CN201520815U - 石墨双悬浮坩埚 - Google Patents

石墨双悬浮坩埚 Download PDF

Info

Publication number
CN201520815U
CN201520815U CN2009200495973U CN200920049597U CN201520815U CN 201520815 U CN201520815 U CN 201520815U CN 2009200495973 U CN2009200495973 U CN 2009200495973U CN 200920049597 U CN200920049597 U CN 200920049597U CN 201520815 U CN201520815 U CN 201520815U
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
floating
crystal
crucibles
graphite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2009200495973U
Other languages
English (en)
Inventor
谢瑞庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Germanium Co., Ltd.
Original Assignee
NANJING GERMANIUM TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NANJING GERMANIUM TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical NANJING GERMANIUM TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2009200495973U priority Critical patent/CN201520815U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201520815U publication Critical patent/CN201520815U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种石墨双悬浮坩埚,它由单坩埚,外浮埚(石墨浮动套筒),内浮埚构成。在晶体生长时,两只浮埚可以随着熔体液面的高度而同步变化,因此,两只浮埚的高度差在晶体生长过程中始终保持不变,有利于晶体生长时的结晶潜热的散发,使热场的稳定性大为提高,双悬浮坩埚集中了多种类型坩埚的优点,便于控制晶体的生长。

Description

石墨双悬浮坩埚
技术领域
本实用新型涉及一种石墨双悬浮坩埚。
背景技术
从丘克拉斯基法(直拉法)生长锗晶体以来,在所使用的石墨坩埚上发生了一系列演变。从单坩埚,双坩埚,悬浮坩埚,使用这些坩埚存在的一些缺点是明显的。
发明内容
为了解决现有技术中存在的缺陷,本发明采用如下技术方案:
一种石墨双悬浮坩埚,其特征在于,它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚,所述外浮埚置于所述单坩埚内,所述内浮埚置于所述外浮埚内,所述外浮埚是一种石墨浮动套筒,外浮埚也可以装料。
本发明创造的有益效果:
在晶体生长时,两只浮埚可以随着熔体液面的高度而同步变化,因此,两只浮埚的高度差在晶体生长过程中始终保持不变,有利于晶体生长时的结晶潜热的散发,使热场的稳定性大为提高,双悬浮坩埚集中了多种类型坩埚的优点,便于控制晶体的生长。
1)已经完全解决了在氩气氛中生长长晶体和超长晶体产生晶体棱线变宽的问题;
2)在晶体生长时,减少了电阻率不均匀性和小角晶界;
3)每段单晶上下端面位错<200/cm2已达90%左右。
附图说明
图1为本实用新型单坩埚结构示意图;
图2a、2b为本实用新型外浮埚结构示意图;
图3为本实用新型内浮埚结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图通过具体实施例对本发明技术方案做进一步的说明。
石墨双悬浮坩埚由一只单坩埚,外浮埚(石墨浮动套筒),内浮埚构成,当单坩埚半径R很大时,内浮埚R比较小时,则单坩埚壁对晶体生长的影响就可以忽略不计。外浮埚和内浮埚的高度之差在晶体生长过程中始终保持不变,因此大大提高了晶体生长过程中的热稳定性,有利于结晶潜热的散发,生长出令人满意的晶体。
在通常情况下,在晶体生长过程中,坩埚中液面位置不断下降,坩埚壁不断的裸露出来,由于裸露埚壁温度很高,所以对晶体和熔体温度的变化影响很大,晶体表面热的发射效率,熔体液面上的发射效率强烈地依赖于裸壁高度,当裸壁高度大到一定程度时,晶体表面的发射效率甚至为负值,熔体表面的发射效率也大大下降,这样对晶体生长极为不利,而在石墨双悬浮坩埚中,单坩埚直径比较大,内浮埚直径比较小,可以忽略单坩埚壁对晶体生长的影响,而两只内外浮埚的裸壁高度可以事先确定,并在晶体生长过程中始终保持不变,这样创造了了一个基本上处于恒定不便的热场,对于稳定工艺参数,保证产品质量,提高产品的合格率是一个很大的突破。
虽然本实用新型已以较佳实施例公开如上,但它们并不是用来限定本实用新型,任何熟悉此技艺者,在不脱离本实用新型之精神和范围内,自当可作各种变化或润饰,因此本实用新型的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。

Claims (2)

1.一种石墨双悬浮坩埚,其特征在于,它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚,所述外浮埚置于所述单坩埚内,所述内浮埚置于所述外浮埚内,所述外浮埚是一种石墨浮动套筒。
2.根据权利要求1所述的石墨双悬浮坩埚,其特征在于,可以在外浮埚里装料。
CN2009200495973U 2009-10-20 2009-10-20 石墨双悬浮坩埚 Expired - Lifetime CN201520815U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009200495973U CN201520815U (zh) 2009-10-20 2009-10-20 石墨双悬浮坩埚

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009200495973U CN201520815U (zh) 2009-10-20 2009-10-20 石墨双悬浮坩埚

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201520815U true CN201520815U (zh) 2010-07-07

Family

ID=42506992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009200495973U Expired - Lifetime CN201520815U (zh) 2009-10-20 2009-10-20 石墨双悬浮坩埚

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201520815U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112663140A (zh) * 2020-12-07 2021-04-16 山东大学 一种用于四元卤化物晶体制备的模具装置及制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112663140A (zh) * 2020-12-07 2021-04-16 山东大学 一种用于四元卤化物晶体制备的模具装置及制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104032368B (zh) 一种高效多晶硅锭的制备方法
CN202671713U (zh) 一种多晶硅铸锭用坩埚
KR101277231B1 (ko) 실리콘 단결정의 제조 방법, 실리콘 단결정 인상 장치 및 석영 유리 도가니
CN104328498B (zh) 蓝宝石单晶生长自动化综合控制工艺
CN102776554A (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN201864792U (zh) 用于直拉法单晶硅生长装置的导流筒和单晶硅生长装置
CN104350186A (zh) SiC单晶锭、SiC单晶以及制造方法
CN209702906U (zh) 一种单晶炉
CN103060913A (zh) 一种大尺寸蓝宝石晶体生长方法
CN108411367A (zh) 流动气氛导模法多片蓝宝石长晶装置及方法
CN104372399A (zh) 一种单晶硅收尾方法及单晶硅制备方法
CN109837584A (zh) 一种直拉硅芯原料棒的熔接工艺
CN201520815U (zh) 石墨双悬浮坩埚
CN201224777Y (zh) 大尺寸蓝宝石坩埚下降法生长炉
CN103930601A (zh) SiC单晶的制造方法
CN202144523U (zh) 一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置
CN202039155U (zh) 石墨坩埚
CN101886288B (zh) 一种用于定向凝固法生长硅单晶的双层坩埚
CN201873777U (zh) 硅液面位置控制装置
CN203715791U (zh) 一种能够降低单晶硅晶棒头部氧含量的单晶炉
CN104120487A (zh) 板状蓝宝石晶体生长方法及生长设备
CN102560625A (zh) 一种提高n型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法
CN110512280A (zh) 一种导模法生长封口蓝宝石管的装置和方法
CN102002753B (zh) 一种ф8英寸<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统
CN205241851U (zh) 一种单晶炉加热系统

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: CHINA GERMANIUM TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: NANJING GERMANIUM TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20130326

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 211165 NANJING, JIANGSU PROVINCE TO: 211200 NANJING, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130326

Address after: 211200 No. 9 Zhongxing East Road, Lishui County Development Zone, Jiangsu, Nanjing

Patentee after: China Germanium Co., Ltd.

Address before: Jiangning Nanjing District moling town of 211165 cities in Jiangsu Province

Patentee before: Nanjing Germanium Technology Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100707