CN202058705U - 晶片烘干系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶片烘干系统，包括：烘干室；传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括：传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或者向下倾斜。根据本实用新型的晶片烘干系统，可以更高效、更清洁地干燥晶片。此外，该晶片烘干系统可以降低功率消耗并提高晶片承载器的利用效率和使用寿命。

Description

晶片烘干系统

技术领域

本实用新型涉及晶片加工技术领域，尤其是涉及一种改进的晶片烘干系统、特别是用于太阳能晶片的烘干系统。 

背景技术

在现有的晶片烘干设备中，用于传输晶片的传输带通常是水平的，由此可以顺序地在晶片烘干设备中连续地传输和干燥所述晶片及相应的晶片承载器。图4中显示了现有的晶片烘干设备100’的示意图。其中，用于传输晶片的传输带1’水平设置。在图4的晶片承载器中包括了清洗框与晶片承载篮21’以容纳晶片5’。常用的晶片承载篮21’的两个侧墙上相对设置有多个纵向凹槽6’，需清洗的晶片5’放置在对应的纵向凹槽6’中。由此，在将晶片插入所述承载篮21’中并在水溶液中清洗之后，由于水的粘附作用及运动惯性作用，晶片5’的两端通常容易紧贴在该晶片承载篮21’的凹槽壁的一侧，如图4中的放大部分A’中所示。 

由于对于晶片上的该紧贴部分，用于干燥的热风通常难以进入以干燥其中的水分，由此导致对于晶片的该部分比其他部分更加难以干燥，亦即，位于承载篮21’的凹槽6’中的晶片部分是难以干燥的。为了干燥晶片与承载篮21’的凹槽壁相贴合的部分，现有技术中，通常采用高温(最高可达到80-100度)并鼓入大流量的热风。由此导致用于加热气体的加热器3’的功率消耗较大，通常需要十余千瓦以上且连续加热。而且，这导致另外的一个问题是，由于现有的晶片承载篮21’通常是塑料制造的，由此导致该晶片承载篮21’在高温下容易变形且报废。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型需要提供一种晶片烘干系统，该晶片烘干系统可以更高效、更清洁地干燥晶片，且可降低功率消耗和提高晶片承载器的利用效率和使用寿命。 

根据本实用新型第一方面实施例的晶片烘干系统包括：烘干室；传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括：传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或者向下倾斜。 

由此，根据本实用新型实施例的晶片烘干系统，通过将传输带倾斜地设置，使得对清洗之后的待烘干晶片的双面均高效、清洁地进行了干燥。这样就避免了因晶片两端 紧贴承载篮的凹槽壁而不易被烘干的情况，可以大幅度降低热风温度，风速也可以降低，节能50％以上。 

根据本实用新型第一方面实施例的晶片烘干系统还具有如下附加特征： 

在本实用新型的一个实施例中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央分别以第一预定角度和第二预定角度向上或者向下倾斜。 

可选地，所述第一预定角度和所述第二预定角度相同，且相对于水平面的大小为5-40度。 

进一步可选地，所述第一预定角度和所述第二预定角度相对于水平面的大小为10-30度。 

在本实用新型的另一个实施例中，所述传输带的上段的两侧以弧形的方式相对所述传输带的中央向上或者向下倾斜。从而使得清洗框和承载篮在倾斜运动过程中运行平稳，进而使烘干过程更彻底。 

在本实用新型的一个实施例中，所述烘干室内包括：加热器，所述加热器设置在所述传输带的上方，用于加热用于干燥晶片的气体；以及设置在所述加热器之下的过滤器，所述过滤器用于过滤被加热的气体。 

可选地，所述过滤器设置成平行于所述传输带的上表面。由此，可使从过滤器中过滤后的气体更容易进入承载篮中，提高了对晶片的烘干效果。 

所述烘干室内进一步包括：气流导向件，所述气流导向件设置在所述过滤器的下方，且所述气流导向件用于将加热气体引导成垂直于所述上段的上表面，以使得通过过滤器的气体流向保持与倾斜的晶片平行，使待烘干晶片的底部也能被吹到而被烘干，提高了对晶片的烘干效果。 

在本实用新型的一个实施例中，所述传输带的上段的中央部分水平地设置。 

在本实用新型的一个实施例中，所述传输带的表面粗糙度被设置成防止晶片承载器在其上滑动。 

在本实用新型的另一个实施例中，所述传输带的表面上设有承载器定位器以防止晶片承载器在其上滑动。 

可选地，所述承载器定位器包括多个间隔开的定位齿以避免影响晶片的烘干效果。

根据本实用新型第二方面实施例的一种晶片烘干系统，包括：烘干室；传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括：传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向下倾斜设置。 

本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。 

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中： 

图1为根据本实用新型的一个实施例的晶片烘干系统的示意图； 

图2为根据本实用新型的另一个实施例的晶片烘干系统的示意图； 

图3为根据本实用新型的再一个实施例的晶片烘干系统的示意图；以及 

图4中显示了现有的晶片烘干设备的示意图。 

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。 

在本实用新型的描述中，术语“内”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型而不是要求本实用新型必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，术语“横向”指的是垂直于图纸面的方向，“纵向”指的是沿传输部的传输方向，而“竖向”指的是图中上下方向。另外，附图中的箭头表示气体流向。 

下面将参考图1-图3来说明根据本实用新型第一方面实施例的晶片烘干系统。 

如图1所示，根据本实用新型实施例的晶片烘干系统包括：烘干室1和传输单元，其中传输单元用于将晶片传输通过烘干室1。传输单元包括在烘干室1内循环运动的传输带2，传输带2贯穿烘干室1而设置，用于将在位于烘干室1的上游的清洗室6中清洗后的晶片传输至烘干室1中进行烘干。 

如图1中所示，传输带2的上段用于承载和传输晶片承载器，晶片承载器包括清洗框3和设在清洗框3内的承载篮4，且晶片5容纳在承载篮4中，该清洗框3被传输带2从清洗室6中运输到烘干室1中。其中，传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央向上倾斜，即如图中所示传输带2将包括上升段和下降段。在本实用新型的一个示例中，传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央向上倾斜可通过在传输带2下方设有支撑板7来实现，如图1中所示。当然，本实用新型并不限于此，传输带2的倾斜还可以通过其他方式来实现，例如传输带2的中央通过吊具向上吊起(图未示出)，或在传输带2的两侧所在平面的中央设有凸出部以将传输带2的中央向上撑起(图未示出)等，只要满足可以将传输带2的中央高于其两侧即可，均落入本实用新型的保护范围内。 

通过将传输带倾斜地设置，在上升段和下降段上分别放置的晶片承载器也相应地倾斜，同时待烘干晶片5也倾斜而非保持竖直状态。在传输带2的上升段处放置的晶片 承载器中的待烘干晶片5在传输带2的运动过程中由于重力作用以及热风吹动将会相对于承载篮4倒下，即晶片5的顶端将会倒向承载篮4的一侧(例如图1中的左侧)，也就是说晶片5的一侧(即图中的左侧)将紧贴向承载篮4的凹槽的左侧壁，而晶片5的另一侧(即图中的右侧)与承载篮4的凹槽的右侧壁之间的空隙变大，由此此侧(即图中晶片5的右侧)的水分将很容易被加热的气体带走而烘干。而当晶片5被运输到传输带2的下降段处时，晶片5的已被烘干的右侧向右倾斜而倒向承载篮4的右侧，从而利用加热的气流来加热晶片5的左侧。 

由此，根据本实用新型实施例的晶片烘干系统，通过将传输带2倾斜地设置，使得对清洗之后的待烘干晶片5的双面均高效、清洁地进行了干燥。这样就避免了因晶片紧贴承载篮的凹槽壁而不易被烘干的情况，可以大幅度降低热风温度，风速也可以降低，节能50％以上。 

在本实用新型的一个实施例中，传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央分别以第一预定角度α和第二预定角度β向上倾斜。在本实用新型的一个示例中，第一预定角度α和第二预定角度β相同。而在本实用新型的另一个示例中，第一预定角度α和第二预定角度β也可不相同(如图1中所示)。其中，第一预定角度α和第二预定角度β相对于水平面的大小范围分别为5-40度。进一步可选地，第一预定角度和第二预定角度相对于水平面的大小范围为10-30度。 

在本实用新型的另一个实施例中，传输带2的上段的两侧以弧形的方式相对传输带2的中央向上倾斜(图未示出)，从而使得清洗框3和承载篮4在倾斜运动过程中运行平稳，进而使烘干过程更彻底。 

本领域内普通技术人员可以理解的是，传输带2的上端的两侧相对传输带2的中央向上倾斜的方式也还可以为其他类似方式，例如上升段为倾斜上升而下降段为弧形向下，或者上升段包括多段与水平之间的倾斜角逐渐减小的折线段而下降端包括多段倾斜角逐渐增大的折线段等。 

具体地，如图1所示，烘干室1中包括用于运入和运出待烘干晶片5的进料口16和出料口17、进风口11、设置在传输带2的上方的至少一个加热器12、抽风口13和设置在加热器之下的过滤器14，其中加热器用于加热用于干燥晶片的气体，过滤器用于过滤被加热的气体。在抽风口13处设置有抽风机(图未示出)。由此，气体从进风口11处进入所述烘干室1中并通过加热器12被加热，被加热后的气体通过过滤器14过滤后对晶片5进行烘干，然后通过抽风口13排出并被抽风机循环送入到进风口11中。 

在本实用新型的进一步的第一个实施例中，过滤器14被设置成平行于传输带2的上表面，即与传输带2的上段的倾斜角度一致。如图2中所示，由此，可使从过滤器14中过滤后的气体更容易进入承载篮4中，提高了对晶片5底部的烘干效果。 

在本实用新型的进一步的第二个实施例中，烘干室1内进一步包括气流导向件15， 如图3所示，气流导向件15设置在过滤器14的下方，且气流导向件15用于将加热后的气体引导成垂直于传输带2的上段的方向，以使得通过过滤器14的气体流向保持与倾斜的晶片5平行，使待烘干晶片5的底部也能被吹到而被烘干，提高了对晶片5的烘干效果。 

在本实用新型的一些实施例中，传输带2的上段的中央部分水平地设置。 

在本实用新型的一个实施例中，传输带2的表面粗糙度被设置成防止晶片承载器在其上滑动。而在本实用新型的另一个实施例中，传输带2的表面上设有承载器定位器以防止晶片承载器在其上滑动。可选地，承载器定位器包括多个间隔开的定位齿(图未示出)，其中，定位齿设在传输带2的表面上且可将清洗框3限制，以避免清洗框3在传输带2上滑动而影响晶片5的烘干效果。 

下面将说明根据本实用新型第二方面实施例的晶片烘干系统，图未示出。 

根据本实用新型第二方面实施例的一种晶片烘干系统，包括烘干室1和传输单元，其中传输单元用于将晶片传输通过烘干室1。传输单元包括传输带2，传输带2的上段用于承载晶片承载器，晶片5容纳在晶片承载器中，传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央向下倾斜设置。 

根据本实用新型第二方面实施例的晶片烘干系统与上述第一方面实施例的晶片烘干系统之间唯一的区别仅在于：传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央向下倾斜设置，则其余特征在以下说明中不再进行描述。 

在本实用新型的其中一个实施例中，传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央分别以第一预定角度和第二预定角度向下倾斜。在本实用新型的一个示例中，第一预定角度和第二预定角度相同。而在本实用新型的另一个示例中，第一预定角度和第二预定角度也可不相同。其中，类似地，第一预定角度和第二预定角度相对于水平面的大小范围分别为5-40度。进一步可选地，第一预定角度和第二预定角度相对于水平面的大小范围为10-30度。 

在本实用新型的另一个实施例中，传输带2的上段的两侧也可以以弧形的方式相对传输带2的中央向下倾斜，从而使得清洗框3和承载篮4在倾斜运动过程中运行平稳，进而使烘干过程更彻底。 

本领域内的技术人员可以理解的是，在本实用新型上述第一方面实施例的晶片烘干系统中描述的其他技术特征也可以相应地用于本实用新型第二方面实施例中晶片烘干系统中，例如过滤器14及气流导向件15的设置等，在此不再重新描述。 

任何提及“一个实施例”、“实施例”、“示意性实施例”等意指结合该实施例描述的具体构件、结构或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例中。在本说明书各处的该示意性表述不一定指的是相同的实施例。而且，当结合任何实施例描述具体构件、结构或者特点时，所主张的是，结合其他的实施例实现这样的构件、结构或者特点均落在本领域技术人员的范围之内。 

尽管参照本实用新型的多个示意性实施例对本实用新型的具体实施方式进行了详细的描述，但是必须理解，本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例，这些改进和实施例将落在本实用新型原理的精神和范围之内。具体而言，在前述公开、附图以及权利要求的范围之内，可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进，而不会脱离本实用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进，其范围由所附权利要求及其等同物限定。 

Claims (12)

1.一种晶片烘干系统，其特征在于，包括：

烘干室；

传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中

所述传输单元包括：

传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或向下倾斜。

2.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央分别以第一预定角度和第二预定角度向上或者向下倾斜。

3.根据权利要求2所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述第一预定角度和所述第二预定角度相同，且相对于水平面的大小为5-40度。

4.根据权利要求3所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述第一预定角度和所述第二预定角度相对于水平面的大小为10-30度。

5.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的上段的两侧以弧形的方式相对所述传输带的中央向上或者向下倾斜。

6.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述烘干室内包括：

加热器，所述加热器设置在所述传输带的上方，用于加热用于干燥晶片的气体；以及

设置在所述加热器之下的过滤器，所述过滤器用于过滤被加热的气体。

7.根据权利要求6所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述过滤器设置成平行于所述传输带的上表面。

8.根据权利要求6所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述烘干室内进一步包括：

气流导向件，所述气流导向件设置在所述过滤器的下方，且所述气流导向件用于将加热气体引导成垂直于所述上段的上表面。

9.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的上段的中央部分水平地设置。

10.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的表面粗糙度被设置成防止晶片承载器在其上滑动。

11.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的表面上设有承载器定位器以防止晶片承载器在其上滑动。

12.根据权利要求11所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述承载器定位器包括多个间隔开的定位齿。

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