CN202865346U - 一种改善刻蚀水膜均匀度的装置 - Google Patents

一种改善刻蚀水膜均匀度的装置 Download PDF

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蔡晓晨
刘洪伟
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Abstract

本实用新型公开了一种改善刻蚀水膜均匀度的装置，该装置包括传送带、塑胶辊和电机，所述塑胶辊设置在传送带上方，塑胶辊两端设有支架，所述电机设置在所述塑胶辊的一端用于驱动塑胶辊转动。本实用新型结构简单，设置在喷水器后，可以使水膜均匀得覆盖在硅片表面，改善水膜均匀度，进而避免硅片边缘过刻。

Description

一种改善刻蚀水膜均匀度的装置
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能刻蚀过程中的装置，特别是改善刻蚀水膜均匀度的装置。
背景技术
在多晶硅湿法刻蚀中，由于该工艺流程是对于硅片的扩散面进行边缘刻蚀，因而在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径。提高水膜在硅片上覆盖的均匀度，避免因为水膜不均而导致边缘过刻，可以降低电池片的漏电参数。现有技术中，在刻蚀机前端硅片入口处设置喷水器，待刻蚀的硅片在喷上水膜后进入刻蚀机器，但是喷水器喷出的水膜容易在硅片表面形成水滴，而难以均匀得覆盖在硅片表面。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种使水膜均匀地覆盖在硅片表面，改善刻蚀水膜均匀度的装置。
本实用新型的技术方案是这样的：一种改善刻蚀水膜均匀度的装置，其特征在于：该装置包括传送带、塑胶辊和电机，所述塑胶辊设置在传送带上方，塑胶辊两端设有支架，所述电机设置在所述塑胶辊的一端用于驱动塑胶辊转动。
本实用新型所提供的技术方案的优点在于，该装置结构简单，设置在喷水器后，喷水器对待刻蚀的硅片喷水之后，塑料辊压过传送带上的硅片并挤压硅片上的水膜，可以使水膜均匀得覆盖在硅片表面，改善水膜均匀度，进而避免硅片边缘过刻。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为图1的侧视图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为对本实用新型的限定。
请参见图1及图2，改善刻蚀水膜均匀度的装置，该装置包括传送带1、塑胶辊2和电机3，塑胶辊2设置在传送带1上方，塑胶辊2两端设有支架4，电机3设置在所述塑胶辊2的一端用于驱动塑胶辊2转动。该装置结构简单，设置在喷水器后，喷水器对待刻蚀的硅片喷水之后，塑胶辊2压过传送带1上的硅片5并挤压硅片5上的水膜，可以使水膜均匀得覆盖在硅片5表面，改善水膜均匀度，进而避免硅片边缘过刻。

Claims (1)

1.一种改善刻蚀水膜均匀度的装置，其特征在于：该装置包括传送带(1)、塑胶辊(2)和电机(3)，所述塑胶辊(2)设置在传送带(1)上方，塑胶辊(2)两端设有支架(4)，所述电机(3)设置在所述塑胶辊(2)的一端用于驱动塑胶辊(2)转动。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449492A (zh) * 2016-12-15 2017-02-22 常州亿晶光电科技有限公司 刻蚀硅片水膜去水装置
CN106992227A (zh) * 2017-04-20 2017-07-28 通威太阳能（合肥）有限公司 一种太阳能电池板刻蚀水膜工艺

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