CN202240181U - 三层金属复合焊片 - Google Patents

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徐怀建
熊盛阳
官岩
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邬文浩
赵彦飞
林雄辉
武斌
孙勇
吴立强
李艳如
王腾研
刘海龙
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Abstract

本实用新型涉及一种应用于微电子封装技术的三层金属复合焊片，该复合焊片由三层金属结构复合构成，第一层和第三层均为银铜锡合金片，第二层为熔接设置在第一层银铜锡合金片和第三层银铜锡合金片之间的银片，银片分别与第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的接合面相互熔接在一起。本实用新型所述的金属复合焊片用于玻璃封装二极管的芯片焊接，和微电子元件、半导体芯片与引线端之间的焊接，焊接牢固，提高了微电子元件封装的可靠性。

Description

三层金属复合焊片
技术领域
本实用新型涉及微电子封装技术领域，更具体地说，涉及一种用于将电子元件、半导体芯片与引线端焊接在一起的金属复合焊片。
背景技术
现有技术中，诸如半导体芯片的微电子元件与引线端的连接大都采用压接方式连接，这种结构不能保证接触的可靠性，不适用于具有较高可靠等级的产品的微电子封装。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有高可靠性的三层金属复合焊片，以克服现有技术中存在的微电子元件与引线端接触不可靠的缺陷。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：
一种三层金属复合焊片，由三层金属结构复合构成，第一层和第三层均为银铜锡合金片，第二层为熔接设置在所述第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片之间的银片，所述银片分别与第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的接合面相互熔接在一起。
进一步地，所述第二层的银片的厚度为20～25微米。
进一步地，所述第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的厚度均为10～12.5微米。
本实用新型所述的金属复合焊片用于玻璃封装二极管的芯片焊接，以及微电子元件、半导体芯片与引线端之间的焊接，其焊接牢固，结构简单合理，提高了微电子元件封装的可靠性，适用于具有较高可靠等级的产品的封装。 
附图说明
图1为本实用新型侧面剖视图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、银片，2、银铜锡合金片。 
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，本实用新型实施例所述的三层金属复合焊片，由三层金属结构复合构成，第一层(外表层)和第三层(外表层)均为银铜锡合金片2，第二层（中间层）为熔接设置在所述第一层的银铜锡合金片2和第三层的银铜锡合金片2之间的银片1，所述银片1分别与第一层的银铜锡合金片2和第三层的银铜锡合金片2的接合面相互熔接在一起。所述第二层的银片1的厚度为20～25μm。所述第一层的银铜锡合金片2和第三层的银铜锡合金片2的厚度均为10～12.5μm。上下两层银铜锡合金片2的厚度之和约等于中间银片1的厚度。在制造该焊片的过程中，操作人员可通过调整银铜锡合金片2中三种金属的混合比例来控制它的熔化温度。
本实用新型所述的金属复合焊片在玻璃封装二极管的芯片焊接，以及微电子元件、半导体芯片与引线端之间的焊接时，焊接牢固，提高了微电子元件封装的可靠性，适用于具有较高可靠等级的产品的封装。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种三层金属复合焊片，其特征在于：由三层金属结构复合构成，第一层和第三层均为银铜锡合金片，第二层为熔接设置在所述第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片之间的银片，所述银片分别与第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的接合面相互熔接在一起。
2.根据权利要求1所述的三层金属复合焊片，其特征在于：所述银片的厚度为20～25微米。
3.根据权利要求1所述的三层金属复合焊片，其特征在于：所述第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的厚度均为10～12.5微米。
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Cited By (5)

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CN115302123A (zh) * 2022-08-29 2022-11-08 大连理工大学 可低温焊接的高可靠性复合钎料片、制备方法及其应用

Cited By (8)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104835796A (zh) * 2015-05-07 2015-08-12 嘉兴斯达微电子有限公司 一种无铅扩散焊的功率模块
CN109175772A (zh) * 2018-09-14 2019-01-11 中国科学院电工研究所 一种Cu@Ni@Sn预成型焊片及其制备方法
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