CN201773122U - 一种层叠半导体芯片的测试探针 - Google Patents
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Abstract
一种层叠半导体芯片的测试探针，由针体(2)、上动针(3)和下定针(1)所组成。而上动针(3)设有弹性连接部分(3-3)，通过过渡部分(3-2)与导向部分(3-1)平滑过渡连接。针体(2)为磷青铜，与上动针(3)过盈配合、弹性连接，依靠针体(2)具有一定弹性力对上动针(3)所产生的反作用力，保证上动针(3)在没有外力作用时，克服重力和轻微振动的影响，停留在针体(2)的任何位置，从而获得正确和理想的测试结果，并大大提高了探针对半导体芯片的测试效率。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体行业，特别涉及一种层叠半导体芯片的测试工具。
背景技术
层叠半导体芯片的特点是高频特性好，但其厚度较小容易变形。在测试过程中一旦出现异常情况时，较难判断是测试回路的导通问题，还是由于芯片本身变形造成接触不良。用普通弹簧测试探针进行测试，移去外力后，弹簧会使探针恢复到自由状态，无法达到测试目的。在本实用新型作出以前，据检索，还没有与本实用新型相同的技术方案出现。在现有技术中的普遍做法是：将芯片取出，在显微镜下观察普通探针在锡球上留下的痕迹，作为测试的依据。但是，由于普通测试探针测试力的限制，一次扎痕不是很明显，通常要尝试几次，才能判断出芯片在测试过程中是否形变，所以现有技术中这种做法的最大弊病是效率较低。
实用新型内容
本实用新型的目的是，提供一种效率较高，在测试过程中，探针能停留在工作行程内任何位置，从而可以记录探针的工作状态，监测系统中所有部件的综合误差，以便作为测试系统设计和改进的层叠半导体芯片测试的记忆式探针。
本实用新型的目的是通过下述技术方案来达到的。
本实用新型包括管状针体、上动针和下动针三部分，下定针通过挤压的方法固定在针体的一端；而上动针则套装在针体另一端管壁内。重要的是本实用新型在上动针上，依次设定了导向部分、过渡部分和弹性连接部分。针体为磷青铜制成，与动针之间为过盈配合，由于针体壁厚较小，仅为0.03～0.07毫米，容易产生微量变形，且在允许的弹性变形范围内，对动针产生一定的反作用力，从而使动针在没有外力作用时，能克服重力和轻微振动的影响，停留在任何位置。上动针的弹性连接部分有一V形开口，这一结构的引入，使其变形和针体的薄壁变形同时作用，降低了对零件尺寸选配的要求。上动针如果仅仅使用弹性部分连接，由于需要控测其在较小的长度，上动针可能发生倾针现象，所以本实用新型在上动针部分引入导向部分，并通过过渡部分平滑过渡与弹性部分连接，有效地保证了上动针与针体的同轴度。
本实用新型解决了现有技术中对层叠半导体芯片测试困难或效率低下的弊病，是操作者提高工作效率的一种测试记忆探针。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型中上动针的结构示意图。
具体实施方式
本实施例，给出了本实用新型所述的一种可以对超薄层叠芯片测试的记忆探针的优化方案。这种记忆探针包括有针体2、上动针3和下定针1，下定针1通过挤压的方法固定在针体2的一端，而上动针3在针体2的另一端与其过盈配合，可上下运动。针体2为磷青铜制造，其壁厚为0.05毫米。上动针3为铍铜制造，设有导向部分3-1，过渡部分3-2，弹性连接部分3-3。弹性连接部分3-3开口约40°，长约0.1毫米，上动针3的外径和针体2内径的开口处过盈量约0.005毫米，上动针3的外径和针体2内径的导向部分设定的间隙约0.01毫米，长度约0.3毫米。实验证明：150克力的弹性力，既能保证上动针3运动，又能保证上动针3在移除外力时即时停止，而且可以抵抗测试过程中冲击的影响。
下定针1固定在针体2上，而上动针3在针体2中保持悬空。此状态下，上动针3在针体2保持150克左右的弹性力，从而避免了上动针3的偏移和跳动。在外力作用下，芯片压缩上动针3向下推至测试状态位置。当移去外力时，由于针体2和上动针3间弹性力的作用，上动针3可以停留在测试状态位置。同样的，约150克弹性力的作用，可以使上动针3不会在针体2内滑动，也可以克服受机器调试过程中冲击的影响。测量记忆探针压缩状态下的高度，就可以分析出测试状态下系统的综合误差。测量结束，移动上动针3至原始位置后，可重新使用记忆探针。
Claims (4)
1.一种层叠半导体芯片的测试探针，包括针体(2)，上动针(3)和下定针(1)，下定针(1)通过挤压的方法固定在针体(2)的一端；而上动针(3)套装在针体(2)的另一端管壁内，其特征在于：所述的上动针(3)依次设定了导向部分(3-1)，过渡部分(3-2)和弹性连接部分(3-3)。
2.根据权利要求1所述的一种层叠半导体芯片的测试探针，其特征在于：针体(2)为磷青铜制成；针体(2)与上动针(3)为过盈配合。
3.根据权利要求2所述的一种层叠半导体芯片的测试探针，其特征在于：针体(2)的壁厚为0.03～0.07毫米。
4.根据权利要求3所述的一种层叠半导体芯片的测试探针，其特征在于：上动针(3)的弹性连接部分(3-3)为一V形开口。
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| CN101943710A (zh) * | 2010-08-23 | 2011-01-12 | 安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司 | 一种层叠半导体芯片的测试探针 |
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