CN202506164U - 一种大颗粒结晶设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大颗粒结晶设备,它包括槽体(1)、过饱和母液进料口(2)、饱和母液溢流口(3)、大颗粒晶体出料口(4)和排污口(5);过饱和母液进料口(2)沿切线方向安装在槽体(1)上;饱和母液溢流口(3)与过饱和母液进料口(2)安装高差大于1500mm;过饱和母液进料口(2)与大颗粒晶体出料口(4)安装高差大于100mm。本实用新型结晶设备结构简单,减少结晶过程中二次成核,保证晶体稳定生长,利用流体动力搅拌,节约能源,操作简单,母液处理量小,维护、清理方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及化工设备领域,具体来说涉及一种结晶过程结晶设备。
背景技术
在产品结晶过程过程中,晶体是否稳定生长直接影响产品质量和产量。现有的结晶设备主要是在结晶槽内进行冷却换热,换热面积有限,换热器壁容易结垢,;由于搅拌器的存在,容易造成晶体二次成核使产品晶体颗粒大小不均;生产过程母液处理量大;设备结构复杂、清理难度大等不足。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述缺点而提供的一种结晶效果好、节能、便于清理的结晶设备。
本实用新型的大颗粒结晶设备,它包括槽体、过饱和母液进料口、饱和母液溢流口、大颗粒晶体出料口和排污口;过饱和母液进料口沿切线方向安装在槽体上。
上述的大颗粒结晶设备,其中:母液溢流口与过饱和饱和母液进料口安装高差大于1500mm;过饱和母液进料口与大颗粒晶体出料口安装高差大于100mm。
本实用新型使用时,过饱和母液从过饱和母液进料口沿切线方向进入槽体内,利用流体动力搅拌,不另外增加搅拌器,节能效果显著;饱和母液溢流口与过饱和母液进料口安装高差大于1500mm,利于晶体稳定成长,大颗粒结晶靠重力作用下沉,保证大颗粒晶体出料口出来的晶体全部为大颗粒,满足高品质产品需要;过饱和母液进料口与大颗粒晶体出料口安装高差大于100mm,避免过饱和母液中细微晶体排出;取消在结晶设备内换热,避免了结晶器结垢问题,使结晶设备能长周期运行,大幅提升产能;本大颗粒结晶设备采用母液循环使用,减少生产过程中的母液处理量。
本实用新型与现有技术相比,具有明显的有益效果。从以上技术方案可知,本实用新型因采用过饱和母液进料口沿切线方向安装在槽体上,充分利用流体动力进行搅拌,取消搅拌器,节能效果显著;饱和母液溢流口与过饱和母液进料口安装高差大于1500mm,保证了晶体稳定生长,保证产品质量;结晶器内不进行换热,换热设备利用普通的列管式换热器,槽内不存在结垢问题,避免了结晶器结垢清理,大幅提升产能;母液循环使用,减少生产过程中的母液处理量。此外,本实用新型设备结构简单,操作简单,便于清理,性能可靠。
附图说明
图1为实用新型设备结构示意图;
图2为实用新型设备结构示意图
1、槽体,2、过饱和母液进料口,3、饱和母液溢流口,4、大颗粒晶体出料口,5、排污口。
具体实施方式
以下结合附图,对依据本实用新型提出的大颗粒结晶设备具体实施方式作进一步说明:
实施例1
本实用新型的大颗粒结晶设备,它包括槽体1,过饱和母液进料口2,饱和母液溢流口3,大颗粒晶体出料口4和排污口5;过饱和母液进料口2沿切线方向安装在槽体1上。饱和母液溢流口3与过饱和母液进料口2安装高差为1500mm。过饱和母液进料口2与大颗粒晶体出料口4安装高差为120mm。
实施例2
本实用新型的大颗粒结晶设备,它包括槽体1,过饱和母液进料口2,饱和母液溢流口3,大颗粒晶体出料口4和排污口5;过饱和母液进料口2沿切线方向安装在槽体1上。饱和母液溢流口3与过饱和母液进料口2安装高差为1500mm。过饱和母液进料口2与大颗粒晶体出料口4安装高差为100mm。
实施例3
本实用新型的大颗粒结晶设备,它包括槽体1,过饱和母液进料口2,饱和母液溢流口3,大颗粒晶体出料口4和排污口5;过饱和母液进料口2沿切线方向安装在槽体1上。饱和母液溢流口3与过饱和母液进料口2安装高差为1550mm。过饱和母液进料口2与大颗粒晶体出料口4安装高差为100mm。
实施例4
本实用新型的大颗粒结晶设备,它包括槽体1,过饱和母液进料口2,饱和母液溢流口3,大颗粒晶体出料口4和排污口5;过饱和母液进料口2沿切线方向安装在槽体1上。饱和母液溢流口3与过饱和母液进料口2安装高差为1580mm。过饱和母液进料口2与大颗粒晶体出料口4安装高差为110mm。
Claims (3)
1.一种大颗粒结晶设备,其特征在于:它包括槽体(1)、过饱和母液进料口(2)、饱和母液溢流口(3)、大颗粒晶体出料口(4)和排污口(5);其中,过饱和母液进料口(2)沿切线方向安装在槽体(1)上。
2.如权利要求1所述的一种大颗粒结晶设备,其特征在于:饱和母液溢流口(3)与过饱和母液进料口(2)安装高差大于1500mm。
3.如权利要求1所述的一种大颗粒结晶设备,其特征在于:过饱和母液进料口(2)与大颗粒晶体出料口(4)安装高差大于100mm。
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CN2012201686202U CN202506164U (zh) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 一种大颗粒结晶设备 |
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Publications (1)
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2012
- 2012-04-20 CN CN2012201686202U patent/CN202506164U/zh not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
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Granted publication date: 20121031 |
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