CN201298524Y - 一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置 - Google Patents

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张�雄
杨兰兰
朱立锋
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Abstract

本实用新型的荫罩式等离子体显示屏的封接装置,它包括由真空腔体和加热板构成的真空室(16),由充气阀门(19)、流量计(30)、气瓶开关(24)和气瓶(25)构成的充气系统,由抽气阀门(17)、电离规管(20)、分子泵(21)、机械泵(23)、分子泵开关(27)和机械泵开关(28)构成的抽气系统,排气阀门(18),电离规(22)、气压表(29)和加热开关(26)。本实用新型采用真空封排一体化的装置,这种封接装置所制造的等离子体显示板没有排气孔,内部真空度高,稳定性好。本实用新型具有结构简单、封接效率高、性能好的优点。

Description

一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置
技术领域
本实用新型涉及一种荫罩式等离子体显示屏,尤其是一种集封接、排气、充气于一体的荫罩式等离子显示屏的封接装置,具体地说是一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置。
技术背景
目前,等离子体显示屏PDP前、后基板的封接装置,通常采用低熔点玻璃粉进行封接。低熔点玻璃粉材料有两种,结晶型低熔点玻璃粉和非结晶型低熔点玻璃粉。结晶型低熔点玻璃粉封接温度高,但只能一次烧结;非结晶型低熔点玻璃粉可进行多次加热封接。因此,在等离子体显示屏PDP制造中采用非结晶型低熔点玻璃粉。封接装置先对封接框进行预烧彻底除气,增加机械强度。在最后封屏中,封接装置一般有两种封接方式:一种是封接过程在大气环境中进行。封接完毕,通过排气孔对其进行排气、充气。这种装置比较成熟,在等离子体显示屏PDP封接装置中应用比较广泛。但是,显示屏内部特别是中心区域的真空度不够高,显示屏的质量不高;另一种封接过程中先是在大气气氛下进行,待温度升至接近低熔点玻璃粉软化时,对封接炉抽真空,然后进行排气、充气工艺,最后升高温度完成封接。但是,它的步骤多,封接装置结构复杂,封接消耗时间长,还需要较长时间的老练显示屏性能才能稳定。总的来说,现有的荫罩式等离子体显示屏的封接装置存在以下几个问题:(1)采用现有的封接装置得到的等离子体显示屏的屏内部特别是中心区域的真空度不够高;(2)封接装置结构复杂,封接消耗时间长;(3)采用现有的封接装置得到的等离子体显示屏需要较长时间的老练性能才能稳定。因此,现有的荫罩式等离子体显示屏的封接装置不能满足结构简单、封接装置性能好,得到的显示屏内部真空度高、稳定性好的要求,不能达到现有生产的需要。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有的荫罩式等离子体显示屏的封接的制作工序复杂,制屏效率低、稳定性差的问题,提出一种改善荫罩式等离子体显示屏的性能指标、简化荫罩式等离子体显示屏的制作工艺、提高制屏效率的一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置。
本实用新型的技术方案是:
一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置,其特征是它包括由真空腔体和加热板构成的真空室,由充气阀门、流量计、气瓶开关和气瓶构成的充气系统,由抽气阀门、电离规管、分子泵、机械泵、分子泵开关和机械泵开关构成的抽气系统,排气阀门,电离规、气压表和加热开关,加热板装在真空室内,加热板与加热开关相连,真空室通过管路与分子泵连接,管路上装有抽气阀门,抽气阀门与分子泵连接的管路上装有电离规管,分子泵连有分子泵开关,分子泵与机械泵连接,机械泵连有机械泵开关,真空室通过管路与电离规连接,真空室上装有排气阀门和气压阀,真空室通过管路与气瓶连接,管路上装有充气阀门,充气阀门与气瓶之间的管路上装有流量计,气瓶上装有气瓶开关。
本实用新型的有益效果:
1、本实用新型采用真空、封排一体化的荫罩式等离子体显示屏封接装置完成等离子体显示屏的真空封接、排气、充气的一体化过程,提高了荫罩式等离子体显示屏内部特别是中心区域的真空度,降低了着火电压和维持电压。
2、本实用新型采用无排气管封口技术,直接在荫罩式等离子体显示屏封接装置中通过控制充气、排气的升温、降温时间和温度,简化了荫罩式等离子体显示屏的制作工艺,缩短了制作时间,降低了荫罩式等离子体显示屏的制作成本,大大提高了显示屏的稳定性和制屏成品率。
附图说明
图1是本实用新型的荫罩式等离子体显示屏封接装置的结构图。
图2是本实用新型的荫罩式等离子体显示屏的结构图。
图3是本实用新型的荫罩式等离子体显示屏封接结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置,其基本结构如图1所示:它包括由真空腔体和加热板构成的真空室16,由充气阀门19、流量计30、气瓶开关24和气瓶25构成的充气系统,由抽气阀门17、电离规管20、分子泵21、机械泵23、分子泵开关27和机械泵开关28构成的抽气系统,排气阀门18,电离规22、气压阀29和加热开关26,加热板装在真空室16内,加热板与加热开关26相连,真空室16通过管路与分子泵21连接,管路上装有抽气阀门17,抽气阀门17与分子泵21连接的管路上装有电离规管20,分子泵21连有分子泵开关27,分子泵21与机械泵23连接,机械泵23连有机械泵开关28,真空室16通过管路与电离规22连接,真空室16上装有排气阀门18和气压阀29,真空室16通过管路与气瓶25连接,管路上装有充气阀门19,充气阀门19与气瓶25之间的管路上装有流量计30,气瓶25上装有气瓶开关24。
具体实施时:
实施例一:
一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置,其基本结构如图1所示:它包括由真空腔体和加热板构成的真空室16,由充气阀门19、流量计30、气瓶开关24和气瓶25构成的充气系统,由抽气阀门17、电离规管20、分子泵21、机械泵23、分子泵开关27和机械泵开关28构成的抽气系统,排气阀门18,电离规22、气压阀29和加热开关26,加热板装在真空室16内,加热板与加热开关26相连,真空室16通过管路与分子泵21连接,管路上装有抽气阀门17,抽气阀门17与分子泵21连接的管路上装有电离规管20,分子泵21连有分子泵开关27,分子泵21与机械泵23连接,机械泵23连有机械泵开关28,真空室16通过管路与电离规22连接,真空室16上装有排气阀门18和气压阀29,真空室16通过管路与气瓶25连接,管路上装有充气阀门19,充气阀门19与气瓶25之间的管路上装有流量计30,气瓶25上装有气瓶开关24。
本实用新型的荫罩式等离子体显示屏的结构,如图2所示:它包括前基板1、后基板2和夹在它们之间的荫罩3,所述的前基板1包括前衬底玻璃基板4、在前衬底玻璃基板4的下表面上形成的第一电极5、介质层6和在介质层6上形成的保护膜7;所述的后基板2包括后衬底玻璃基板8、在后衬底玻璃基板8上形成的第二电极9、介质层10和在介质层10上形成的保护膜11;所述的荫罩3是一块密布有网格孔12阵列的导电板,荫罩3中的网格孔12与前基板1接触的上开口13的面积是其与后基板2接触的下开口14面积的1.5~10倍;每一网格孔12与第一电极5和第二电极9垂直相交,荫罩3、覆盖介质层6的第一电极5和覆盖介质层10的第二电极9形成交流介质阻挡放电的一个基本单元。
使用本实用新型的装置时,在荫罩式等离子体显示屏的前基板1、后基板2制作完成、在前基板1的介质层6和后基板2的介质层10的内表面分别蒸镀MgO保护膜和MgO保护膜11蒸镀完毕后,将荧光粉均匀的喷涂于荫罩3的孔内,然后采用低熔点玻璃粉进行封接。在前基板1或后基板2四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框15,封接框15经过预烧,目的是彻底除气,粘合剂软化、与玻璃浸润,增加机械强度。封接时可在后基板2四周放置相当厚度的金属条作为支撑,前基板1、后基板2和荫罩3对准后,用夹具夹好,注意要使各处受力均匀,然后放入封排一体化系统的荫罩式等离子体显示屏的封接装置进行封接,排气,充气。首先对荫罩式等离子体显示屏的封接装置真空室16抽真空,真空室16的真空度达到10-3帕开始对真空室16加热,加热至380—400℃,升温速率为4—6℃/min,对真空室16保温并持续抽真空,直到真空室16的真空度达到10-5帕,向真空室16中充入工作气体,工作气体压强为1.2个标准大气压,充气后在20分钟内真空室16升温至400—500℃,真空室16从380—400℃到400—500℃的升温速率为9—11℃/min,然后保温15—30分钟,真空室16开始降温,真空室16从400—500℃到70—90℃的降温速率为1—2℃/min,当真空室16的温度低于70℃时,封接完成,最后,取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。
本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

Claims (1)

1、一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置,其特征是它包括由真空腔体和加热板构成的真空室(16),由充气阀门(19)、流量计(30)、气瓶开关(24)和气瓶(25)构成的充气系统,由抽气阀门(17)、电离规管(20)、分子泵(21)、机械泵(23)、分子泵开关(27)和机械泵开关(28)构成的抽气系统,排气阀门(18),电离规(22)、气压表(29)和加热开关(26),加热板装在真空室(16)内,加热板与加热开关(26)相连,真空室(16)通过管路与分子泵(21)连接,管路上装有抽气阀门(17),抽气阀门(17)与分子泵(21)连接的管路上装有电离规管(20),分子泵(21)连有分子泵开关(27),分子泵(21)与机械泵(23)连接,机械泵(23)连有机械泵开关(28),真空室(16)通过管路与电离规(22)连接,真空室(16)上装有排气阀门(18)和气压阀(29),真空室(16)通过管路与气瓶(25)连接,管路上装有充气阀门(19),充气阀门(19)与气瓶(25)之间的管路上装有流量计(30),气瓶(25)上装有气瓶开关(24)。
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CN113944610A (zh) * 2021-08-26 2022-01-18 北京航天控制仪器研究所 一种高温高真空除气设备及方法

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