CN202816927U - 防止注塑时溢胶的半导体引线框架 - Google Patents
防止注塑时溢胶的半导体引线框架 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及防止注塑时溢胶的半导体引线框架，其结构包括引线框架本体，引线框架本体包括第一平行部、倾斜部和第二平行部，第一平行部的一端连接于倾斜部的一端，倾斜部的另一端连接于第二平行部的一端，第二平行部与倾斜部的连接处开设有直角凹槽。本实用新型的防止注塑时溢胶的半导体引线框架在第二平行部与倾斜部连接处开设有直角凹槽，消除了注塑时引线框架本体与注塑模具配合形成的楔形间隙，有效的避免溢胶发生，其结构简单，容易实现，减少了脱模后的除胶工序，节约了人力及原材料，提高了生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及防止注塑时溢胶的半导体引线框架。
背景技术
随着微电子技术的迅速发展，集成电路复杂度的增加，集成电路具有更小的外形，更高的性能。这就对集成电路塑封引线框架提出了更高的要求，要求引线框架具备更高的电性能，更高的可靠性。
图1至图3所示的是现有技术的引线框架，其中，如图2所示，为引线框架本体1的A-A处的横截面示意图，其横截面有一圆弧过渡。注塑时，该引线框架本体1的圆弧过渡与注塑模具2配合时如图3所示，引线框架本体1和注塑模具2之间有楔形间隙容易导致溢胶的发生。造成产品脱模后，还需要增加除残胶的工序，浪费人力及原材料，生产效率低下。
发明内容
本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种防止注塑时溢胶的半导体引线框架，其结构简单，容易实现，减少生产工序，节约人力及原材料，生产效率高。
本实用新型的目的通过以下技术方案实现：
防止注塑时溢胶的半导体引线框架，包括引线框架本体，引线框架本体包括第一平行部、倾斜部和第二平行部，第一平行部的一端连接于倾斜部的一端，倾斜部的另一端连接于第二平行部的一端，第二平行部与倾斜部的连接处开设有直角凹槽。
进一步，直角凹槽沿第二平行部方向的宽度为0.5mm～1mm。
进一步，直角凹槽沿第二平行部方向的宽度为0.8mm。
进一步，直角凹槽垂直于第二平行部方向的深度为0.1mm～0.3mm。
进一步，直角凹槽垂直于第二平行部方向的深度为0.15mm。
本实用新型的有益效果：
本实用新型的防止注塑时溢胶的半导体引线框架在第二平行部与倾斜部连接处开设有直角凹槽，消除了注塑时引线框架本体与注塑模具配合形成的楔形间隙，有效的避免溢胶发生，其结构简单，容易实现，减少了脱模后的除胶工序，节约了人力及原材料，提高了生产效率。
附图说明
利用附图对本实用新型做进一步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。
图1是现有的半导体引线框架的主视图；
图2是图1的A-A向示意图；
图3是现有的引线框架的圆弧过渡与注塑模具配合示意图；
图4是本实用新型的防止注塑时溢胶的半导体引线框架主视图；
图5图4的B-B向示意图。
图6是本实用新型的引线框架与注塑模具配合示意图；
在图1至图6中包括有：
1——引线框架本体；
2——第一平行部；
3——倾斜部；
4——第二平行部；
5——注塑模具；
6——直角凹槽；
7——楔形间隙。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步说明。
本实用新型所述的防止注塑时溢胶的半导体引线框架，如图4至图6所示，包括引线框架本体1，引线框架本体包括第一平行部2、倾斜部3和第二平行部4，第一平行部2的一端连接于倾斜部3的一端，倾斜部3的另一端连接于第二平行部4的一端，第二平行部4与倾斜部3的连接处开设有直角凹槽6。
具体的，本实用新型在第二平行部与倾斜部连接处开设有直角凹槽6，消除了注塑时引线框架本体1与注塑模具5配合形成的如图3所示的楔形间7，将顺滑过度变为不顺滑过度，增大了胶体阻力，有效的避免溢胶发生，其结构简单，容易实现，减少了脱模后的除胶工序，节约了人力及原材料，提高了生产效率。
直角凹槽6沿第二平行部4方向的宽度为0.8mm。
直角凹槽6垂直于第二平行部4方向的深度为0.15mm。保证直角凹槽有一定的深度，避免形成顺滑过度。
最后应说明的是：以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.防止注塑时溢胶的半导体引线框架，包括引线框架本体，其特征在于：所述引线框架本体包括第一平行部、倾斜部和第二平行部，所述第一平行部的一端连接于所述倾斜部的一端，所述倾斜部的另一端连接于第二平行部的一端，所述第二平行部与倾斜部的连接处开设有直角凹槽。
2.根据权利要求1所述的防止注塑时溢胶的半导体引线框架，其特征在于：所述直角凹槽沿第二平行部方向的宽度为0.5mm～1mm。
3.根据权利要求2所述的防止注塑时溢胶的半导体引线框架，其特征在于：所述直角凹槽沿第二平行部方向的宽度为0.8mm。
4.根据权利要求1所述的防止注塑时溢胶的半导体引线框架，其特征在于：所述直角凹槽垂直于第二平行部方向的深度为0.1mm～0.3mm。
5.根据权利要求4所述的防止注塑时溢胶的半导体引线框架，其特征在于：所述直角凹槽垂直于第二平行部方向的深度为0.15mm。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN102931160A (zh) * | 2012-11-02 | 2013-02-13 | 敦南微电子（无锡）有限公司 | 半导体器件去除残胶的平脚结构 |
| CN103474409A (zh) * | 2013-09-11 | 2013-12-25 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种高密度的分离器件用引线框架设计的排列方法 |
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2012
- 2012-08-31 CN CN201220440692.8U patent/CN202816927U/zh not_active Expired - Lifetime
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