CN202103057U - 一种大功率片式二极管 - Google Patents

Abstract

一种大功率片式二极管。涉及对二极管结构的改进。在空间体积占用一定的情况下，功率成倍增加。二极管包括引线一、引线二、芯片和封装体，芯片至少设有两块，至少两块芯片极性同向地平置，引线一内端的底面分别接触芯片的正极面，引线二内端的顶面分别接触芯片的负极面。本实用新型将芯片设置形式改进为平置式以后，能扩充其中芯片的数量，将多个芯片以“并联”式结构连接，进而实现增大功率的目的。本实用新型在相同体积下，能提高产品的功率；在相同功率下，能提高产品的使用寿命，缩小产品的空间尺寸。

Description

一种大功率片式二极管

技术领域

本实用新型涉及对二极管结构的改进。 

背景技术

现有技术中的二极管(如图3、4所示)的结构形式大多为两根引线1、4夹住芯片2焊接，外加圆柱形封装体5而成。具体结构为：芯片2垂直于正极的引线一1和负极的引线二4设置。此种结构：一方面，设置端片的工艺复杂、材料消耗大；另一方面，此种结构形式的二极管管体呈圆柱体形状(即圆柱形封装体5的外轮廓形状)，造成整体高度(圆柱体封装体5的直径)尺寸较大；此外，此种结构的二极管由于芯片的设置模式单一，使得同样规定、性能的芯片只能设置一片。最终产品的占用空间较大，功率恒定，原材料浪费严重，难以适应客户端小型化发展趋势。 

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种在空间体积占用一定的情况下，功率成倍增加的大功率片式二极管。 

本实用新型的技术方案是：所述二极管包括引线一、引线二、芯片和封装体，所述芯片至少设有两块，所述至少两块芯片极性同向地平置，所述引线一内端的底面分别接触所述芯片的正极面，所述引线二内端的顶面分别接触所述芯片的负极面。 

所述引线一和/或引线二的内端根部呈片形，形成散热段。 

所述散热段10-60％的面积部分设在所述封装体内，其余部分暴露在封装体外。 

本实用新型将芯片设置形式改进为平置式以后，能扩充其中芯片的数量，将多个芯片以“并联”式结构连接，进而实现增大功率的目的。在功率增加后，随之会带来热能的增加，为此，本实用新型还提出了将引线内端根部“加宽”的措施，即在引线一或者引线二，或者引线一和二的根部采取增大铜质引线局部面积的措施(即增设散热段)，能够将封装体内的热能传导到封装体外，然后封装体外的散热段部分由于与空气接触面积大，能提高热对流的效果，进而提高产品的散热性能，延长产品的使用寿命。本实用新型在相同体积下，能提高产品的功 率；在相同功率下，能提高产品的使用寿命，缩小产品的空间尺寸。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图； 

图中1是引线一，11是散热段，21是芯片一，22是芯片二，3是封装体，4是引线二；

图2是图1的仰视图；

图3是本实用新型现有技术示意图；

图4是图3的俯视图；

图中5是圆柱形封装体。

具体实施方式

本实用新型如图1、2所示，本实用新型的二极管包括引线一1、引线二4、芯片和封装体3，所述芯片至少设有两块，即芯片一21和芯片二22(还可以在扩展引线内端工作面长度后，继续增加芯片)，所述至少两块芯片极性同向地平置，所述引线一1内端的底面分别接触所述芯片一21和芯片二22的正极面，所述引线二4内端的顶面分别接触所述芯片一21和芯片二22的负极面。 

所述引线一1和/或引线二4的内端根部呈片形，形成散热段11。从实验情况出发，本实用新型优选将引线一1的根部加宽，构成散热段11即能实现散热目的；但不排除将引线二4的根部加宽，引线1和引线4的根部同时加宽的另两种实施手段。 

所述散热段11整体面积的10-60％的部分设在所述封装体3内，其余部分暴露在封装体外。工作中产生的热量主要在封装体3内，由于封装体3的散热效果较差，因此，当散热段11的一部分在封装体3内部时，能够将封装体3内部的热能通过热传导“带出”封装体外，再由封装体3外的散热段11其它部分与空气进行热对流，进而加速散热。 

Claims (3)

1.一种大功率片式二极管，所述二极管包括引线一、引线二、芯片和封装体，其特征在于，所述芯片至少设有两块，所述至少两块芯片极性同向地平置，所述引线一内端的底面分别接触所述芯片的正极面，所述引线二内端的顶面分别接触所述芯片的负极面。

2.根据权利要求1所述的一种大功率片式二极管，其特征在于，所述引线一和/或引线二的内端根部呈片形，形成散热段。

3.根据权利要求2所述的一种大功率片式二极管，其特征在于，所述散热段10-60%的面积部分设在所述封装体内，其余部分暴露在封装体外。

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