激光芯片的负极连接，后部分与一根普通导线连接，第二电极4的前部分与激光芯片的正极连接，后部分与另一根普通导线连接实现驱动电流的输送功能；表面金属化陶瓷电极片7的背面设置一个区域与金属底座1焊接在一起，形成装配体B(图中未示出)；将装备体A和B组装在一起即完成激光器封装。
2)带光纤输出模块
金属底座1上设定四个通孔5用于整个激光器的安装固定；表面金属化陶瓷电极片7的正面设置两个电极，第一电极3前部分与激光芯片的负极连接，后部分与一根普通导线连接；第二电极4的前部分与激光芯片的正极连接，后部分与另一根普通导线连接实现驱动电流的输送功能；表面金属化陶 瓷电极片7的背面设置一个区域与金属底座1焊接在一起；光纤固定套管6固定在金属底座1上与激光芯片的发光方向对应，通过耦合工艺将光纤固定在光纤固定套管6上，最终形成一个装配体A(图中未示出)；一体化陶瓷封盖2开口朝下，集成了环框和顶盖功能，前壁开口，与装配体A组合在一起即完成激光器封装。
将原来的金属外壳的环框与底座分离，用一体化陶瓷封盖2将环框与顶盖进行一体化设计，用表面金属化陶瓷电极片7代替金属引线和绝缘玻璃；加以高强度密封剂，取代电阻平行封焊；在保证可靠性的同时，显著降低了生产成本，有利于半导体激光器在更多行业的广泛推广及应用。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种新型高功率半导体激光器，其特征在于，它包括金属底座、一体化陶瓷封盖，所述一体化陶瓷封盖的前侧面设有安装槽；所述一体化陶瓷封盖的开口朝下，倒扣在金属底座上；所述金属底座上设有激光芯片和表面金属化陶瓷电极片；所述激光芯片和表面金属化陶瓷电极片焊接在金属底座上。
2.如权利要求1所述的新型高功率半导体激光器，其特征在于，所述表面金属化陶瓷电极片的正面设置有第一电极和第二电极，所述第一电极的前部分与激光芯片的负极连接，后部分与一根普通导线连接；所述第二电极前部分与激光芯片的正极连接，后部分与另一根普通导线连接。
3.如权利要求1所述的新型高功率半导体激光器，其特征在于，所述金属底座上设有四个通孔。
4.如权利要求1或3所述的新型高功率半导体激光器，其特征在于，所述金属底座上还设有光纤固定套管，所述光纤固定套管固定在金属底座上、且与激光芯片的发光方向对应。
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| CN 201320000113 CN203071395U (zh) | 2013-01-04 | 2013-01-04 | 一种新型高功率半导体激光器 |
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| CN 201320000113 CN203071395U (zh) | 2013-01-04 | 2013-01-04 | 一种新型高功率半导体激光器 |
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| CN (1) | CN203071395U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105914579A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-08-31 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种小体积的半导体激光器 |
| CN105914583A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-08-31 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种串联的半导体激光器组 |
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- 2013-01-04 CN CN 201320000113 patent/CN203071395U/zh not_active Expired - Fee Related
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