CN201478308U - 微型封装半控桥壁器件 - Google Patents
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Abstract
一种微型封装半控桥壁器件，包括环氧树脂封装体和固定在环氧树脂封装体底部的铜底板，其特征在于：所述的环氧树脂封装体表面设置有两两对称的四个电极，电极下设置有螺母，所述的环氧树脂封装体内塑封有一个可控硅芯片和一个整流二极管芯片，所述的可控硅芯片与整流二极管芯片桥臂连接，可控硅芯片的阴极连接第四电极，可控硅芯片的门极连接第三电极，可控硅芯片的阳极及整流二极管芯片的负极连接第二电极，整流二极管芯片的正极连接第一电极，所述的铜底板与电极绝缘设置，铜底板上还设置有安装孔。采用本实用新型减小了体积，降低了热阻，并且使生产工艺简化，降低了生产成本，适合大批量的生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半控桥壁器件，尤其涉及一种微型封装半控桥壁器件。
背景技术
半控桥臂器件在电机控制，温度控制，灯光调节等等场合使用相当广泛。但是，对于较大功率半控桥臂器件，目前市场上一般都采用标准模块封装，此封装结构体积较大，生产工艺复杂，而且成本较高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：提供一种生产工艺简单，生产成本低的微型封装半控桥臂器件。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种微型封装半控桥壁器件，包括环氧树脂封装体和固定在环氧树脂封装体底部的铜底板，，其特征在于：所述的环氧树脂封装体表面设置有两两对称的四个电极，电极下设置有螺母，所述的环氧树脂封装体内塑封有一个可控硅芯片和一个整流二极管芯片，所述的可控硅芯片与整流二极管芯片桥臂连接，可控硅芯片的阴极连接第四电极，可控硅芯片的门极连接第三电极，可控硅芯片的阳极及整流二极管芯片的负极连接第二电极，整流二极管芯片的正极连接第一电极，所述的铜底板与电极绝缘设置，铜底板上还设置有安装孔。
本实用新型为了能适于安装，进一步包括所述的安装孔设置在铜底板近两端，两端的安装孔至少有一处为适于固定的长孔。
本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，将半控桥臂器件塑封在环氧树脂封装体内，减小了体积，降低了热阻，并且使生产工艺简化，降低了生产成本，适合大批量的生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的俯视图；
图2是本实用新型的主视图；
图3是本实用新型的可控硅芯片的连接电路图。
其中：1、铜底板；2、环氧树脂；3、电极；4、螺母；5、整流二极管芯片；6、可控硅芯片；7、安装孔。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示，一种微型封装半控桥臂器件，包括环氧树脂封装体2和固定在环氧树脂封装体2底部的铜底板1，所述的环氧树脂封装体2表面设置有两两对称的四个电极3，电极3上设置有螺母4，所述的环氧树脂封装体内塑封有一个可控硅芯片和6一个整流二极管芯片5，如图2所示，所述的可控硅芯片6与整流二极管芯片5桥臂连接，可控硅芯片6的阴极连接第四电极，可控硅芯片6的门极连接第三电极，可控硅芯片6的阳极及整流二极管芯片5的负极连接第二电极，整流二极管芯片5的正极连接第一电极，所述的铜底板1与电极3绝缘设置，铜底板1上还设置有安装孔7，安装孔7设置在铜底板1近两端，两端的安装孔7至少有一处为适于固定的长孔，这样在安装时可以根据位置的偏差进行调整，以达到便于安装的效果。
本实用新型使用时通过铜底板1两端的安装孔紧固在散热器上，利用铜底板1增加散热面积，以达到良好的散热效果。四个电极3分别与其它相应线路通过螺丝与螺母4配合连接。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。
Claims (2)
1.一种微型封装半控桥壁器件，包括环氧树脂封装体(2)和固定在环氧树脂封装体(2)底部的铜底板(1)，，其特征在于：所述的环氧树脂封装体(2)表面设置有两两对称的四个电极(3)，电极(3)下设置有螺母(4)，所述的环氧树脂封装体内塑封有一个可控硅芯片(6)和一个整流二极管芯片(5)，所述的可控硅芯片(6)与整流二极管芯片(5)桥臂连接，可控硅芯片(6)的阴极连接第四电极，可控硅芯片(6)的门极连接第三电极，可控硅芯片(6)的阳极及整流二极管芯片(5)的负极连接第二电极，整流二极管芯片(5)的正极连接第一电极，所述的铜底板(1)与电极(3)绝缘设置，铜底板(1)上还设置有安装孔(7)。
2.如权利要求1所述的微型封装单相整流桥，其特征在于：所述的安装孔(7)设置在铜底板(1)近两端，两端的安装孔(7)至少有一处为适于固定的长孔。
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Cited By (2)
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| CN105679817A (zh) * | 2016-02-24 | 2016-06-15 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法 |
| CN107062014A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-08-18 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种具有高光通维持率的led灯丝球泡灯 |
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2009
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| CN105679817A (zh) * | 2016-02-24 | 2016-06-15 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法 |
| CN105679817B (zh) * | 2016-02-24 | 2017-02-22 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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Assignee: Sirectifier Electronics Technology Corporation Assignor: Shen Fude Contract record no.: 2010320000302 Denomination of utility model: Miniature encapsulated half-controlled bridge wall device Granted publication date: 20100519 License type: Exclusive License Record date: 20100324 |
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