CN202150475U - 基板表面处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种基板处理装置，尤指一种基板表面处理装置，其包括有：多个输送滚筒，各输送滚筒分别间隔排列；及至少一涂布器，各涂布器分别设置于各输送滚筒之间，各涂布器设有至少一出液口，而可涌出蚀刻液；其中，该多个涂布器的顶端低于该多个输送滚筒的顶端，以利该多个输送滚筒可传送至少一基板，且各基板的下表面可接触涂布器涌出的蚀刻液。由此不仅可有效排除蚀刻过程中所产生的气泡以提升蚀刻品质，更可持续提供浓度均匀的蚀刻液而有效控制蚀刻效率。

Description

基板表面处理装置

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，特别涉及一种基板表面处理装置。不仅可有效排除蚀刻过程中所产生的气泡以提升蚀刻品质，更可持续提供浓度均匀的蚀刻液而有效控制蚀刻效率。

背景技术

地球资源逐渐耗竭，全球原油价格不断举升，再加上环保意识高涨，未来如何因应人类对能源的依赖，并兼顾爱护地球的宗旨，致使世界各大厂商纷纷积极投太阳能电池产业的发展。相较半导体产业而言，虽然太阳能电池产业的技术层面或资金的进入门槛不高，但是相对于传统发电方式，太阳能电池制造成本明显偏高。为此，如何降低太阳能电池的制造成本，以符合社会大众的使用需求，即成为太阳能电池发展的重要课题之一。

在太阳能电池的制造过程中，蚀刻制程是不可或缺的必要制程，蚀刻制程可区分成干式蚀刻及湿式蚀刻两类；其中，湿式蚀刻凭借液态化学品和固态基板之间的化学反应，而移除基板表面上材料的方法，也是最快且最具成本效益的方法，已广为业界使用，诸如：氧化层的去除，晶圆磨削后的应力消除、晶圆减薄以及表面粗化等等。

湿式蚀刻又可区分成单面蚀刻及双面蚀刻两种。其中，传统的单面蚀刻方式，通常先执行一保护膜涂布制程，亦即在基板的单一表面涂布光阻剂或者黏贴抗蚀刻的保护膜，再进行基板另一表面的湿式蚀刻制程，的后再执行去除保护膜的制程。换言之，传统为达单面蚀刻的目的，必需要执行至少三道制程，而无法以单一制程完成单面蚀刻的目的，况且在去除保护膜的过程亦常误损基板，因而增加制造成本及其制造工时。

为此，另有业者发展出如图13所示的单面蚀刻装置20，如图所示：该单面蚀刻装置20包括有：一液槽21，其用以容置大量的蚀刻液；多个输送滚筒23，其精准定位而架设于该液槽23内，且各输送滚筒23接触该液槽21内的蚀刻液，致使该多个输送滚筒23在传输一晶圆25时，该晶圆25的下表面251可以经由该多个输送滚筒23而接触到蚀刻液，以达到单面蚀刻的目的。

换言之，其通过调整液槽21内所容置蚀刻液的液面高度，使得蚀刻液可以临近该晶圆25的下表面251，而达到晶圆25单面蚀刻的效果。当然，若能精准控制液槽21内蚀刻液的液面高度，以使蚀刻液可以顺利直接接触到晶圆25的下表面251，则晶圆25的蚀刻效果必能达到生产的要求。

然而，前述让晶圆25直接接触蚀刻液方式乃是理论说法，因为在实际实施时，为了传输晶圆25通过液槽21，该多个输送滚筒23必须在液槽21内持续进行机械式转动，由于动力作用致使蚀刻液的液平面必定呈现扰动的波浪态样，而无法确实稳定地控制在一个固定的液平面。此外，晶圆25的厚度很薄而通常只有180±20um，因此蚀刻液的液平面稍略突起，蚀刻液便浸溢至该传送中的晶圆25的上表面253，而无法达成晶圆25单面蚀刻的需求。

此外，在蚀刻制程的化学反应过程中，将自然产生气泡及化学生成物。其中，气泡会群聚在液槽21的液平面上无法适时排除，尤其是在输送滚筒23突出于蚀刻液面的附近，更有机会随着输送滚筒23而沾附到晶圆25的下表面251，由于气泡是阻碍晶圆25与蚀刻液接触的屏障，因而直接影响晶圆25的蚀刻效果；再加上若气泡爆破时，部分蚀刻液会飞溅至晶圆25的上表面253，将于晶圆25的上表面253形成蚀刻痕(Eaching Mark)也将影响晶圆25的蚀刻品质。

此外，随着晶圆25连续地传输通过液槽21进行蚀刻制程，其化学生成物将累积于液槽21内，因而改变了蚀刻液的浓度，进而影响蚀刻效果。当然，使用者可以再补充注入蚀刻液以维持该液槽21内的蚀刻液浓度，但是在实际实施上，该立体的液槽21内所容置的蚀刻液体积非常庞大，虽可依自然扩散的方式达到蚀刻液浓度均匀的目的，但自然扩散仍需耗费相当的工时。亦即，液槽21内蚀刻液的置换率低，若企图通过搅拌或者增加蚀刻液的注入量等方式来提高蚀刻液置换率，则更需考量该搅拌作用或是增加注入量的方式，是否会造成液平面的扰动而造成晶圆25蚀刻品质效果的影响，换言之，现有的单面蚀刻装置20有其使用上的限制。

为此，如何针对上述现有单面蚀刻装置所存在的缺点进行研发改良，以有效降低生产成本，增进其产业使用功效，实为相关业界所需努力研发的目标。

发明内容

为了改善上述现有技术中未符使用需求之处本实用新型的主要目的在于提供一种基板表面处理装置，将涂布器分别设置于各输送滚筒之间，而可对基板持续提供浓度均匀的蚀刻液，进而可有效提升蚀刻效率及品质。

本实用新型的次要目的在于提供一种基板表面处理装置，将涂布器分别设置于各输送滚筒之间，且各涂布器可分别与一吸取器相组配，以吸取自涂布器涌出的蚀刻液，而可有效控制涌出的蚀刻液高度，更可增加蚀刻液相对基板的流速，进而可提升蚀刻效率。

本实用新型的又一目的在于提供一种基板表面处理装置，于各输送滚筒之间配置有涂布器，可自涂布器涌出蚀刻液以接触基板的下表面，并将蚀刻生成物及气泡带离基板，以有效提升蚀刻品质。

本实用新型的又一目的在于提供一种基板表面处理装置，将涂布器邻设于其对应的输送滚筒，而与其形成一积液空间，以汇积蚀刻液，而有助基板接触蚀刻液，进而有效提升蚀刻效率。

为达上述目的，本实用新型提供一种基板表面处理装置，其主要包括有：

多个输送滚筒，各输送滚筒分别间隔排列；及

至少一涂布器，各涂布器分别设置于其对应的输送滚筒之间，且各涂布器设有至少一出液口，而用于涌出蚀刻液；

其中，该多个涂布器的顶端低于该多个输送滚筒的顶端，以利该多个输送滚筒能够传送至少一基板，且各基板的下表面能够接触涂布器涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该出液口为线状、孔状及其组合的其中之一。

所述的基板表面处理装置，其中，该基板直接接触该涂布器所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该输送滚筒沾附由涂布器所涌出的蚀刻液后，使该基板经由该输送滚筒而间接接触蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该涂布器邻设于其对应的输送滚筒，而与输送滚筒形成一积液空间，以汇积蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有至少一吸取器，各吸取器分别与对应的涂布器相组配，以吸取自该涂布器所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该吸取器与其对应的涂布器为一体成形。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有一承漏盘，其设于该基板表面处理装置的下方，而用于承接自该出液口所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有至少一节流器，以调整该多个涂布器涌出量。

所述的基板表面处理装置，其中，该多个输送滚筒以逐渐升高方式排列，而在基板传送过程中，该多个基板相对涂布器的高度逐渐增加。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有一供液装置，其设有一泵，而用于汲取该承漏盘内的蚀刻液，再将蚀刻液供给至涂布器。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有一过滤器，其用以过滤来自该承漏盘的蚀刻液。

本实用新型还提供一种基板表面处理装置，其主要包括有：

多个输送滚筒，该多个输送滚筒分别突设有多个环状凸缘，而各输送滚筒分别间隔排列；及

至少一涂布器，各涂布器分别设置于其对应的输送滚筒之间，且各涂布器设有至少一出液口，而用于涌出蚀刻液，且该出液口为线状、孔状及其组合的其中之一；

其中，该多个涂布器的顶端低于该多个环状凸缘的顶端，以利该多个输送滚筒能够经由环状凸缘传送至少一基板，且各基板的下表面能够接触涂布器涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该多个环状凸缘用于沾附由涂布器所涌出的蚀刻液，以使该基板经由该多个环状凸缘而间接接触该涂布器所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该多个环状凸缘以至少两个为一组的方式设置，而形成一汲液空间，以使该基板经由该环状凸缘及该汲液空间的其中之一，而间接接触该涂布器所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该涂布器邻近于其对应的输送滚筒，而与输送滚筒、环状凸缘及其组合式的其中之一，形成一积液空间，以汇积蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有至少一吸取器，各吸取器能够分别与对应的涂布器相组配，以吸取自该涂布器所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，该吸取器与其对应的涂布器为一体成形。

所述的基板表面处理装置，其中，该多个涂布器对应该环状凸缘的位置设有一凹槽。

所述的基板表面处理装置，其中，该多个输送滚筒以逐渐升高方式排列，而在基板传送过程中，该多个基板相对涂布器的高度逐渐增加。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有一承漏盘，其设于该基板表面处理装置的下方，而用于承接自该出液口所涌出的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有一供液装置，其设有一泵，而能够汲取该承漏盘内的蚀刻液，再将蚀刻液供给至涂布器。

所述的基板表面处理装置，其中，尚包括有一过滤器，其用以过滤来自该承漏盘的蚀刻液。

所述的基板表面处理装置，其中，涂布器的两侧边分别设置一挡板，以与输送滚筒相互形成该积液空间。

所述的基板表面处理装置，其中，涂布器的两侧边分别设置一挡板，而与输送滚筒、环状凸缘及其组合式的其中之一，形成该积液空间。

附图说明

图1为本实用新型实施例的基板表面处理装置的示意图；

图2A、图2B及图2C分别为本实用新型实施例涂布器的不同态样出液口的示意图；

图3为本实用新型另一实施例中涂布器相对输送滚筒的位置示意图；

图4为本实用新型又一实施例中涂布器相对输送滚筒的位置示意图；

图5为本实用新型又一实施例中涂布器相对输送滚筒的位置示意图；

图6为本实用新型又一实施例中设有吸取器的涂布器相对输送滚筒的位置示意图；

图7为本实用新型又一实施例中设有吸取器的涂布器相对输送滚筒的位置示意图；

图8为本实用新型又一实施例中设有环状凸缘的输送滚筒相对涂布器的位置示意图；

图9为本实用新型又一实施例中输送滚筒设有多个环状凸缘的示意图；

图10为本实用新型又一实施例中设有环状凸缘的输送滚筒相对涂布器的位置示意图；

图11为本实用新型又一实施例中设有环状凸缘的输送滚筒相对设有吸取器的涂布器的位置示意图；

图12为本实用新型又一实施例的输送滚筒排列方式相对涂布器的位置示意图；

图13为现有单面蚀刻装置的示意图；

图14为本实用新型又一实施例中设有挡板的涂布器相对输送滚筒的示意图。

附图标记说明：10-基板表面处理装置；101-基板；103-下表面；105-上表面；11-输送滚筒；111-顶面；13-涂布器；131-出液口；133-出液口；135-顶面；14-供液装置；141-泵；143-过滤器；15-承漏盘；17-节流器；20-单面蚀刻装置；21-液槽；23-输送滚筒；25-晶圆；251-下表面；253-上表面；31-输送滚筒；33-涂布器；41-输送滚筒；43-涂布器；51-输送滚筒；53-涂布器；533-挡板；54-积液空间；61-输送滚筒；63-涂布器；631-吸取器；71-输送滚筒；73-涂布器；731-吸取器；74-积液空间；81-输送滚筒；811-环状凸缘；813-顶端；83-涂布器；835-顶端；84-积液空间；85-输送滚筒；851-环状凸缘；87-涂布器；871-吸取器；873-凹槽；91-输送滚筒；911-环状凸缘；914-汲液空间；95-输送滚筒；97-涂布器。

具体实施方式

首先，请参阅图1，其为本实用新型一种基板表面处理装置的示意图，如图所示，基板表面处理装置10其主要包括有：多个输送滚筒11，各输送滚筒11分别间隔排列；及一涂布器13，涂布器13设置于其对应的输送滚筒11之间，且涂布器13设有至少一出液口(如图2A～图2C的131、133所示)，而可涌出蚀刻液；其中，该涂布器13的顶端135低于该多个输送滚筒11的顶端111，以利该多个输送滚筒11可传送至少一基板101，且各基板101的下表面103可接触涂布器13涌出的蚀刻液。

其中该涂布器13的宽度大于基板101的宽度，而在该多个输送滚筒11传送基板101越过涂布器13时，该基板101的下表面103对应涂布器13的位置能接触涂布器13涌出的蚀刻液，而以扫描方式令基板101自前端至后端循序沾附蚀刻液，进而达到基板101的整体下表面103蚀刻的目的。

此外，使用者得依需求而设置多个涂布器13，并将涂布器13分别设置于各输送滚筒11之间，进而让基板101的下表面103能多次沾附蚀刻液，以加强蚀刻效果。

当然，该基板表面处理装置10设有一承漏盘15，且该承漏盘15安置于该基板表面处理装置10的下方，而可承接由该多个涂布器13的出液口(如图2A～图2C的131、133所示)所涌出的蚀刻液。此外，基板表面处理装置尚包括一供液装置14，其设有一泵141，而可汲取该承漏盘15内的蚀刻液，并经由一过滤器143的作用后，再将蚀刻液供给至该涂布器13。如此，不仅可经由涂布器13对基板101持续提供浓度均匀的蚀刻液，而有效提升蚀刻效率，更可凭借涌出的蚀刻液带离蚀刻过程所产生的气泡或蚀刻生成物，进而改善蚀刻品质。

再者，各个涂布器13的出液口(131、133)其外形可为线状的态样(如图2A所示)、孔状的态样(如图2B)或线状及孔状的组合态样(如图2C所示)。由此可配合蚀刻液流量的控制，以令涂布器13能稳定且均匀地涌出蚀刻液。当然，各涂布器13配置有一节流器17，以进一步地调整控制涂布器13的涌出量，以避免管线配置的压损，而对涂布器13的涌出高度造成影响。

接续，请参阅图3，其为本实用新型另一实施例中涂布器相对输送滚筒的位置示意图；如图所示：各涂布器33分别设置于该多个输送滚筒31之间，通过适当调整涂布器33相对输送滚筒31的高度差，或适当控制涂布器33的涌出量，而可令该多个输送滚筒31所输送的基板101可以直接接触蚀刻液。

此外，请参阅图4，其为本实用新型又一实施例中涂布器相对输送滚筒的位置示意图；如图所示：各涂布器43邻设于对应的输送滚筒41，且改变涂布器43的角度或位置高度，以使输送滚筒41可沾附由涂布器43所涌出的蚀刻液，使得基板101经由该多个输送滚筒41而间接接触蚀刻液。

此外，请参阅图5，其为本实用新型又一实施例中涂布器相对输送滚筒的位置示意图；如图所示：该涂布器53邻设于对应的输送滚筒51，且二者相互组配而形成一积液空间54，进而可汇积蚀刻液。由于输送滚筒51与涂布器53彼此之间尚有组配间隙，致使蚀刻液不仅可由积液空间54涌出，亦少量地由组配间隙流逝，然其流逝量相对积液空间54的涌出量尚属轻微，此外，亦可于涂布器53的两侧边分别设置一挡板(如图14所示的533)而形成单一向上开口的积液空间54，以减少其流逝量而增加其积液能力。如此，基板101不仅可直接接触自积液空间54溢流出的蚀刻液，且蚀刻液更可透过输送滚筒51而间接接触基板101，以增加基板101接触蚀刻液的机会，进而有效提升蚀刻效率。

请参阅图6，其为本实用新型又一实施例中设涂布器相对输送滚筒的位置示意图；如图所示：其主要与图3相同，然而，该多个涂布器63分别对应有一吸取器631，以吸取自该涂布器63所涌出的蚀刻液，由此，使用者可增加涂布器63的涌出量，再透过吸取器631的调节，而不仅可有效控制涂布器63涌出蚀刻液的高度，更可增加蚀刻液相对基板101的流速，进而可提升蚀刻效率。而该吸取器631的高度略低于该多个输送滚筒61，以利输送滚筒传送基板101。

请参阅图7，其为本实用新型又一实施例中设有吸取器的涂布器相对输送滚筒的位置示意图；如图所示：其主要是与图5相同，然而，该积液空间74由涂布器73与其对应的吸取器731及输送滚筒71所共同组配而成，而可凭借该吸取器731的作用而调节该积液空间74汇积蚀刻液的能力及该积液空间74内蚀刻液的置换率，以利蚀刻液可直接接触基板101的下表面103。

当然，使用者亦可改变输送滚筒71相对涂布器73或吸取器731的相对位置，以令基板101经由输送滚筒71而间接接触积液空间74所流出的蚀刻液；亦即输送滚筒71相对涂布器73的位置系如第4图所示的态样，然而，该涂布器73再与组配该吸取器731。

另外，请参阅图8，其为本实用新型又一实施例中设有环状凸缘的输送滚筒相对涂布器的位置示意图；如图所示：该多个输送滚筒81分别突设有多个环状凸缘811，而该输送滚筒81可运用于如图1所示的基板表面处理装置10，且各构件的组配关系均与图1对应的说明描述相同，在此不再赘述。然而，该涂布器83的顶端835低于该多个环状凸缘811的顶端813，而有一高度差H，以利该多个输送滚筒81可经由环状凸缘811传送至少一基板101，且各基板101的下表面103可接触涂布器83涌出蚀刻液。

此外，使用者得依需求而设置多个涂布器83，并将涂布器83分别设置于各输送滚筒81之间，进而让基板101的下表面103能多次沾附蚀刻液，以加强蚀刻效果。

当然，使用者亦可改变涂布器43相对输送滚筒81的相对位置，而如图4所示的态样，以使基板101可经由该多个环状凸缘811而接触蚀刻液。虽基板101与环状凸缘811呈点接触的态样，然而，由于蚀刻液在接触基板101后，凭借蚀刻液的表面张力作用，使得蚀刻液得在基板101的下表面103蔓延。

此外，请参阅图9，其为本实用新型又一实施例中输送滚筒设有多个环状凸缘的示意图；如图所示，该多个环状凸缘911以两个为一组的方式而设置于该输送滚筒91，且于两两环状凸缘911之间形成一汲液空间914，以使该基板101经由该环状凸缘911或该汲液空间914，而间接接触蚀刻液。

请参阅图10，其为本实用新型另一实施例中设有环状凸缘的输送滚筒相对涂布器的位置示意图；如图所示：其主要与图5相同，然而，该多个输送滚筒85设有多个环状凸缘851，且该涂布器87邻近于其对应的输送滚筒85，而与输送滚筒85或环状凸缘851共同形成积液空间84，以汇积蚀刻液。当然，该多个涂布器87对应该环状凸缘851的位置设有一凹槽873，以减少涂布器87与输送滚筒85及环状凸缘851的组配间隙，进而有助于积液空间84对蚀刻液的汇积能力。同时，亦可于该涂布器87的两侧边分别设置挡板(如图14所示挡板533与涂布器53组配的态样)而与输送滚筒85或环状凸缘851形成单一向上开口的积液空间84，以减少其流逝量而增加其积液能力。另外，使用者亦可加设吸取器871以与对应的涂布器87相组配，而如图11所示的态样。

最后，请参阅图12，其为本实用新型另一实施例的输送滚筒排列方式相对涂布器的位置示意图；如图所示：该多个输送滚筒95以逐渐升高的方式排列，而在基板101传送过程中，基板101相对涂布器97的高度G逐渐增加，以避免蚀刻过程中，蚀刻液攀附至基板101的上表面105，而造成非预期的不良影响。另，上述的涂布器(63、73、87)及与其相组配的吸取器(631、731、871)为一体成型，而有利于与其他构件的组配作业。且该多个环状凸缘(811、851、911)可为一O形环。该基板101可为硅晶圆。

以上所述仅为本实用新型较佳实施例，并非用以限定本实用新型申请专利权利；同时以上的描述对于相关技术领域具有通常知识者应可明了与实施，因此其他未脱离本实用新型所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含于下述的申请专利范围。

Claims (25)

1.一种基板表面处理装置，其特征在于，主要包括有：

多个输送滚筒，各输送滚筒分别间隔排列；及

至少一涂布器，各涂布器分别设置于其对应的输送滚筒之间，且各涂布器设有至少一出液口，而用于涌出蚀刻液；

其中，该多个涂布器的顶端低于该多个输送滚筒的顶端，以利该多个输送滚筒能够传送至少一基板，且各基板的下表面能够接触涂布器涌出的蚀刻液。

2.如权利要求1所述的基板表面处理装置，其特征在于，该出液口为线状、孔状及其组合的其中之一。

3.如权利要求2所述的基板表面处理装置，其特征在于，该基板直接接触该涂布器所涌出的蚀刻液。

4.如权利要求2所述的基板表面处理装置，其特征在于，该输送滚筒沾附由涂布器所涌出的蚀刻液后，使该基板经由该输送滚筒而间接接触蚀刻液。

5.如权利要求2所述的基板表面处理装置，其特征在于，该涂布器邻设于其对应的输送滚筒，而与输送滚筒形成一积液空间，以汇积蚀刻液。

6.如权利要求3、4或5所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有至少一吸取器，各吸取器分别与对应的涂布器相组配，以吸取自该涂布器所涌出的蚀刻液。

7.如权利要求6所述的基板表面处理装置，其特征在于，该吸取器与其对应的涂布器为一体成形。

8.如权利要求3、4或5所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有一承漏盘，其设于该基板表面处理装置的下方，而用于承接自该出液口所涌出的蚀刻液。

9.如权利要求3、4或5所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有至少一节流器，以调整该多个涂布器涌出量。

10.如权利要求3所述的基板表面处理装置，其特征在于，该多个输送滚筒以逐渐升高方式排列，而在基板传送过程中，该多个基板相对涂布器的高度逐渐增加。

11.如权利要求5所述的基板表面处理装置，其特征在于，涂布器的两侧边分别设置一挡板，以与输送滚筒相互形成该积液空间。 

12.如权利要求8所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有一供液装置，其设有一泵，而用于汲取该承漏盘内的蚀刻液，再将蚀刻液供给至涂布器。

13.如权利要求12所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有一过滤器，其用以过滤来自该承漏盘的蚀刻液。

14.一种基板表面处理装置，其特征在于，主要包括有：

多个输送滚筒，该多个输送滚筒分别突设有多个环状凸缘，而各输送滚筒分别间隔排列；及

至少一涂布器，各涂布器分别设置于其对应的输送滚筒之间，且各涂布器设有至少一出液口，而用于涌出蚀刻液，且该出液口为线状、孔状及其组合的其中之一；

其中，该多个涂布器的顶端低于该多个环状凸缘的顶端，以利该多个输送滚筒能够经由环状凸缘传送至少一基板，且各基板的下表面能够接触涂布器涌出的蚀刻液。

15.如权利要求14所述的基板表面处理装置，其特征在于，该多个环状凸缘用于沾附由涂布器所涌出的蚀刻液，以使该基板经由该多个环状凸缘而间接接触该涂布器所涌出的蚀刻液。

16.如权利要求15所述的基板表面处理装置，其特征在于，该多个环状凸缘以至少两个为一组的方式设置，而形成一汲液空间，以使该基板经由该环状凸缘及该汲液空间的其中之一，而间接接触该涂布器所涌出的蚀刻液。

17.如权利要求15或16所述的基板表面处理装置，其特征在于，该涂布器邻近于其对应的输送滚筒，而与输送滚筒、环状凸缘及其组合式的其中之一，形成一积液空间，以汇积蚀刻液。

18.如权利要求17所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有至少一吸取器，各吸取器能够分别与对应的涂布器相组配，以吸取自该涂布器所涌出的蚀刻液。

19.如权利要求18所述的基板表面处理装置，其特征在于，该吸取器与其对应的涂布器为一体成形。

20.如权利要求17所述的基板表面处理装置，其特征在于，该多个涂布器对应该环状凸缘的位置设有一凹槽。

21.如权利要求14所述的基板表面处理装置，其特征在于，该多个输送滚筒 以逐渐升高方式排列，而在基板传送过程中，该多个基板相对涂布器的高度逐渐增加。

22.如权利要求14、15或16所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有一承漏盘，其设于该基板表面处理装置的下方，而用于承接自该出液口所涌出的蚀刻液。

23.如权利要求19所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有一供液装置，其设有一泵，而能够汲取该承漏盘内的蚀刻液，再将蚀刻液供给至涂布器。

24.如权利要求23所述的基板表面处理装置，其特征在于，尚包括有一过滤器，其用以过滤来自该承漏盘的蚀刻液。

25.如权利要求17所述的基板表面处理装置，其特征在于，涂布器的两侧边分别设置一挡板，而与输送滚筒、环状凸缘及其组合式的其中之一，形成该积液空间。 

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