CN201741676U - 硅晶片输送升降结构 - Google Patents

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沈汉明
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Abstract

本实用新型公开的硅晶片输送升降结构，它主要包括提升臂和电机，其特征是所述电机通过蜗轮蜗杆与一丝杆传动连接，所述丝杆上螺纹连接有一滑块，所述滑块滑动设置在一导轨内，所述的提升臂与该滑块固定连接。本实用新型得到的硅晶片输送升降结构，通过蜗轮蜗杆可实现大速比减速，并减免反向传递运动，结构简单，安全可靠；电机通过蜗轮蜗杆带动丝杆转动，滑块在丝杆和导轨的双重作用下，将丝杆的转动效果转化为升降效果，传动更为稳定，易于正反转操作，控制更为简单，提升精度更高。

Description

硅晶片输送升降结构
技术领域
本实用新型涉及一种适用于硅晶片生产的升降结构，尤其是一种硅晶片输送升降结构。
背景技术
在硅晶片输送时，需要通过升降结构对硅晶片进行反复的升降操作，现有的升降结构包括气动升降结构，通过气缸的动作来完成提升臂的升降，气动控制需要气源的供应，控制也较为复杂，而且精度较差，难以满足在硅晶片提升过程中对提升高度的精度要求；另外的一些由电机驱动的升降结构，提升高度的精度也难以满足生产的需要，而且需要配合复杂的定位反馈来确保提升效果，成本较高，维护较为困难，这给硅晶片的生产带来了影响。
发明内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供的一种的可有效确保提升精度的硅晶片输送升降结构。
为了达到上述目的，本实用新型所设计的硅晶片输送升降结构，它主要包括提升臂和电机，其特征是所述电机通过蜗轮蜗杆与一丝杆传动连接，所述丝杆上螺纹连接有一滑块，所述滑块滑动设置在一导轨内，所述的提升臂与该滑块固定连接。蜗轮蜗杆可进行变向传动，电机通过蜗轮蜗杆带动丝杆转动，滑块在丝杆和导轨的双重作用下，在导轨内作上下移动，实现提升臂的升降。
为了有效降低电机输出的速度，使工作过程更为稳定、可控，可以在丝杆与电机间设有减速装置。
为了进一步确保提升精度，所述电机可为步进电机。步进电机转动的角度可控，相比于普通电机，精度更高。
为了在提升过程中实现快慢调节，所述电机可与一变频器相连接。
本实用新型得到的硅晶片输送升降结构，通过蜗轮蜗杆可实现大速比减速，并减免反向传递运动，结构简单，安全可靠；电机通过蜗轮蜗杆带动丝杆转动，滑块在丝杆和导轨的双重作用下，将丝杆的转动效果转化为升降效果，传动更为稳定，易于正反转操作，控制更为简单，提升精度更高。
附图说明
图1是实施例1的结构示意图；
图2是实施例3的结构示意图。
图中：提升臂1、电机2、蜗轮蜗杆3、丝杆4、滑块5、导轨6、变频器7。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例1
如图1所示，本实施例所描述的硅晶片输送升降结构，它主要包括提升臂1和电机2，其特征是所述电机2通过蜗轮蜗杆3与一丝杆4传动连接，所述丝杆4上螺纹连接有一滑块5，所述滑块5滑动设置在一导轨6内，所述的提升臂1与该滑块5固定连接。蜗轮蜗杆3可进行变向传动，电机2通过蜗轮蜗杆3带动丝杆4转动，滑块5在丝杆4和导轨6的双重作用下，在导轨6内作上下移动，实现提升臂1的升降。
为了有效降低电机2输出的速度，使工作过程更为稳定、可控，可以在丝杆4与电机2间设有减速装置。减速装置可以是连接在电机2轴上的减速箱。
本实施例所描述的硅晶片输送升降结构，通过蜗轮蜗杆3可实现大速比减速，并减免反向传递运动，结构简单，安全可靠；电机2通过蜗轮蜗杆3带动丝杆4转动，滑块5在丝杆4和导轨6的双重作用下，将丝杆4的转动效果转化为升降效果，传动更为稳定，易于正反转操作，控制更为简单，提升精度更高。
实施例2
本实施例所描述的硅晶片输送升降结构，与实施例1不同的是所述电机2为步进电机2。步进电机2转动的角度可控，相比于普通电机2，精度更高。
实施例3
如图2所示，本实施例所描述的硅晶片输送升降结构，与实施例1不同的是所述电机2可与一变频器7相连接，在提升过程中可实现快慢调节。

Claims (4)

1.一种硅晶片输送升降结构，它主要包括提升臂和电机，其特征是所述电机通过蜗轮蜗杆与一丝杆传动连接，所述丝杆上螺纹连接有一滑块，所述滑块滑动设置在一导轨内，所述的提升臂与该滑块固定连接。
2.根据权利要求1所述的硅晶片输送升降结构，其特征是在丝杆与电机间设有减速装置。
3.根据权利要求1或2所述的硅晶片输送升降结构，其特征是所述电机为步进电机。
4.根据权利要求1或2所述的硅晶片输送升降结构，其特征是所述电机与一变频器相连接。
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